贴片三极管代码3B

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
BC856A, B    TRANSISTOR  (PNP)
BC857A, B,C
虚拟轨道列车
BC858A, B,C
FEATURES
y  Ideally suited for automatic insertion
y  For Switching and AF Amplifier Applications
MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted)  Symbol Parameter Value844vv
Unit V
CBO  Collector-Base Voltage BC856 BC857 BC858
-80
-50 -30
V
V CEO  Collector-Emitter Voltage BC856 BC857                    BC858
-65
-45 -30
V
V EBO  Emitter-Base Voltage -5 V
I C  Collector Current –Continuous -0.1    A
P C  Collector Power Dissipation 200 mW
贴片三极管
T J  Junction Temperature 150 ℃
T stg  Storage Temperature -65-150 ℃
DEVICE MARKING
BC856A=3A; BC856B=3B;
BC857A=3E;BC857B=3F;BC857C=3G;
BC858A=3J; BC858B=3K; BC858C=3L
B,Jul,2013
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified)          Parameter
Symbol  Test conditions        Min  Max Unit
电梯监控方案Collector-base breakdown voltage            BC856                                            BC857                                            BC858 V CBO  I C = -10μA, I E =0 -80 -50 -30  V Collector-emitter breakdown voltage          BC856                                            BC857                                            BC858 V CEO  I C = -10mA, I B =0 -65 -45 -30  V Emitter-base breakdown voltage
V EBO  I E = -1μA, I C =0 -5  V Collector cut-off current                    BC856                                            BC857                                            BC858 I CBO  V CB = -70 V ,I E =0 V CB = -45 V ,I E =0 V CB = -25 V ,I E =0  -0.1 μA Collector cut-off current                    BC856                                            BC857                                            BC858 I CEO  V CE = -60 V ,I B =0 V CE = -40 V ,I B =0 V CE = -25 V ,I B =0  -0.1 μA Emitter cut-off current
I EBO  V EB = -5 V , I C =0  -0.1 μA DC current gain                BC856A, 857A,858A                                BC856B, 857B,858B                                    BC857C,BC858C h FE  V CE = -5V,I C = -2mA 125 220 420 250 475 800  Collector-emitter saturation voltage
V CE (sat)    I C =-100mA,I B = -5 mA  -0.5 V Base-emitter saturation voltage
V BE (sat)    I C = -100mA, I B = -5mA  -1.1 V Transition frequency
f T  V CE = -5 V, I C = -10mA f=100MHz  100  MHz Collector capacitance C ob  V CB =-10V,  f=1MHz    4.5 pF
B,Jul,2013
101000255075100125150050100150200250101001000-0.1-1V CB / V EB
C ob / C ib    ——
C
生态仪A P A C I T A
N C E    C    (p F )REVERSE VOLTAGE    V R    (V)  T R A N S I T I O N  F R E Q U E N C Y    f T    (M H z )COLLECTOR CURRENT    I C    (mA)P C    ——    T a  C O L L E C T O R  P O W E R  D I S S I P A T I O N        P C    (m W )AMBIENT TEMPERATURE    T a    ()℃Static Characteristic
C
O L L E C T O R  C U R R E N T    I C
(m A )COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE    V CE    (V)
I C  D C  C U R R E N T  G A I N    h F E COLLECTOR CURRENT    I C    (mA)I C f T      ——h FE      ——I V BEsat      ——  B A S E -E M I T T E R  S A T U R A T I O N V O L T A G E    V B E s a t    (V )COLLECTOR CURRENT    I C    (mA)-2BC856,BC857,BC858Typical Characterisitics
V BE
I C      ——
理疗环
C O L L E C T O R  C U R R E N T    I C
(m A )BASE-EMMITER VOLTAGE  V BE  (V)
I
C
V CEsat    ——
C
O L L E C T O R -E M I T T E R  S A T U R A T I O N V O L
T
A G
E    V C E
s
a
t
(V )
COLLECTOR CURRENT    I C    (mA)
B,Jul,2013
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