用于存储器的检测方法与流程

1.本发明涉及半导体测试分析技术领域，更具体地，涉及一种用于存储器的检测方法。

背景技术：

2.现有技术中，基于测试时间和测试成本的考量，通常仅对同一批次存储器中的少部分进行测试，其测试样本量较为有限，对该存储器的判定会基于该有限样本量的测试进行推测，推测其整个批次的测试结果，并根据推测的测试结果结合具体的标准判定该批次存储器的合格与否以及其品质等级。
3.存储器的失败位计数作为评判存储器性能的一项重要指标，现有的存储器失败位计数的推测，其通常根据实际的少量测试的结果绘制对应的失败位计数图示以及对应的扇区失效率示意图，并基于扇区失效率示意图中已有的数据点位进行线性延伸，将延伸线在样本量为整个批次的数量时所对应的点作为该批次存储器失败位计数的推测值，并根据该推测值评定该批次的存储器，但该推测方法所获得的推测值相较于实际该批次全部的存储器进行测试获得的实际结果而言，推测值普遍偏大，以此对该批次存储器进行评判会导致合格品被误判为不合格品，造成产量损失等问题。

技术实现要素：

4.本公开的目的是提供一种用于存储器的检测方法，其中，通过表征值与失败位计数之间的对应关系，通过对其中部分存储器进行实际测试即可推测获得该批次所有存储器的测试结果，相较于现有的检测方式，本发明的检测方法所获得的测试结果更加准确和合理，可以有效减少合格品被误判为不合格品的现象。
5.本发明提供了一种用于存储器的检测方法，其特征在于，包括：从多个所述存储器中选取部分作为具有不同样本量的至少两组测试样本进行实际测试，根据实际测试的测试结果获取表征值与样本量之间的第一关系、以及表征值与失败位计数之间的第二关系；根据第一关系，将全部多个所述存储器的数量作为样本量获取其对应的计算表征值；根据第二关系，通过所述计算表征值获取多个所述存储器所对应的计算失败位计数值，将所述计算失败位计数值与预设阈值进行比较；其中，表征值用于表示所述存储器的存储单元中不同存储状态的电压阈值之间的距离及交叠程度。
6.在一些实施例中，所述存储器为tlc存储器、mlc存储器中的任意一种。
7.在一些实施例中，当表征值为最小值时，其所对应的失败位计数为最大值，所述表征值的最小值与样本量之间的关系拟合为曲线。
8.在一些实施例中，所述表征值的最小值随着样本量的增加而收敛。
9.在一些实施例中，通过二分法逐次逼近的方式获取所述表征值。
10.在一些实施例中，所述表征值的最小值与所述失败位计数的最大值之间的关系可以表示为二次多项式、三次多项式、四参数多项式中的至少一种。
11.在一些实施例中，所述实际测试包括对至少两组不同样本量的样本进行若干次的读写循环。
12.在一些实施例中，所述实际测试的测试电压包括多个所述存储器的存储单元中相邻两个电位层级之间失败位计数最小时所对应的电压值。
13.在一些实施例中，所述表征值与所述失败位计数值为负相关，所述表征值越大，其对应的失败位计数值越小。
14.本发明实施例提供的存储器失败位计数的推测方法，通过表征值与失败位计数之间的关系，仅需从多个所述存储器中选取至少部分进行实际测试，即可以此获取多个所述存储器的测试结果，本发明的检测方法更加准确和合理，可以有效减少合格品被误判为不合格品的现象，合理降低了产品的研发难度，减少了研发耗时和研发成本，有利于减少产品量产阶段的品质降级和产量损失。
附图说明
15.通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚。
16.图1示出了tlc存储单元中电位层级分布及各电位边缘的示意图；
17.图2示出了不同表征值与扇区故障率的测试拟合示意图；
18.图3示出了不同样本量扇区故障率测试的预测示意图；
19.图4a和图4b示出了存储器测试中样本容量与表征值的示意图；
20.图5示出了本发明的存储器失败位计数的推测的流程示意图；
21.图6a-图6d分别示出了存储器检测过程中各测试数据的示意图。
具体实施方式
22.以下将参照附图更详细地描述本发明。在各个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。此外，可能未示出某些公知的部分。
23.在下文中描述了本发明的许多特定的细节，例如存储芯片的存储单元类型，存储芯片的数量以及具体的封装样式等，以便更清楚地理解本发明。但正如本领域的技术人员能够理解的那样，本发明不仅可以适用于这些特定的存储芯片，类似或相近的存储芯片或其他芯片也可使用本发明的方法实现更准确的推测。
24.图1示出了tlc存储单元中电位层级分布及各电位边缘的示意图。图1示出了与存储状态l0-l3相对应的4个电压阈值(vt)分布。电压阈值(vt)例如包括l0-l3共4个瓣，以及e0-e5共6个边距，其中，失败位计数(fail bit count，fbc)是在一定读取电压(rv)下，由于不同电压阈值随着可靠性应力(reliability stress)相互交叠而产生；当读取电压处于两个电压阈值交叠的谷底位置时，产生失败位计数最小值，称为最佳读取状态的失败位计数(best read fbc)。
25.因此，如图2所示，可以用表征值margin表征不同电压阈值之间的距离及交叠程度：margin越大，不同电压阈值之间交叠程度越小，产生的失败位计数值也越小；随着多次读写导致应力(stress)增加，电压阈值展宽，表征值margin减小，产生的失败位计数值相应
增加。
26.图3示出了不同样本量扇区故障率测试的预测示意图；在样本量较小时，测试数据分布较收敛，随着测试数据量增加，样本异常增大，考虑到测试时间和测试成本，存储器扇区故障率的测试通常会以多个存储器中的部分存储器作为测试样本进行实际测试，再以此进行推测获取多个存储器(整体)的扇区故障率情况，再结合预设阈值(fbc limit)，以此判断是否通过测试，产品是否合格。
27.在一些实施例中，可以采用线性延伸的方式确定fbc。从图3中可以看出根据趋势进行线性延伸，将线性延伸的结果作为多个存储器的扇区故障率并不准确，采用线性延伸获得的fbc存在较大误差。
28.图4a和图4b示出了存储器测试中样本容量与表征值的示意图；其中，样本量a、b、c、d为四组不同样本量的样本，样本量a、b、c、d依次增大，从图6a中可以看出失败位计数fbc随着样本量的增大并不会呈线性外延的方式增加，而是斜率逐步变化最终趋向于收敛；在不同的样本量下，表征值margin的中值基本保持不变，增大样本量会增加表征值分布的宽度，随着样本量的增加，表征值margin的最小值会趋于收敛，可据此获取表征值margin的最小值与样本量的关系。参照图4b，样本量a可以包括3σ的异常，现样本量增加到包括5σ异常情形下对应的表征值。
29.图5示出了本发明的存储器失败位计数的推测的流程示意图；其测试及推测的各项数据如图6a-图6d所示。本发明的存储器失败位计数的推测方法包括以下步骤：
30.在步骤s10中，从多个存储器中选取部分作为至少两组不同样本量的样本进行实际测试，收集可靠性数据，根据可靠性数据获取表征值与样本量之间的关系(表征值分布趋势)，以及表征值与失败位计数之间的关系；
31.表征值margin与失败位计数fbc之间的关系例如可根据曲线图拟合获得的具有若干参数的二次多项式、三次多项式、四参数多项式中的至少一种。
32.在步骤s20中，根据表征值与样本量之间的关系(表征值分布趋势)，获取多个存储器所对应的计算表征值margin；
33.在步骤s30中，根据表征值与失败位计数之间的关系，通过计算表征值margin获取多个所述存储器所对应的计算败位计数值，将所述计算失败位计数值与预设阈值(合格值)进行比较，判断多个所述存储器的质量是否达标；
34.本发明实施例提供的用于存储器的检测方法，通过表征值与失败位计数之间的关系，仅需从多个所述存储器中选取部分进行实际测试，即可以此获取多个所述存储器的测试结果，相比于现有的线性延伸的判断方式，本发明的检测方法更加准确和合理，可以有效减少合格品被误判为不合格品的现象，合理降低了产品的研发难度，减少了研发耗时和研发成本，有利于减少产品量产阶段的品质降级和产量损失。
35.在以上的描述中，对于各存储器的芯片、存储单元等技术细节并没有做出详细的说明。但是本领域技术人员应当理解，可以通过各种技术手段，来形成具有所需功能的部分。另外，为了实现同一目标，本领域技术人员还可选用与以上描述并不完全相同的存储芯片或存储单元，采用类似的技术手段实现相应的推测方法进行不同样本量下失败位计数的推测。
36.以上对本发明的实施例进行了描述。但是，这些实施例仅仅是为了说明的目的，而
并非为了限制本发明的范围。本发明的范围由所附权利要求及其等价物限定。不脱离本发明的范围，本领域技术人员可以做出多种替代和修改，这些替代和修改都应落在本发明的范围之内。

