包括存储装置的测试系统的制作方法

1.本公开涉及一种包括存储装置的测试系统，更具体地涉及一种包括存储装置的测试系统，所述存储装置均包括操作部件。

背景技术：

2.存储装置可以包括其中存储数据的存储单元阵列、被配置为对存储单元阵列中包括的存储单元进行编程、读取或擦除的外围电路以及能够基于命令控制外围电路的控制电路。
3.在存储装置的制造步骤中，将执行编程操作、读取操作和擦除操作的各种初始设定值存储在存储装置中。例如，初始设定值可以是起始编程电压、阶跃电压和通过电压的默认值。
4.在完成存储装置的制造之后，可以对存储装置执行测试操作，并且可以根据测试操作的结果将测试结果值反映在存储装置中存储的初始设定值上。为此，可以使用测试装置。
5.为了将测试结果值反映在初始设定值上，测试装置可以执行从存储装置获得初始设定值的读取操作、操作初始设定值和测试结果值的操作以及用于将操作后的设定值存储在存储装置中的存储操作。
6.然而，当存在要反映测试值的多个存储装置时，由于需要对每个存储装置执行上述操作，所以反映测试值的操作时间会增加。

技术实现要素：

7.根据本公开的一个实施方式的一种测试系统包括：存储装置，所述存储装置被配置为存储用于执行正常操作的初始设定值；以及测试装置，所述测试装置被配置为产生包括作为所述存储装置的测试操作的结果的测试值的操作命令集，并且被配置为将所述操作命令集发送到所述存储装置，其中，所述存储装置基于所述操作命令集通过使用所述测试值来执行操作，用作为所述操作的结果而产生的操作值替换所述初始设定值，并且存储所述操作值。
8.根据本公开的另一实施方式的一种测试系统包括：命令发生器，所述命令发生器被配置为基于不同的操作使能信号而输出操作命令；地址选择器，所述地址选择器被配置为输出其中存储有待改变的初始设定值的寄存器的地址；合并电路，所述合并电路被配置为当接收到测试值时，输出包括所述操作命令、所述地址和所述测试值的操作命令集；以及存储装置，所述存储装置被配置为通过基于所述操作命令集而执行操作来产生操作值，并且被配置为用所述操作值替换所述寄存器中存储的初始设定值。
附图说明
9.图1是示出根据本公开的一个实施方式的测试系统的图。
10.图2是示出根据本公开的一个实施方式的测试装置的图。
11.图3是示出根据本公开的一个实施方式的命令发生器的图。
12.图4是示出根据本公开的一个实施方式的地址选择器的图。
13.图5是示出根据本公开的一个实施方式的存储装置的图。
14.图6是具体示出根据本公开的一个实施方式的控制电路的图。
15.图7是示出根据本公开的一个实施方式的控制逻辑的操作方法的图。
16.图8是具体示出根据本公开的一个实施方式的寄存器组的图。
17.图9是示出根据本公开的一个实施方式的寄存器中存储的值的操作方法的图。
18.图10是具体示出根据本公开的另一实施方式的寄存器组的图。
19.图11是示出根据本公开的另一实施方式的寄存器中存储的值的操作方法的图。
20.图12是示出根据传统方法的存储系统的图。
21.图13和图14是示出根据本公开的一个实施方式的测试系统的操作方法的图。
22.图15是示出在不同晶圆中制造的管芯上反映测试结果值的方法的图。
23.图16是示出在不同封装芯片上反映相同测试结果值的方法的图。
24.图17是示出在不同封装芯片上反映不同测试结果值的方法的图。
具体实施方式
25.下文将参照附图描述本公开的各种实施方式。然而，本文描述的实施方式仅用于说明目的，而并不旨在限制本公开的范围。
26.应当理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件和另一个元件。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，一些实施方式中的第一元件可以在其它实施方式中被称为第二元件。
27.此外，应当理解，当一个元件被称为“连接”或“联接”到另一个元件时，它可以直接连接或联接到另一个元件，或者可以存在中间元件。相反，当一个元件被称为“直接连接”或“直接联接”到另一个元件时，不存在中间元件。
28.本公开的一个实施方式提供了一种测试系统，该测试系统能够快速地操作测试结果值和初始设定值，并且快速地将由操作产生的操作值存储在存储装置中。
29.根据本技术，多个存储装置根据从测试装置输出的操作命令集来操作测试值和初始设定值，并且独立地存储由操作产生的操作值。因此，可以缩短改变多个存储装置中存储的初始设定值所需的时间。
