问题1：
请问片子的体电阻与其硼的掺杂量有什么关系呢 而且为什么电阻率越高的片子他的开路电压越低呢？ 杂质浓度与体电阻是反向相关的
但不是线性相关的关系
因为掺杂浓度到一定量后，载流子的迁移率会下降
杂质浓度与体电阻是反向相关的
我来说一下，不知道正不正确电阻率=1/（q*u*NA），q是单位电荷，u是载流子迁移率，NA是掺杂浓度，基区的掺杂浓度对短路电流和开路电压的影响是相反的，掺杂浓度越大，载流子的迁移率越低，因而少子的扩散系数越低，少子的寿命也降低，因此，掺杂浓度越大，短路电流越小；而对开路电压而言，有一个公式表明掺杂浓度越高，反向饱和电流越小，从而开路电压越大
补充下：VOC和半导体的Eg呈正比关系。掺杂质越多，体内复合越大。 低电阻率有助于提高开压，高电阻率又有助于提高短路电流，两者最好匹配大概为电阻率在1—-3！
电阻率的范围越窄越好，高电阻和低电阻都可以把效率做高，主要是稳定均匀，在扩散时容易做出较平整的PN结，电阻高了少子在通过结区时会少一些复合，但PN结会比较很难做的完好，电阻低了少子寿命会短一些，但PN结会做的很平整，电阻率的高低不是主要的，主要是有相应的工艺去与之配套，想有稳定的工艺就的有稳定的电阻率。
一般电池片硅片电阻率是以10为分界线小于10 越小,Voc,FF越大,短路电流会有所下降.但不明显,所以总功率是变大的.理论计算得出在0.3--0.5电池片的效率是最佳.当小于0.3进一步减小,Isc迅速下降,是因为少子变小的原因.当电阻率大于10进一步加大Voc,FF下降,短路电流不变. 问题2：
最近出来几个锭，电阻率都大于10了，同时寿命也高的离奇，顶部反型。谁知道这是什么原因吗？请不吝赐教，谢谢了。
这个问题我想我可以回答。
1、顶部反型，可以说明料里面基磷多、原料电阻率应该是比较低的。即使掺入合金什么的，由于和硼的相互补偿，多余的电子和空穴进行复合，形成载流子的电子就少了，所以显示电阻率高。
2、像这种补偿较大的单晶，少子寿命是非常高的，因为能够进行复合的电子或空穴数量本身就没那么多了。虽然少子寿命很高，但是后期制成电池片后，它的光衰减非常之大，使用期限远远达不到15年或者10年，属于掩人耳目的一种片子。建议做电池片的要睁大眼睛！
加入的料里混入了N型料，不仅仅是N型硅料而且还是电阻率很低的硅料
电阻高，顶部反型，说明料中的P含量高
金属元素在缺陷处沉积能极大的降低了硅的电学性能，而P具有吸杂的效果（具体是怎么作用的不清楚），所以少子寿命会有提升。
应该是硅锭中杂质太多，顶部反型。同时氧施主的现像也比较严重，会导致电阻失真，建议退火后在看看实际的电阻值。应该这种情况是假像！
顶部电阻率高 并且反型 主要是硅料中P含量超标所致
少子寿命偏高 到有些反常，由于定向分凝，顶部的金属杂志含量应该很高，并且碳和氮含量也应该很高，少子复合严重，寿命比较低才对。磷有一定的吸杂作用 但也没有这么夸张
氧施主大的话，会显示反型。少子寿命没那么夸张的
高度补偿的话，寿命高很正常，不需要去管单晶是N型或P型。不是说单N型金属离子就使得寿命高，切记
“ 不是说单N型金属离子就使得寿命高？”不太明白。我觉得金属离子大多情况下都是深能级，但具体有哪些会导致N型还有具体机理我不太清楚，请问您知道吗？谢谢指教。
大多数属于深能级的为过渡重金属离子，所以你说的并不是很精确。如果重金属离子多的话，那么少子寿命会少的可怜的。这个跟P金属又不一样的
问题3：
