㊀２０１９年㊀第１２期
仪表技术与传感器
Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ㊀Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ㊀ａｎｄ㊀Ｓｅｎｓｏｒ
２０１９㊀Ｎｏ．１２㊀
基金项目：国家电网公司科技项目（ＪＬ７１－１８－００７）收稿日期：２０１９－０１－２４
张蓬鹤１，李求洋１，张卫欣２，刘崇伟２
（１．中国电力科学研究院有限公司，北京㊀１００１９２；２．国网天津市电力公司电力科学研究院，天津㊀３００３８４）
㊀㊀摘要：隧道磁阻（ＴＭＲ）器件具有灵敏度高㊁温度漂移小㊁线性误差小㊁动态范围宽的优良特性，采用隧道磁阻器件替代传统的霍尔器件㊁各向异性磁阻（ＡＭＲ）器件和巨磁阻（ＧＭＲ）器件可以显著地改善电流测量能力㊂以提高测量精度㊁系统小型化为目的，通过综合调整ＴＭＲ元件尺寸以及
聚磁结构位置，设计一种新型Ｚ轴ＴＭＲ电流传感器，实现采用隧道磁阻（ＴＭＲ）器件的电流测量㊂根据初始测量数据进行温度补偿和线性补偿，该电流传感器在０．１ ６０Ａ范围内达到了１％的测量精度，在电流测量领域内具有较好的应用前景㊂ 关键词：电流传感器；电流测量；隧道磁阻；磁隧道结；聚磁结构
中图分类号：ＴＭ９３３．１㊀㊀㊀文献标识码：Ａ㊀㊀㊀文章编号：１００２－１８４１（２０１９）１２－００２３－０４
ＳｔｕｄｙｏｎＤｅｓｉｇｎｏｆＴｕｎｎｅｌｉｎｇＭａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅＣｕｒｒｅｎｔＳｅｎｓｏｒ
ＺＨＡＮＧＰｅｎｇ⁃ｈｅ１，ＬＩＱｉｕ⁃ｙａｎｇ１，ＺＨＡＮＧＷｅｉ⁃ｘｉｎ２，ＬＩＵＣｈｏｎｇ⁃ｗｅｉ２
（１．ＣｈｉｎａＥｌｅｃｔｒｉｃＰｏｗｅｒＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１００１９２，Ｃｈｉｎａ；
２．ＥｌｅｃｔｒｉｃＰｏｗｅｒＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，ＳｔａｔｅＧｒｉｄＴｉａｎｊｉｎＥｌｅｃｔｒｉｃＰｏｗｅｒＣｏｍｐａｎｙ，Ｔｉａｎｊｉｎ３００３８４，Ｃｈｉｎ
ａ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅｔｕｎｎｅｌｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ（ＴＭＲ）ｄｅｖｉｃｅｓｈａｓｔｈｅｅｘｃｅｌｌｅｎｔｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｈｉｇｈｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ，ｓｍａｌｌｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｄｒｉｆｔ，ｓｍａｌｌｌｉｎｅａｒｅｒｒｏｒ，ａｎｄｗｉｄｅｄｙｎａｍｉｃｒａｎｇｅ．