30.图1是示出根据本公开的一个实施方式的测试系统的图。
31.参照图1，测试系统1000可以包括多个存储装置md1至mdn(n是正整数)和测试装置2000。尽管图1中示出多个存储装置md1至mdn，但是一个存储装置可以连接到测试装置2000。
32.存储装置md1至mdn可以是能够存储数据的装置，并且可以由非易失性存储装置或易失性存储装置构成。非易失性存储装置可以是即使切断电源也保持存储的数据的装置，并且易失性存储装置可以是当切断电源时存储的数据会被损坏的装置。
33.测试装置2000可以基于第一操作使能信号1op_en至第m操作使能信号mop_en(m是
正整数)、设定值类型信息s_info和测试值t_val输出操作命令集op_cmds。测试装置2000可以不操作测试值t_val，并且可以输出具有测试值t_val的操作命令集op_cmds。
34.存储装置md1至mdn可以基于操作命令集op_cmds同时执行操作初始设定值和测试值t_val的操作，然后同时存储操作的值。不同存储装置md1至mdn中存储的初始设定值可以彼此不同或者可以彼此相同。另一方面，一些初始设定值可以彼此相同，而其余的值可以彼此不同。
35.由于根据本实施方式的测试装置2000可以不独立地执行操作，而存储装置md1至mdn可以独立地执行操作，所以可以缩短在存储装置md1至mdn上反映测试值t_val的操作所需的时间。
36.图2是示出根据本公开的一个实施方式的测试装置的图。
37.参照图2，测试装置2000可以包括命令发生器2100、地址选择器2200和合并电路2300。
38.命令发生器2100可以基于第一操作使能信号1op_en至第m操作使能信号mop_en输出对应于所选操作的操作命令op_cmd。相应的第一操作使能信号1op_en至第m操作使能信号mop_en可以是对应于不同操作的信号。这里，操作可以是逻辑操作，例如and、or或xor操作。例如，第一操作使能信号1op_en可以是对应于and逻辑操作的信号，第二操作使能信号2op_en可以是对应于or逻辑操作的信号。可选地，操作可以是算术操作，例如加法操作、减法操作、乘法操作或除法操作。命令发生器2100可以基于输入的第一操作使能信号1op_en至第m操作使能信号mop_en，输出对应于所选逻辑操作的操作命令op_cmd。第一操作使能信号1op_en至第m操作使能信号mop_en可以是选择不同逻辑操作的信号，并且可以根据测试操作的结果来确定。例如，当需要基于第一存储装置md1至第n存储装置mdn的测试操作结果对初始设定值和测试值t_val执行and操作时，可以激活第一操作使能信号1op_en，并且可以停用所有其余的第二操作使能信号2op_en至第m操作使能信号mop_en。命令发生器2100可以输出与第一操作使能信号1op_en至第m操作使能信号mop_en中的激活信号相对应的操作命令op_cmd。
39.地址选择器2200可以基于设定值类型信息s_info输出地址add。设定值类型信息s_info可以是基于测试结果而选择的改变目标值的类型。例如，改变目标值的类型可以包括起始编程电压、阶跃电压、通过电压、读取电压、擦除电压等。因此，设定值类型信息s_info可以是关于起始编程电压、阶跃电压、通过电压、读取电压和擦除电压中的任何一个的信息。此外，设定值类型信息s_info可以是关于存储装置的各种操作所需的各种值中的任何一个的信息。
40.地址选择器2200可以存储对应于各种设定值的地址，并且可以输出对应于输入的设定值类型信息s_info的地址add。这里，地址add可以是存储装置中包括的寄存器中的存储有初始设定值的寄存器的地址。
41.当输入测试值t_val时，合并电路2300可以将操作命令op_cmd、地址add和测试值t_val合并成一个操作命令集op_cmds，并且可以输出操作命令集op_cmds。这里，测试值t_val可以是基于存储装置的测试操作的结果而计算的值，并且可以是用于改变存储装置中存储的初始设定值的值。当输入操作命令op_cmd、地址add和测试值t_val时，合并电路2300可以将输入的操作命令op_cmd、地址add和测试值t_val合并成一个操作命令集op_cmds，并
且可以输出操作命令集op_cmds。例如，操作命令集op_cmds中包括的操作命令op_cmd、地址add和测试值t_val可以通过合并电路2300的输出线路顺序输出。
42.图3是示出根据本公开的一个实施方式的命令发生器的图。
