本技术提供了一种用于特高压瓷绝缘子的釉料的配方和制作方法，配方包括以下重量份的原料：石英20～33份，伊利石10～18份，半山泥10～15份，硅酸锆微粉10～15份，白刚玉微粉4～7份，纳米二氧化硅1～5份，硅灰石3～6份，碳酸钡1～2份，左云土7～12份，氧化锰5～7份，氧化铁1～2份，氧化铬1～2份，氧化锑3～5份，海泡石粉2～8份，膨润土2～8份。制作方法包括纳米二氧化硅复合改性海泡石粉的制备、固溶体的制备、湿法球磨、调节釉浆比重步骤。通过本技术的配方和方法所得釉料，使得绝缘子具有十分优异的耐污均压性能，机械性能和电气性能也有较大提高，适用于特高压直流输电系统。 权利要求书
1.一种用于特高压瓷绝缘子的釉料，其特征在于，包括以下重量份的原料：石英20～33份，伊利石10～18份，半山泥10～15份，硅酸锆微粉10～15份，白刚玉微粉4～7份，纳米二氧化硅1～5份，硅灰石3～6份，碳酸钡1～2份，左云土7～12份，氧化锰5～7份，氧化铁1～2份，氧化铬1～2份，氧化锑3～5份，海泡石粉2～8份，膨润土2～8份。
2.如权利要求1所述的用于特高压瓷绝缘子的釉料，其特征在于，包括以下重量份的原料：石英25～30份，伊利石13～16份，半山泥12～15份，硅酸锆微粉10～13份，白刚玉微粉5～6份，纳米二氧化硅2～4份，硅灰石3～5份，碳酸钡1～2份，左云土8～10份，氧化锰5～6份，氧化铁1～2份，氧化铬1～2份，氧化锑4～5份，海泡石粉4～7份，膨润土4～7份。
3.如权利要求1或2所述的用于特高压瓷绝缘子的釉料，其特征在于，还包括氮化硼3～5份，和/或氮化铝3～5份，和/或硫酸钡1～5份。
4.如权利要求3所述的用于特高压瓷绝缘子的釉料，其特征在于，还至少包括一下技术特征之一：
所述纳米二氧化硅的粒径为20～100nm；
所述海泡石粉的粒径为200～500nm；
所述膨润土为有机改性膨润土；
所述氮化硼，和/或氮化铝，和/或硫酸钡的粒径为50～800nm。
5.制作如权利要求1至4中任一项所述的用于特高压瓷绝缘子的釉料的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、配制质量浓度为10％～20％的三羟甲基丙烷的N，N-二甲基甲酰胺溶液，将海泡石粉加入其中，混合均匀得到混合液；然后配制一定浓度的纳米二氧化硅乳液，加入混合液中，搅拌一段时间后离心，过滤得到滤渣；
S2、将所述滤渣加入到硅烷偶联剂的乙醇/水混合体系溶液，1000～1500r/min的转速搅拌15～30min后过滤，得到纳米二氧化硅复合改性海泡石粉；
S3、按照质量配比将氧化铁、氧化铬、氧化锑混合细磨，再经煅烧得到固溶体；
S4、按照质量配比将石英，伊利石，半山泥，硅酸锆微粉，白刚玉微粉，硅灰石，碳酸钡，左云土，氧化锰，膨润土，纳米二氧化硅复合改性海泡石粉，固溶体进行湿法球磨配制釉浆，球磨至釉浆的粒径过200～500目筛，筛余为0.2～3wt％，其中过筛后的釉浆中10μm以下颗粒含量不小于50％，20μm以下颗粒含量不小于70％；
S5、加水调节步骤S4所得釉浆比重为1.6～2.0g/cm3。
6.如权利要求5所述的用于特高压瓷绝缘子的釉料的制作方法，其特征在于，步骤S1中所述纳米二氧化硅乳液质量浓度为1.5％～2.5％，加入到混合液中以400～600r/min转速搅拌分散20～50min。
7.如权利要求5所述的用于特高压瓷绝缘子的釉料的制作方法，其特征在于，步骤S1中所述二氧化硅乳液的配制方法为：取纳米二氧化硅、分散剂、消泡剂与润湿剂加入去离子水中，
搅拌分散60～90min，得到纳米二氧化硅乳液。
8.如权利要求5所述的用于特高压瓷绝缘子的釉料的制作方法，其特征在于，步骤S3中混合细磨至过200～500目筛，筛余3％以内；再经氧化气氛在1100～1250℃的温度条件下煅烧，得到固溶体；和/或过氧化锰
步骤S4中湿法球磨的条件为总原料：磨球：水按重量比1：0.8～1.5：0.8～1.5球磨8～15h。
9.如权利要求5所述的用于特高压瓷绝缘子的釉料的制作方法，其特征在于，步骤S4还包括：加入所述研磨后的氮化硼，和/或氮化铝，和/或硫酸钡进行湿法球磨。
10.如权利要求5所述的用于特高压瓷绝缘子的釉料的制作方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂为氨丙基三乙氧基硅烷、缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、硫基丙基三甲氧基硅烷中的一种或多种。
技术说明书
一种用于特高压瓷绝缘子的釉料及其制作方法
技术领域