Ｕｓｉｎｇｔｕｎｎｅｌｒｅｌｕｃｔａｎｃｅｄｅｖｉｃｅｓｉｎｓｔｅａｄｏｆｔｒａｄｉｔｉｏｎａｌｈａｌｌｄｅｖｉｃｅｓ，ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ（ＡＭＲ）ｄｅｖｉｃｅｓａｎｄｇｉａｎｔｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ（ＧＭＲ）ｄｅｖｉｃｅｓｃａｎｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔｌｙｉｍｐｒｏｖｅｃｕｒｒｅｎｔｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｃａｐａｂｉｌｉｔｙ．Ｉｎｏｒｄｅｒｔｏｉｍｐｒｏｖｅｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔａｃｃｕｒａｃｙａｎｄｄｏｗｎｓｉｚｅｔｈｅｓｙｓｔｅｍ，ａｎｅｗｔｙｐｅｏｆＺ－ａｘｉｓＴＭＲｃｕｒｒｅｎｔｓｅｎｓｏｒｗａｓｄｅｓｉｇｎｅｄｂｙｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅｌｙａｄｊｕｓｔｉｎｇｔｈｅｓｉｚｅｏｆＴＭＲｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓｔｏｒｅａｌｉｚｅＴＭＲｃｕｒｒｅｎｔｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ．Ａｆｔｅｒｔａｋｉｎｇｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎａｎｄｌｉｎｅａｒｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎｂａｓｅｄｏｎｔｈｅｉｎｉｔｉａｌｍｅａｓｕｒｅｄｄａｔａ，ｔｈｅｃｕｒｒｅｎｔｓｅｎｓｏｒｃａｎｒｅａｃｈａｃｃｕｒａｃｙｏｆ
１％ｗｉｔｈｉｎｔｈｅｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｒａｎｇｅｏｆ０．１ ６０Ａ，ａｎｄｈａｓａｇ
ｏｏｄａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｐｒｏｓｐｅｃｔｉｎｔｈｅｆｉｅｌｄｏｆｃｕｒｒｅｎｔｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ．
Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｃｕｒｒｅｎｔｓｅｎｓｏｒ；ｃｕｒｒｅｎｔｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ；ｔｕｎｎｅｌｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ；ｍａｇｎｅｔｉｃｔｕｎｎｅｌｊｕｎｃｔｉｏｎ；ｍａｇｎｅｔｉｃｇａｔｈｅｒｉｎｇｓｔｒｕｃｔｕｒｅ
０㊀引言