43.参照图3，命令发生器2100可以包括操作选择器3100和操作命令寄存器3200。
44.操作选择器3100可以基于第一操作使能信号1op_en至第m操作使能信号mop_en而输出所选使能信号sl_en。例如，操作选择器3100可以由多路复用器构成。当输入第一操作使能信号1op_en至第m操作使能信号mop_en时，操作选择器3100可以将输入信号中的激活信号作为所选使能信号sl_en输出。可选地，操作选择器3100可以被配置为输出基于输入的第一操作使能信号1op_en至第m操作使能信号mop_en的组合而选择的使能信号sl_en。
45.操作命令寄存器3200可以包括具有对应于所选使能信号sl_en#的各种操作命令#_cmd的表。当输入所选使能信号sl_en时，操作命令寄存器3200可以输出表的与所选使能信号sl_en#中的输入的所选使能信号sl_en对应的操作命令#_cmd。例如，当接收到对应于and操作的所选使能信号sl_en时，操作命令寄存器3200可以从表中输出对应于and操作的and操作命令and_cmd作为操作命令op_cmd。作为另一示例，当接收到对应于xor操作的所选使能信号sl_en时，操作命令寄存器3200可以从表中输出对应于xor操作的xor操作命令xor_cmd作为操作命令op_cmd。
46.图4是示出根据本公开的一个实施方式的地址选择器的图。
47.参照图4，地址选择器2200可以包括对应于各种设定值类型信息s_info的地址add的表。设定值类型信息s_info可以是关于存储装置中存储的初始设定值的信息。例如，设定值类型信息s_info可以包括起始编程电压start vpgm、阶跃电压vstep、通过电压vpass、读取电压vread和擦除电压verase等。可以将不同地址add分配给相应的设定值类型信息s_info。例如，可以将第一地址ad01分配给起始编程电压start vpgm，并且可以将第二地址ad02分配给阶跃电压vstep。当接收到设定值类型信息s_info时，地址选择器2200可以输出分配给接收到的设定值类型信息s_info的地址add。例如，当接收到对应于起始编程电压start vpgm的设定值类型信息s_info时，地址选择器2200可以输出分配给起始编程电压start vpgm的第一地址ad01。
48.图5是示出根据本公开的一个实施方式的存储装置的图。
49.参照图5，由于图1所示的第一存储装置md1至第n存储装置mdn可以彼此相同地配置，所以在图5中作为一个实施方式示出第n存储装置mdn。
50.第n存储装置mdn可以包括存储单元阵列100、电压发生器200、读写电路300、输入输出电路400和控制电路500。
51.存储单元阵列100可以包括多个存储块，并且多个存储块中的每一个可以包括多个存储单元。
52.电压发生器200可以基于电压代码volcd输出各种操作电压vop。例如，电压发生器200可以基于电压代码volcd而产生编程电压、通过电压、读取电压或擦除电压，并且可以输出产生的电压作为操作电压vop。
53.读写电路300可以存储通过数据线dl从外部装置输入的数据，并且可以基于控制信号consig通过位线bl来感测存储单元的数据。
54.输入输出电路400可以通过输入输出线路io连接到外部装置，并且可以通过输入
输出线路io从外部装置接收操作命令集op_cmds。这里，外部装置可以是图1的测试装置2000。操作命令集op_cmds可以包括操作命令op_cmd、地址add和测试值t_val。当接收到操作命令集op_cmds时，输入输出电路400可以将操作命令集op_cmds中包括的操作命令op_cmd、地址add和测试值t_val发送到控制电路500。
55.控制电路500可以基于从输入输出电路400输出的命令而输出电压代码volcd和控制信号consig。然而，当接收到操作命令op_cmd时，控制电路500可以不输出电压代码volcd和控制信号consig，并且可以通过执行内部操作来存储设定值。为此，控制电路500可以包括控制逻辑510、操作组件520和寄存器组530。
56.控制逻辑510可以基于操作命令op_cmd选择逻辑操作逻辑。操作组件520可以接收地址add和测试值t_val，并且可以基于所选逻辑操作逻辑来执行操作。寄存器组530可以存储初始设定值，并且可以存储由操作组件520产生的操作值。