P100单晶硅电阻率为什么要退火后才是真实的，哪位大侠能详解下其中的理论基础啊
因为硅晶体有氧施主，使得电阻率从头到尾的电阻率分布失真，通过退火能消除氧施主，使电阻率的分布得到还原。
印象中 重掺重金属杂质也会造成少子寿命虚高，退火就露出原型了
对，就是氧的原因。因为在450度使会有热施主出现，在700度会有新施主出现。在600度左右退火会消除这种施主效应，从而使真实的电阻率出来
因为硅晶体有氧施主，使得电阻率从头到尾的电阻率分布失真，通过退火能消除氧施主，使电阻率的分布得到还原。
退火：680度以上，半小时以上。650度以上，1小时以上
问题4：
各位大侠，有谁知道目前多晶156被分割成25个锭之后，每个锭之间电阻率和少子寿命的差异会有多少？特别是中间锭与边缘锭之间的差异一般会在多少？
电阻率差别不大，一般没有影响，寿命边缘的低些，尤其是四个角的。
电阻率基本都差不多，少子寿命的话应该是第二圈的相对好一点，最中心的和边缘的都会稍差一点！
电阻率几乎没有什么变化，少子寿命靠近坩埚面基本会小于1，因为靠近坩埚，在融化长晶的时候有大量杂质会排往头尾和边缘，所以检测的时候不能测靠近坩埚面，具体可以加我QQ328954939，详细告诉你
电阻率：纵向小于0.4，横向小于0.1少子寿命范围控制在2到3
对于硅片，复合机制是间接复合，复合速率应该用SRH方程来计算，而不是直接复合的公式得到的少子寿命1/(r.n)来计算。在我们太阳能硅片的电阻率范围内SRH公式可以简化为1/(r.Nt), 其中Nt为深能级杂质浓度。所以少子寿命直接和深能级杂质相关，越高少子寿命越小。而不是电阻率。
问题5：
电阻率对电池性能影响
∙导致电阻率高低的因素有哪些？
∙不同因素对将来电池的性能都会有哪些影响？
∙拉晶过程如何控制各种因素的影响？
∙电阻率在什么范围对电池性能的发挥最有帮忙？
∙其中热施主效应引起的电阻率偏高，其原理是什么？对电池性能是否会有影响？所谓的退货是否能够完全避免其对电池的影响呢？此效应对电池长时间使用性能是否会产生负面影响？
∙
∙纯净的硅电阻率很高的,高度补偿的也高
∙电阻率会直接影响开压，电阻率在合适的范围内才能得到较好的开压。太高或太低都不行。
∙电阻率对电池效率有一定的影响，电阻率低一般（工艺不调整的化）电压会高一点，电池率高的电流会高一点，但是都有一定的范围，一般1-1.2的电阻率可以做的很好，现在的工
艺也在不断的变化，有的工厂也能做电阻率很高的片子，以前硅片的要求电阻率的范围0.5-3 现在好像是0.5-6 了吧，可能看一些基础方面的书了解一下。
∙基区电阻低可以提高开路电压，从而提高转换效率，但是电阻太高会产生高掺杂效应，所以硅片的电阻率是有一定范围的。
∙电阻率高=掺杂浓度低，低电阻率才会产生重掺效应，一般大于10e19的时候
所谓电阻率，就是某种物体单位长度及单位截面积的体积内的电阻值。电阻率越小，越容易导电；反之，电阻率越大，越难导电。
硅片是电池板的材料，是不是更容易导电更好？如果是，那为什么把低电阻率的硅料划为重掺？
掺杂越重，电阻率应该越小，而此时少子寿命应该相应的降低了，因为很容易就碰到多子而复合了，所以为什么太阳能电池的掺杂浓度和少子寿命需要一个折中方案
光激发==》非平衡少子产生==》电导率增加==》电阻率下降==》电压变化==》检测仪器测出电压衰减曲线==》得出少子寿命
>开路电压
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