电流传感器主要包括电流互感器㊁罗氏线圈㊁霍尔传感器等，这些传感器存在明显的局限性㊂电流互感器只能测试交流电流，磁芯存在饱和风险［１］；罗氏线圈不能测直流电流，线圈制作繁琐［２］；霍尔器件温度特性较差［３－４］㊂隧穿磁阻（ｔｕｎｎｅｌｉｎｇｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ，ＴＭＲ）传感器具有灵敏度高㊁温度漂移小㊁线性误差小㊁动态范围宽的优良特性，适合应用于电流测量领域㊂文献［５－６］阐述了ＴＭＲ效应的有效测量方向是ＴＭＲ器件的表面方向，即ＴＭＲ传感器只能检测平行于其表面的磁场㊂然而，载流导线布置于ＴＭＲ传感器的正上方，会造成载流导线与ＴＭＲ传感器之间的距离难以控制且不易于集成化［７］㊂ 本文设计了一种新型Ｚ轴ＴＭＲ电流传感器，其
灵敏方向垂直于芯片表面，通过ＰＣＢ布线控制载流导线与ＴＭＲ传感器的距离，实现与ＴＭＲ传感器在同一平面上的电流测量㊂Ｚ轴ＴＭＲ电流传感器将ＴＭＲ元件放置为梯度结构，通过在磁隧道结上方沉积一层高磁导率的聚磁结构扭转外加磁场方向，实现灵敏方向垂直于芯片表面的设计目标㊂对测量数据进行温度补偿和线性补偿后，测试结果表明ＴＭＲ电流传感器在０．１ ６０Ａ测量范围内，测量精度达到１％㊂１㊀ＴＭＲ元件设计
ＴＭＲ元件的最小结构单元是磁隧道结（ｍａｇｎｅｔｉｃ
ｔｕｎｎｅｌｊｕｎｃｔｉｏｎ，ＭＴＪ），基本结构如图１所示㊂其基本结构是３层膜结构，分别为隧道层㊁自由层㊁被钉扎层㊂
被钉扎层的磁矩方向固定，隧道层是可被隧穿的Å级厚度的镁或铝氧化物，自由层是高磁导率的铁磁材料，其磁化方向受外界磁场的调制［８］㊂自由层的磁矩和被钉扎层的磁矩之间的夹角，决定了磁隧道结的磁电阻Ｒ㊂
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㊀２４㊀ＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔＴｅｃｈｎｉｑｕｅａｎｄＳｅｎｓｏｒ
Ｄｅｃ．２０１９㊀
图１㊀磁隧道结基本结构
自由层的磁化方向取决于系统的最小能量，系统能量包括：被测磁场提供的能量㊁偏置磁场提供的能量㊁退磁场能以及各向异性能㊂如图２所示，当有被测磁场Ｈａ时，自由层的磁矩Ｍ稳定在某一角度θ，那么自由层和被钉扎层磁矩夹角为９０ʎ－θ，此时磁电阻Ｒ满足式（１）：
Ｒ＝Ｃ１
Ｃ２＋ｓｉｎθ（１）
式中：Ｃ１和Ｃ２为与ＴＭＲ薄膜有关的常数㊂
图２㊀磁矩方向
通过测量磁电阻Ｒ的值，即可计算出外界磁场和被测电流的大小㊂
将４个灵敏方向不同的磁电阻连接成全桥结构，如图３所示，图中箭头代表各磁电阻的灵敏方向㊂Ｒ１和Ｒ４的灵敏方向一致，反向平行于Ｒ２和Ｒ３灵敏度㊂当有适当的外加磁场时，全桥结构的输出电压与外界磁场成线性关系［９］㊂
图３㊀全桥结构及其输出曲线
２㊀ＴＭＲ传感器原理及设计２．１㊀Ｚ轴ＴＭＲ传感器原理
为使被测磁场方向改变至ＴＭＲ传感器的灵敏方向，本文应用聚磁结构的设计方法，在ＭＴＪ上方沉积一层聚磁结构扭转外加磁场的方向㊂其结构侧视图
及磁场扭转方向示意如图４所示㊂图中２个磁隧道结ＭＴＪ１和ＭＴＪ２对称放置于聚磁结构的下方两侧，磁场流线代表磁场的方向㊂当有垂直方向的外加磁场时，
在聚磁结构的边缘，磁场方向会发生改变，在ＭＴＪ位置存在平行于ＭＴＪ表面方向的磁场分量㊂２个磁隧道
结由于相对聚磁结构位置对称，其表面水平磁场分量大小相等㊁方向相反
㊂
图４㊀聚磁结构改变磁场方向
为了提高Ｚ轴传感器的灵敏度，一方面需要提高ＭＴＪ自身的磁场响应，另一方面需要对聚磁结构进行优化设计，使得在一定的外加磁场下，提高平行于ＭＴＪ
表面方向的磁场分量㊂２．２㊀ＭＴＪ的磁场响应