57.控制电路500可以通过使用寄存器组530中存储的操作值来执行编程操作、读取操作或擦除操作。控制电路500更具体地描述如下。
58.图6是具体示出根据本公开的一个实施方式的控制电路的图。
59.参照图6，控制电路500可以包括控制逻辑510、操作组件520和寄存器组530。
60.控制逻辑510可以基于操作命令op_cmd输出操作代码opcd。操作代码opcd可以是具有多个位的代码，并且对应于输入的操作命令op_cmd的代码可以作为操作代码opcd输出。例如，当操作命令op_cmd是对应于and操作的命令时，控制逻辑510可以输出用于执行and操作的操作代码opcd。
61.操作组件520可以基于操作代码opcd来选择操作算法，并且可以基于所选操作算法通过使用地址add和测试值t_val来执行操作。例如，当输入操作代码opcd、地址add和测试值t_val时，操作组件520可以从寄存器组530接收对应于地址add的初始设定值int_val，可以基于所选算法来操作初始设定值int_val和测试值t_val，并且可以产生操作值op_val。操作组件520可以将由操作产生的操作值op_val输出到寄存器组530。
62.寄存器组530可以包括存储有初始设定值int_vals的多个寄存器。不同的地址可以分别分配给多个寄存器。因此，寄存器组530可以输出与操作组件520请求的地址add对应的初始设定值int_val，并且可以将从操作组件520输出的操作值op_val存储在与地址add对应的寄存器中。也就是说，当输入操作值op_val时，寄存器组530可以用操作值op_val替换初始设定值int_val，并且可以存储操作值op_val。可以在存储装置的测试操作之后的正常操作期间将寄存器组530中存储的操作值op_val用作各种设定值。
63.图7是示出根据本公开的一个实施方式的控制逻辑的操作方法的图。
64.参照图7，当输入操作命令op_cmd时，图6的控制逻辑510可以确定与输入的操作命令op_cmd对应的操作(步骤s51)。当确定输入操作命令op_cmd是用于第一操作op1的命令时，控制逻辑510可以选择对应于第一操作op1的操作(步骤s52)。当确定输入的操作命令op_cmd是用于第二操作op2的命令时，控制逻辑510可以选择对应于第二操作op2的操作(步骤s53)。当确定输入的操作命令op_cmd是用于第三操作op3的命令时，控制逻辑510可以选择对应于第三操作op3的操作(步骤s54)。
65.随后，控制逻辑510可以输出对应于所选操作的操作代码opcd(s55)。在图7中，仅公开了第一操作op1至第三操作op3，但是由于图7所示的流程图是帮助理解本实施方式的
图，可以包括更多操作。操作代码opcd可以包括多个位，并且可以基于所选操作包括不同的代码。
66.图8是具体示出根据本公开的一个实施方式的寄存器组的图，并且图9是示出根据本公开的一个实施方式的寄存器中存储的值的操作方法的图。
67.参照图8，寄存器组530可以包括其中存储有初始设定值int_val#的寄存器reg#。例如，寄存器reg#可以包括多个寄存器reg01、reg02、
……
。不同的地址ad01、ad02、
……
可以分别分配给多个寄存器reg01、reg02、
……
。例如，第一地址ad01可以分配给第一寄存器reg01，并且可以存储用于编程pgm操作的多个设定值中的任何一个的第一初始设定值int_val_01。在这样的方法中，与编程pgm操作相关的第一初始设定值int_val_01至第三初始设定值int_val_03可以分别存储在第一寄存器reg01至第三寄存器reg03中，并且与读取操作相关的第四初始设定值int_val_04至第六初始设定值int_val_06可以分别存储在第四寄存器reg04至第六寄存器reg06中。第七寄存器reg07可以存储对应于可以在操作中用作变量的掩码数据的第七初始设定值int_val_07。第一寄存器reg01至第七寄存器reg07中的每一个可以具有能够存储多个位的容量。例如，当第一寄存器reg01至第七寄存器reg07中的每一个具有10位的容量时，10位的第一初始设定值int_val_01可以存储在第一寄存器ref01中，或者可以存储10位中的一些位用作有效数据vd的第一初始设定值int_val_01。可以基于其它寄存器中存储的有效数据vd来设定可以用作掩码数据的第七初始设定值int_val_07。例如，当第一寄存器reg01至第六寄存器reg06中存储的有效数据vd是6位时，第七初始设定值int_val_07还可以包括与存储有效数据vd的位对应的有效值1。此时，与其余位对应的无效值可以是0。
