证券研究报告 | 行业点评
电子
2022年06月08日
内容目录
4. 风险提示 (6)
图表目录
图1：中低压MOSFET渠道价格（元/个） (4)
图2：中高压MOSFET渠道价格（元/个） (4)
图3：IGBT单管渠道价格跟踪（元/个） (4)
图4：650V SiC肖特基二极管与硅基FRD报价对比（元/安培） (5) 图5：1200V SiC肖特基二极管与硅基FRD报价对比（元/安培） (5)
图6：650V SiC MOSFET与硅基IGBT单管报价对比（元/安培） (5)
高压mos管
图7：1200V SiC MOSFET与硅基IGBT单管报价对比（元/安培） (5)
表1：2022年6月IGBT单管与SiC MOSFET产品渠道报价对比 (5)
中低压MOSFET 价格整体稳定，高压MOSFET 部分料号有涨价。根据正能量电子网显示的功率器件渠道报价，我们梳理了MOSFET 等产品的主要海外厂商的价格情况。从MOSFET 产品来看，中低压小信号MOSFET 价格自21Q4下行以来，目前价格已经稳定。中高压MOSFET 方面，整体稳中有涨。例如，安森美150V 的沟槽型产品价格保持稳定，而其500V 的超级结产品价格继续保持高位。英飞凌的100V 车规产品在5月环比4月有小幅上涨，显示车规需求仍较好。
资料来源：bom.ai 、德邦研究所
资料来源：bom.ai 、德邦研究所
2. IGBT 单管渠道价格跟踪
IGBT 单管价格稳定。我们选取600V 、1200V 各两款产品以跟踪IGBT 单管目前的市场情况。从数据可以看出，进入Q2后IGBT 单管价格保持稳定，其中1200V 产品价格环比持平，而安森美和英飞凌的600V 产品环比Q1仍有一定上涨。由于IGBT 单管下游应用领域广泛，包括工业、光伏、充电桩、汽车等，所以预计在需求景气带动下，IGBT 单管价格今年仍将保持在高位。
图3
：IGBT 单管渠道价格跟踪（元/个）
资料来源：bom.ai 、德邦研究所
0.0
0.51.01.52.0
2.520-0620-0720-0820-0920-1020-1120-1221-0121-0221-0321-0421-0521-0621-0721-0821-0921-1021-1121-1222-0122-0222-0322-0422
-05
安森美，60V 115mA 扬杰MCC ，60V 115mA 安森美，50V 200mA
安森美，100V 170mA
204060800
510
15
20253020-0620-0720-0820-0920-1020-1120-1221-0121-0221-0321-0421-0521-0621-0721-0821-0921-1021-1121-1222-0122-0222-0322-
0422-05
安森美，150V 35A
威世，500V 20A
安森美，超结MOS 500V 28A
英飞凌，车规100V 300A （右轴）
2040608010012020-06
20-07
20-08
20-09
20-10
20-11
20-12
21-01
21-02
21-03
21-04
21-05
21-06
21-07
21-08
21-09
21-10
21-11
21-12
22-01
22-02
22-03
22-04
22-05
安森美，1200V 40A 英飞凌，1200V 25A 英飞凌，600V 75A
安森美，600V 120A
SiC 器件报价在持续下降，并与硅基器件价差逐渐缩小。根据CASA Research 统计的半导体器件经销商网上平均报价（元/安培）来看，SiC 肖特基二极管（SBD ）以及SiC MOSFET 器件近年来在逐步下降，其中650V SiC SBD 报价在2018~2020年的复合降幅达到25%，而650V SiC MOSFET 的复合降幅为32%。由于SiC 器件价格的下降，其与硅基器件的价差也在逐渐缩小。
高压领域SiC 与硅基价差缩小更明显。根据元器件经销商的数据，我们选取了650V 和1200V 分别一款IGBT 单管和SiC MOSFET 产品价格进行对比。在650V 产品上，SiC MOSFET 产品的渠道报价是IGBT 单管的3.8倍，而1200V 产品上，SiC MOSFET 的渠道报价是IGBT 单管的3.5倍，显示高压领域，SiC MOSFET 价格差距要更小一点。根据CASA Research 的说法，SiC 器件的实际成交价基本约为公开报价的60%-70%，所以我们预计SiC 与硅基器件的实际成交价差距可能缩小至3倍以下。
资料来源：Mouser ，Digi-Key ，CASA Research ，德邦研究所
资料来源：Mouser ，Digi-Key ，CASA Research ，德邦研究所
资料来源：Mouser ，Digi-Key ，CASA Research ，德邦研究所 资料来源：Mouser ，Digi-Key ，CASA Research ，德邦研究所
表1：2022
年6月IGBT 单管与SiC MOSFET 产品渠道报价对比
产品型号
原厂厂商 产品类型 产品参数
渠道含税报价（元/个）
RGT80TS65DGC13 Rohm IGBT 单管
650V 70A 49.86 SCT3030AW7TL Rohm SiC MOSFET 650V 70A
188.39 IKY50N120CH3XKSA1 英飞凌 IGBT 单管 1200V 100A 76.95 C3M0021120K
Wolfspeed
SiC MOSFET
1200V 100A
265.88
资料来源：Mouser ，德邦研究所；数据取各个料号的最低价格
0.0
2.0
4.06.0
2017
2018
2019
2020
650V SiC 肖特基二极管
650V Si FRD
0.0
2.04.0
6.0
8.02017
2018
2019
2020
1200V SiC 肖特基二极管
1200V Si FRD
0.0
2.0
4.0
6.0
2018
2019
2020
650V SiC MOSFET
650V Si IGBT
0.0
2.0
4.06.0
8.02018
2019
2020
1200V SiC MOSFET
1200V Si IGBT
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