技术特征：

1.一种用于存储器的检测方法，其特征在于，包括：从多个所述存储器中选取部分作为具有不同样本量的至少两组测试样本进行实际测试，根据实际测试的测试结果获取表征值与样本量之间的第一关系、以及表征值与失败位计数之间的第二关系；根据第一关系，将全部多个所述存储器的数量作为样本量获取其对应的计算表征值；根据第二关系，通过所述计算表征值获取多个所述存储器所对应的计算失败位计数值，将所述计算失败位计数值与预设阈值进行比较；其中，表征值用于表示所述存储器的存储单元中不同存储状态的电压阈值之间的距离及交叠程度。2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述存储器为tlc存储器、mlc存储器中的任意一种。3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，通过二分法逐次逼近的方式获取所述表征值。4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述表征值的最小值与失败位计数的最大值之间的关系可以表示为二次多项式、三次多项式、四参数多项式中的至少一种。5.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述实际测试包括对至少两组不同样本量的样本进行若干次的读写循环。6.根据权利要求1或5所述的检测方法，其特征在于，所述实际测试的测试电压包括多个所述存储器的存储单元中不同存储状态之间失败位计数最小时所对应的电压值。7.根据权利要求1所的检测方法，其特征在于，所述表征值与所述失败位计数值为负相关，所述表征值越大，其对应的失败位计数值越小。

技术总结

本申请公开了一种存储器的检测方法，该检测方法包括：从多个所述存储器中选取部分作为具有不同样本量的至少两组测试样本进行实际测试，根据实际测试的测试结果获取第一表征值与样本量之间的第一关系、以及第一表征值与第一失败位计数之间的第二关系；根据第一关系，将全部多个所述存储器的数量作为样本量获取其对应的第二表征值；根据第二关系，通过所述第二表征值获取多个所述存储器所对应的第二失败位计数值，将所述第二失败位计数值与预设阈值进行比较，判断多个所述存储器的质量是否达标；相比于线性延伸的判断方式，本发明的检测方法更加准确和合理。测方法更加准确和合理。测方法更加准确和合理。