68.参照图9，当输入到图6的操作组件520的图6的地址add是分配给第一寄存器reg01的地址时，操作组件520可以从图8的寄存器组530接收第一寄存器reg01中存储的第一初始设定值int_val_01，并且可以基于第一初始设定值int_val_01和测试值t_val来执行操作。例如，假设对应于测试值t_val的地址是第七地址ad07，操作组件520可以通过对第一寄存器reg01和第七寄存器reg07中存储的第一初始设定值int_val_01和第七初始设定值ivt_val_07执行操作来产生操作值op_val。由操作组件520执行的操作可以是基于操作代码opcd执行的逻辑操作(and、or、xor、
……
)。例如，当操作代码opcd是执行and操作的代码时，操作组件520可以通过对第一初始设定值int_val_01和第七初始设定值ivt_val_07执行and操作来产生操作值op_val。作为另一示例，当操作代码opcd是执行or操作的代码时，操作组件520可以通过对第一初始设定值int_val_01和第七初始设定值ivt_val_07执行or操作来产生操作值op_val。可选地，操作组件520可以通过使用多个算术操作来执行诸如加法操作、减法操作、除法操作或乘法操作的操作。当产生操作值时，操作组件520可以将操作值op_val发送到寄存器组530。寄存器组530可以将从操作组件520输出的操作值op_val存储在第一寄存器reg01中。也就是说，可以将第一寄存器reg01中存储的第一初始设定值int_val_01改变为操作值op_val。因此，可以在测试操作完成之后执行的正常操作中使用第一寄存器reg01中存储的操作值op_val。
69.图10是具体示出根据本公开的另一实施方式的寄存器组的图，并且图11是示出根据本公开的另一实施方式的寄存器中存储的值的操作方法的图。
70.参照图10，寄存器组530可以存储对应于相同类型的多个初始设定值。例如，假设
可以用作起始编程电压start vpgm的第一初始设定值int_val_01至第六初始设定值int_val_06分别存储在寄存器组530的第一寄存器reg01至第六寄存器reg06中。可以将第一初始设定值int_val_01至第六初始设定值int_val_06设定为基于存储装置的操作条件进行选择。对应于掩码数据的第七初始设定值int_val_07可以存储在第七寄存器reg07中，并且用作通过电压vpass的第八初始设定值int_val_08至第十二初始设定值int_val_12可以分别存储在第八寄存器reg08至第十二寄存器reg12中。除了图10所示的电压之外，可以用于诸如编程、读取或擦除之类的操作的电压可以存储在针对每个电平的不同寄存器中。
71.参照图11，寄存器中存储的一些初始设定值可能会通过操作而变成无效数据。例如，当输入到图6的操作组件520的图6的地址add提供分配给第一寄存器reg01和第二寄存器reg02的地址时，操作组件520可以接收第一寄存器reg01和第二寄存器reg02中存储的第一初始设定值int_val_01和第二初始设定值int_val_02，并且可以基于第一初始设定值int_val_01和第二初始设定值int_val_02以及测试值t_val来执行操作。例如，可以将第七初始设定值int_val_07设定为无效数据，并且可以将通过使用第七初始设定值int_val_07执行所选操作产生的操作值设定为变成无效数据。
72.也就是说，当基于存储装置的测试操作结果将设定为起始编程电压start vpgm的电压中不会使用的电压处理为无效时，操作组件520可以通过使用地址add和测试值t_val执行操作来使所选寄存器中存储的初始设定值无效。可选地，操作组件520可以通过执行操作来增加或减少所选类型的所有电压，并且可以增加或减少所选类型的一些电压。由操作组件520产生的操作值或无效数据可以存储在寄存器组530的每个寄存器中。
73.图12是示出根据传统方法的存储系统的图。
74.参照图12，在根据传统方法的测试系统1000_p中，能够基于第一管芯di1至第n管芯din(n是正整数)的测试操作的结果来操作初始设定值的操作组件520可以仅包括在测试装置3000中。也就是说，由于能够操作初始设定值并且存储操作值的操作组件520未包括在第一管芯di1至第n管芯din中，所以为了将测试值存储到第一管芯di1至第n管芯din，可以执行多个读取操作和数据传输操作(