ＭＴＪ灵敏度反映的是自由层磁矩被外加磁场改变的难易程度，而自由层磁矩的方向为自由层内最小
能量方向㊂由于薄膜工艺确定，自由层的外场能和磁晶各向异性能在固定方向的大小为确定量，因此退磁场能的大小影响了自由层内磁矩方向㊂退磁场能大小取决于ＭＴＪ的长宽比㊂对于ＣｏＦｅＢ／ＭｇＯ／ＣｏＦｅＢ／ＮｉＦｅ隧道结，不同长宽比的ＭＴＪ灵敏度如图５所示（１Ｏｅ＝
１０００
４π
Ａ／ｍ）㊂图５㊀ＭＴＪ灵敏度随长宽比的变化
由图５可以看出，ＭＴＪ的长宽比值越小，灵敏度越
高㊂为了减小器件体积㊁降低成本㊁降低功耗，应尽量减小线宽㊂根据目前的磁电阻器件ＭＥＭＳ工艺水平，本文将线宽设计为２μｍ，即ＭＴＪ的宽度尺寸为２μｍ㊂ＭＴＪ长宽比过小会引起较大磁滞，且理论分析ＭＴＪ磁滞影响非常困难，本文采用长宽比为４进行试制，采用试验验证的方式确定长宽比是否合适㊂
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㊀第１２期
张蓬鹤等：隧道磁阻电流传感器的设计研究
２５㊀㊀
不良资产管理系统
３㊀ＴＭＲ电流传感器设计３．１㊀ＭＴＪ与聚磁结构的垂直距离
聚磁结构位于ＭＴＪ的上方，二维有限元仿真得到的水平磁场结果如图６所示㊂可以看出距离聚磁结构的垂直距离越近，水平磁场分量越大㊂因此，为了提高磁场强度，垂直距离应越小越好
㊂
图６㊀ＮｉＦｅ聚磁效果的二维有限元仿真
ＮｉＦｅ层通常厚度较大，工艺上多采用电镀的方法
构建，即在ＭＴＪ薄膜的上表面增加绝缘层后再电镀ＮｉＦｅ㊂为了保证电气绝缘和工艺可控性，本文设置ＭＴＪ与聚磁结构的垂直距离为１μｍ，尽可能大地提高ＭＴＪ灵敏度㊂
３．２㊀聚磁结构间距㊁厚度和宽度
对于聚磁结构来说，聚磁能力最主要的指标是将垂直磁场转变为水平磁场的效果，聚磁结构的几何尺寸不同直接影响聚磁能力的大小㊂由于ＴＭＲ传感器由众多个ＭＴＪ构成，因此聚磁结构采用并联形式，形成聚磁阵列㊂图７为聚磁阵列的三维仿真模型，Ｘ和Ｚ方向分别为聚磁结构的厚度和宽度方向，外加磁场方向为Ｚ轴方向
㊂图７㊀聚磁阵列的仿真模型
在Ｚ轴方向施加１００Ｇｓ的磁场，仿真比较不同结构尺寸下的聚磁结构性能㊂选择图７中Ｙ＝０，Ｚ＝０这一条直线，比较不同聚磁结构厚度和宽度时，垂直磁场在该直线上的水平磁场分布㊂对于不同宽度下的聚磁结构，厚度对聚磁结构产生的水平磁场分量影响
如图８所示，图８中１Ｇｓ＝１０－４Ｔ㊂
（ａ）聚磁结构宽度为５μｍ
（ｂ）聚磁结构宽度为１０μｍ
（ｃ）聚磁结构宽度为２０μｍ
图８㊀聚磁结构厚度对水平磁场强度的影响
从图８可见，聚磁效果随着厚度的增加而逐步增强，当厚度超过１０μｍ时，聚磁效果随着厚度的增加反而减弱㊂此外，聚磁层厚度越大，对电镀工艺的要求越高㊂因此本文将聚磁层的厚度设计为１０μｍ㊂由图８可知，随着聚磁结构宽度的增加，聚磁的效果略有减小，但是几乎可以忽略㊂而在工艺上，聚磁层的宽度应不小于聚磁层厚度；但宽度越大，器件的尺寸越大，器件成本增加，因此本文将聚磁结构的宽度同样设计为１０μｍ㊂
在相邻２个聚磁结构之间，至少放置２个ＭＴＪ用于磁场强度测量㊂ＭＴＪ的宽度为２μｍ，聚磁结构的宽度为１０μｍ，且需留有至少１μｍ的绝缘距离，因此相邻２个聚磁结构的间距为设置为１５μｍ㊂３．３㊀ＭＴＪ中心到聚磁结构边缘距离
基于以上聚磁结构和ＭＴＪ尺寸，进行ＭＴＪ中心到