本技术涉及电瓷绝缘子技术领域，尤其涉及一种用于特高压瓷绝缘子的釉料及其制作方法。背景技术
我国特高压直流输电工程日趋庞大，其设备的安全可靠性是十分重要的。在特高压直流输电系统中绝缘子的使用量非常大，在很大程度上决定输电系统的绝缘水平，决定输电系统的安
全可靠性。所以有必要大力研究绝缘子的材料结构、电气性能、机械性能、长期运行的可靠性，以及各种绝缘子生产厂家的生产制作能力。
传统瓷绝缘子定期停电清扫的防污措施工作量繁重、成本极高，已远远不能满足电力发展的需要；特高压绝缘子体积大、重量重，若继续采用增大绝缘子爬距的方式来防污，无疑给绝缘子的制造带来极大的困难。在绝缘子表面涂敷有机憎水性涂料，或使用憎水硅橡胶复合绝缘子，具有优良的防“污闪”性能，但其防污性能及寿命仍有限。如专利号为201310439668.1的“±1120kV特高压直流棒形瓷绝缘子制备方法”，釉料配方中使用了大量钾长石，其属于脊性原料，不利于其在泥料中均匀分布，从而导致釉料的机、电、热性能得不到充分发挥；在上釉、烧成、胶装完成之后，还要在绝缘子表面喷一层PRTV涂层，以提高绝缘子的耐污性能。但也存在易老化、可击穿、刚度不高、耐候性差等缺陷，对于风沙大、风力强的地区来说，很难保证电网的长期可靠运行。
技术内容
本技术旨在解决上述问题，提供一种用于特高压瓷绝缘子的釉料，使得在绝缘子烧制过程中即可获得防污闪性能高的绝缘子，省去后续的憎水性涂料的涂覆作业过程。采用如下技术方案：
一种用于特高压瓷绝缘子的釉料，包括以下重量份的原料：石英20～33份，伊利石10～18份，半山泥10～15份，硅酸锆微粉10～15份，白刚玉微粉4～7份，纳米二氧化硅1～5份，硅灰石3～6份，碳酸钡1～2份，左云土7～12份，氧化锰5～7份，氧化铁1～2份，氧化铬1～2份，氧化锑3～5份，海泡石粉2～8份，膨润土2～8份。
本技术用于特高压瓷绝缘子的釉料配方，采用多种功能性原料进行复配，赋予绝缘子在特高压直流输电系统的长期可靠应用。
本技术的石英是釉层中形成玻璃网络的主要成分，有利于提高网络的致密程度和硬度。传统釉料中使用长石作为原料之一，其属于脊性原料，不利于其在泥料中均匀分布，从而导致釉料的机、电、热性能得不到充分发挥；配方使用伊利石代替长石，伊利石是常见的一种黏土矿物﹐常是形成其他黏土矿物的中间过渡性矿物，无膨胀性和可塑性。伊利石具有光滑、明
亮、细腻、耐热等优越的化学和物理性能，可提高釉浆的悬浮性和流动性，可作为釉面成型的助剂，改善釉面质量和机械性能。 引入半山泥提高石英用量，经高温处理形成富含微细晶体、气孔含量少、网络结构致密的超高硬度釉玻璃体，抗划伤能力强，釉面硬度高。白刚玉微粉大部分以刚玉微晶形式存在于釉层中，直接提高釉层的硬度，小部分熔入玻璃体，增强玻璃网络，进一步提高硬度；利用硅酸锆在高温状态下不易熔于
釉玻璃体的特性，提高釉层中晶体含量，从而提高釉面硬度。
纳米二氧化硅作为改性海泡石粉的载体与填料，能降低釉料的干燥和烧成收缩，减少弯曲变形，并能起到釉面的骨架作用和提高釉面的机械强度。硅灰石作为填料，纳米二氧化硅和硅灰石熔融过程中不产生气体，缩小绝缘子烧结过程中的气孔，增强釉面的机械弯曲强度；还可有效的减少坯体收缩率，能够降低瓷绝缘子的吸湿膨胀，防止陶瓷坯体的后期干裂，而且具有较高的机械强度和较低的介电损失，还可加快烧结过程的成熟速度，大大降低了单位制品的热损耗。
碳酸钡作为强熔剂，能降低高温状态下釉玻璃体的粘度，利于形成光滑平整的釉面，起到改善釉面质量的作用。左云土有助于形成更多的刚玉晶体和莫来石晶体，可显著提高绝缘子产品的机械强度和电气性能。氧化锰起熔剂、着作用。氧化铁、氧化铬、氧化锑可起到溶剂作用，同时可以形成半导体釉，具有适宜的热膨胀系数，能提高瓷绝缘子的机械强度，并具有坚硬、光滑的表面；同时使得瓷绝缘子具有全长等电压分布效果，还具有更高的污秽耐压性能。
绝缘子烧制过程中会形成堇青石、刚玉晶体、莫来石晶体结构，海泡石粉在烧结时能够与形成的堇青石、刚玉晶体、莫来石晶体结构相互结合，进一步增强了烧结材料的强度，其分散性、造型性和耐高温性能良好，可作为填料填充釉面间隙，增加釉面的机械强度和绝缘性能；同时海泡石粉的抗盐度非常好，使釉面的憎水性能得到显著提高。膨润土作为流变剂，改善釉料流动性，同时作为半导体釉面
成型的助剂，促进半导体釉面的形成，提高釉面质量。海泡石粉与伊利石、氧化铁、氧化铬、氧化锑、膨润土和纳米二氧化硅配合，使得本技术的釉料具有十分优异的耐污均压性能。
本配方使得绝缘子釉面的憎水性能、抗污性能、绝缘性能和机械性能都有显著提高。
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