①
、
②
、
③
、
④
、
…
)中的每一个。这里，管芯可以是图1所示的存储装置。例如，当开始改变存储在第一管芯di1至第n管芯din中的每一个中的初始设定值的操作时，测试装置3000可以从第一管芯di1读取初始设定值(
①
)。测试装置3000可以通过使用操作组件520来操作读取的初始设定值并且将通过操作产生的操作值发送到第一管芯di1(
②
)。当操作值存储在第一管芯di1中时，测试装置3000可以从第二管芯di2读取初始设定值(
③
)，并且可以将操作值发送到第二管芯di2(
④
)。在这种方法中，当测试装置3000执行改变第一管芯di1至第n管芯din中的每一个的初始设定值的操作时，完成每个管芯的读取操作和操作值传输操作两者所需的时间可能增加。此外，随着管芯数量的增加，在管芯上反映操作值所需的时间可能增加。
75.相反，当应用本公开的上述实施方式时，可以缩短测试系统的操作时间。
76.图13和图14是示出根据本公开的一个实施方式的测试系统的操作方法的图。
77.参照图13，在根据本实施方式的测试系统1000中，由于第一管芯di1至第n管芯din中的每一个中包括操作组件520，所以可以省略读取操作和操作值传输操作，因此可以缩短测试系统的操作时间。例如，当测试装置2000输出操作命令集op_cmds时，操作命令集op_cmds可以同时发送到第一管芯di1至第n管芯din(
①
)。随后，第一管芯di1至第n管芯din中
的每一个可以基于操作命令集op_cmds通过使用操作组件520来执行操作，并且可以存储由操作产生的操作值(
②
)。因此，根据本实施方式，由于在第一管芯di1至第n管芯din内部同时操作各个第一管芯di1至第n管芯din中存储的初始设定值，并且同时存储操作值，所以可以缩短测试系统1000的操作时间。
78.此外，即使第一管芯di1至第n管芯din中存储的初始设定值是相同类型，也可以基于管芯设定不同的值。在这种情况下，即使在不同管芯中存储的初始设定值不断改变的情况下，管芯中的每一个也可以基于操作命令集op_cmds而同时改变初始设定值。
79.参照图14，对应于第一电平lev01至第六电平lev06的起始编程电压start vpgm可以作为初始设定值存储在第一管芯di1的第一寄存器reg01至第六寄存器reg06中。相反，对应于第三电平lev03至第八电平lev08的起始编程电压start vpgm可以作为初始设定值存储在第二管芯di2的第一寄存器reg01至第六寄存器reg06中。如上所述，当存储在第一管芯di1和第二管芯di2中的初始设定值彼此不同时，第一管芯di1和第二管芯di2可以同时接收操作命令集op_cmds并且可以执行操作。通过基于操作命令集op_cmds中包括的地址和测试值执行操作，可以将初始设定值从第一寄存器reg01中存储的值改变为第三寄存器reg03中存储的值。也就是说，可以在第一管芯di1中将第三寄存器reg03中存储的第三电平lev03设定为起始编程电压start vpgm，并且可以在第二管芯di2中将第三寄存器reg03中存储的第五电平lev05设定为起始编程电压start vpgm。
80.图15是示出在不同晶圆中制造的管芯上反映测试结果值的方法的图。
81.参照图15，当在不同晶圆151、152和153中制造的管芯di1至din的初始设定值改变时，测试装置2000可以针对每个晶圆向管芯di1至din发送不同的操作命令集。也就是说，当三个不同晶圆151、152和153的测试结果不同时，测试装置2000可以输出不同的操作命令集，以针对每个晶圆同时改变每个晶圆中制造的管芯的初始设定值。
82.例如，当在第一晶圆151至第三晶圆153的每一个中制造的管芯di1至din的测试结果彼此不同时，测试装置2000可以向在第一晶圆151中制造的管芯di1至din发送第一操作命令集1op_cmds，可以向在第二晶圆152中制造的管芯di1至din发送第二操作命令集2op_cmds，并且可以向在第三晶圆153中制造的管芯di1至din发送第三操作命令集3op_cmds。
83.第一操作命令集1op_cnds至第三操作命令集3op_cmds中的每一个可以包括操作命令op_cmd、地址add和测试值t_val。不同操作命令集中包括的操作命令op_cmd、地址add和测试值t_val中的至少一个或更多个可以具有不同的值。例如，测试装置2000可以输出具有第一操作命令1op_cmd、第一地址1add和第一测试值1t_val的第一命令集1op_cmds，以将第一晶圆151中包括的管芯di1至din中的起始编程电压的初始设定值增加2v，可以输出具有第二操作命令2op_cmd、第二地址2add和第二测试值2t_val的第二命令集2op_cmds，以将第二晶圆152中包括的管芯di1至din中的通过电压的初始设定值降低0.5v，并且可以输出具有第三操作命令3op_cmd、第三地址3add和第三测试值3t_val的第三命令集3op_cmds，以将第三晶圆153中包括的管芯di1至din中的施加到字线的编程电压的时间的初始设定值减小0.5ms。
84.图15所示的第一操作命令集1op_cnds至第三操作命令集3op_cmds有助于理解本公开的实施方式，因此第一操作命令集1op_cnds至第三操作命令集3op_cmds可以在改变各种初始设定值的测试操作中以各种方法使用。
85.图16是示出在不同封装芯片上反映相同测试结果值的方法的图。
86.参照图16，测试装置2000可以向均包括多个管芯di1至din的多个封装pc1至pck发送操作命令集op_cmds，以改变多个封装pc1至pck中的每一个中包括的多个管芯di1至din的初始设定值。例如，当多个管芯di1至din包括在第一封装pc1中并且多个管芯di1至din也包括在第k封装pck中时，测试装置2000可以基于测试操作的结果选择性地仅向第一封装pc1和第k封装pck发送操作命令集op_cmds，并且可以选择性地改变第一封装pc1和第k封装pck中包括的多个管芯di1至din中存储的初始设定值。此时，可以保持未选择的第二封装pc2至第(k-1)封装pck-1中包括的多个管芯di1至din的初始设定值。
87.图17是示出在不同封装芯片上反映不同测试结果值的方法的图。
88.参照图17，测试装置2000可以基于测试结果将不同的测试值应用于不同的封装pc1至pc4。也就是说，当不同封装pc1至pc4的测试结果针对每个封装而不同时，测试装置2000可以针对每个封装发送不同的操作命令集。
89.例如，作为第一封装pc1至第四封装pc4的测试结果，电压的类型和改变初始设定值的改变值可以根据封装而不同。在这种情况下，测试装置2000可以将不同的操作命令集1op_cmds至4op_cmds发送到第一封装pc1至第四封装pc4中的每一个。
90.如上所述，根据本实施方式，多个存储装置可以基于从测试装置2000输出的操作命令集来操作测试值和初始设定值，并且独立地存储由操作产生的操作值。因此，可以缩短改变多个存储装置中存储的初始设定值所需的时间。
91.相关申请的交叉引用
92.本技术要求2020年8月31日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请10-2020-0110537的优先权，其全部内容通过引用结合于此。

技术特征：

1.一种测试系统，所述测试系统包括：存储装置，所述存储装置被配置为存储用于执行正常操作的初始设定值；以及测试装置，所述测试装置被配置为产生包括作为所述存储装置的测试操作的结果的测试值的操作命令集，并且被配置为将所述操作命令集发送到所述存储装置，其中，所述存储装置基于所述操作命令集通过使用所述测试值来执行操作，用作为所述操作的结果而产生的操作值替换所述初始设定值，并且存储所述操作值。2.根据权利要求1所述的测试系统，其中，所述测试装置包括：命令发生器，所述命令发生器被配置为基于所述测试操作的结果而输出操作命令；地址选择器，所述地址选择器被配置为在其自身内存储与所述初始设定值对应的设定值类型信息的地址；以及合并电路，所述合并电路被配置为通过合并所述操作命令、所述地址和所述测试值来输出所述操作命令集。3.根据权利要求2所述的测试系统，其中，所述命令发生器包括：操作选择器，所述操作选择器被配置为接收多个操作使能信号，并且被配置为输出从所述多个操作使能信号中选择的使能信号；以及操作命令寄存器，所述操作命令寄存器被配置为在其自身内存储与表中的多个所选使能信号对应的操作命令。4.根据权利要求3所述的测试系统，其中，所述操作命令寄存器输出所述操作命令以执行与所选使能信号对应的逻辑操作。5.根据权利要求2所述的测试系统，其中，所述设定值类型信息包括起始编程电压、阶跃电压、通过电压、读取电压和擦除电压。6.根据权利要求1所述的测试系统，其中，所述存储装置被配置为执行包括and操作、or操作或xor操作的逻辑操作，或者被配置为执行包括加法操作、减法操作、乘法操作或除法操作的算术操作。7.根据权利要求1所述的测试系统，其中，所述存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列被配置为存储数据；电压发生器，所述电压发生器被配置为通过连接到所述存储单元阵列中包括的多个存储单元的字线来输出操作电压；读写电路，所述读写电路被配置为通过连接到所述存储单元的位线来感测所述存储单元的数据；输入输出电路，所述输入输出电路被配置为接收所述操作命令集；以及控制电路，所述控制电路被配置为执行所述操作，被配置为用所述操作值替换所述初始设定值，并且被配置为存储所述操作值。8.根据权利要求7所述的测试系统，其中，所述控制电路包括：寄存器组，所述寄存器组被配置为存储包括所述初始设定值的多个初始设定值；控制逻辑，所述控制逻辑被配置为基于所述操作命令集中包括的操作命令输出操作代码；以及操作组件，所述操作组件被配置为基于所述操作代码，通过操作与所述操作命令集中包括的地址对应的所述初始设定值和所述操作命令集中包括的测试值来输出所述操作值。
9.根据权利要求8所述的测试系统，其中，所述寄存器组包括多个寄存器，在所述多个寄存器中分别分配有地址并且分别存储有不同的初始设定值。10.根据权利要求9所述的测试系统，其中，所述寄存器组将与所述地址对应的寄存器中存储的所述初始设定值发送到所述操作组件，并且当从所述操作组件接收到所述操作值时，将所述操作值存储在与所述地址对应的所述寄存器中。11.根据权利要求1所述的测试系统，其中，所述存储装置被配置为基于所述操作值执行正常操作。12.一种测试系统，所述测试系统包括：命令发生器，所述命令发生器被配置为基于不同的操作使能信号而输出操作命令；地址选择器，所述地址选择器被配置为输出其中存储有待改变的初始设定值的寄存器的地址；合并电路，所述合并电路被配置为当接收到测试值时，输出包括所述操作命令、所述地址和所述测试值的操作命令集；以及存储装置，所述存储装置被配置为通过基于所述操作命令集而执行操作来产生操作值，并且被配置为用所述操作值替换所述寄存器中存储的初始设定值。13.根据权利要求12所述的测试系统，其中，所述命令发生器包括：操作选择器，所述操作选择器被配置为接收所述操作使能信号，并且被配置为输出从所述操作使能信号中选择的使能信号；以及命令寄存器，所述命令寄存器被配置为存储其中存储有与所选使能信号对应的操作命令的表，并且被配置为输出对应于所选使能信号的操作命令。14.根据权利要求12所述的测试系统，其中，所述地址选择器包括表，所述表中存储有关于所述初始设定值的类型的设定值类型信息和分别分配给所述设定值类型信息的地址。15.根据权利要求14所述的测试系统，其中，所述设定值类型信息包括关于用于编程操作的起始编程电压、阶跃电压和通过电压的信息、关于用于读取操作的读取电压的信息和关于用于擦除操作的擦除电压的信息。16.根据权利要求12所述的测试系统，其中，所述存储装置包括：寄存器组，所述寄存器组被配置为存储包括所述初始设定值的多个初始设定值；控制逻辑，所述控制逻辑被配置为基于所述操作命令集中包括的所述操作命令，输出操作代码以执行所选操作；以及操作组件，所述操作组件被配置为基于所述操作代码操作与所述操作命令集中包括的地址对应的所述初始设定值和所述操作命令集中包括的测试值，并且被配置为输出作为所述操作的结果的所述操作值。17.根据权利要求16所述的测试系统，其中，所述寄存器组包括多个寄存器，在所述多个寄存器中分别分配有地址并且分别存储有不同的初始设定值。18.根据权利要求17所述的测试系统，其中，所述寄存器组将所述多个寄存器中的与所述地址对应的寄存器中存储的所述初始设定值发送到所述操作组件，并且当从所述操作组件接收到所述操作值时，将所述操作值存储在与所述地址对应的所述寄存器中。

技术总结

本发明涉及一种包括存储装置的测试系统。本技术包括一种测试系统。所述测试系统包括：存储装置，所述存储装置被配置为存储用于执行正常操作的初始设定值；以及测试装置，所述测试装置被配置为产生包括作为所述存储装置的测试操作的结果的测试值的操作命令集，并且被配置为将所述操作命令集发送到所述存储装置。所述存储装置基于所述操作命令集通过使用所述测试值来执行操作，用作为所述操作的结果而产生的操作值替换所述初始设定值，并且存储所述操作值。述操作值。述操作值。