聚磁结构边缘距离的设计㊂图９显示了图７中聚磁结构下方直线Ｙ＝０，Ｚ＝０位置处的水平磁场分布，灰框表示聚磁结构的位置㊂从图９可知，水平磁场最大的位置位于聚磁结构的外侧，距离聚磁结构边缘大约０．５μｍ位置㊂
图９㊀聚磁结构和磁场分布的空间位置关系
４㊀ＴＭＲ电流传感器的制备和测试４．１㊀ＴＭＲ元件的制备
ＴＭＲ元件的试制采用ＴＭＲ溅射镀膜工艺平台，
经过基片清洗㊁镀膜㊁高温退火㊁刻蚀㊁电镀ＮｉＦｅ等工序，制备出了Ｚ轴ＴＭＲ元件样品㊂ＴＭＲ元件的制备过程如下：利用溅射镀膜工艺，在硅基板上依次沉积电极层㊁种子层㊁人工反铁磁层㊁ＭｇＯ隧道层㊁自由层和上电极层；利用刻蚀的方法，制作出磁隧道结；在上电极层构建电气互连结构，实现隧道结的互连；将裸晶圆放置在引线框上，对位安装㊁打线㊁注塑㊁脱模，最终形成ＴＭＲ
元件㊂
图１０是研制得到的ＴＭＲ元件随外加磁场的输出响应曲线，其输入电压为５Ｖ㊂可以计算得到该ＴＭＲ元件的灵敏度为４．４ｍＶ㊃Ｖ－１㊃Ｏｅ－１，在ʃ１５Ｇｓ磁场强度范围内，传感器线性程度很高
㊂
图１０㊀ＴＭＲ元件输出响应曲线
由于电流与磁场强度是线性关系，且２个相对聚磁结构对称位置的传感元件ａ和ｂ，传感得到的磁场方向相反㊂因此，传感器ａ和ｂ位置处的磁场满足如
下表达式：
Ｈａ＝０．２Ｉ＋Ｈｄ
Ｈｂ＝－０．２Ｉ＋Ｈｄ
（２）
式中：Ｈａ，Ｈｂ分别为传感元件ａ和ｂ位置处的磁场；Ｉ为被测导线中的电流；Ｈｄ为外部干扰磁场㊂
由于２个传感元件位置较近，地球磁场或者外部
干扰磁场在２个传感元件位置处产生的分量可以认为是相同的㊂则输入电压为１Ｖ时，传感元件ａ和
ｂ的输出电压（单位：ｍＶ）表达式为：
Ｖａ＝４．４ˑ（０．２Ｉ＋Ｈｄ）
Ｖｂ＝４．４ˑ（－０．２Ｉ＋Ｈｄ）
（３）传感器输出电压为
Ｖ０＝Ｖａ－Ｖｂ＝８．８ˑ０．２ˑＩ
洛克沙胂（４）
由式（４）可见，通过将２个传感元件构成梯度的方式，可以免除外界干扰磁场的影响㊂４．２㊀应用电路设计与测试
利用ＴＭＲ元件构成的电流传感器模块如图１１所示，电流导线分布于ＰＣＢ的正面和背面，ＴＭＲ元件位于ＰＣＢ正面，其灵敏部位与待测电流导线的距离设定为固定值５ｍｍ㊂由于ＴＭＲ元件输出信号较小，应用高精度仪表运算放大器将传感信号放大
㊂
图１１㊀电路实物照片
表１为本文设计的ＴＭＲ电流传感器模块实际测试结果㊂电流传感芯片在进行温度补偿和非线性补偿校正后读取的数据比校正前的数据精度有了明显的提高㊂在校正之后，电流测量误差在１％以内㊂电流传感器对小电流的测量误差稍大，原因是由于此时元件的噪声信号㊁放大电路的噪声和非线性相比测试信号不可忽略，引起测量误差㊂５㊀结束语
本文设计了一种具有聚磁结构的Ｚ轴ＴＭＲ元
件，并使用该ＴＭＲ元件实现了一种电流测量方法，证实了ＴＭＲ元件用于电流传感的可行性㊂在对测量数据进行温度补偿和线性补偿后，ＴＭＲ电流传感器在目标测量范围内达到了１％的测量精度㊂（下转第８６页）
力的测量精度㊂试验结果表明，所建系统能够成功实现对螺栓轴向应力的测量，应力测量不确定度约为１．２ＭＰａ㊂
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风琴式导轨防护罩
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ｃａｒｂｏｎａｎｄｌｏｗ⁃ａｌｌｏｙｅｄｓｔｅｅｌｓｂｙｔｈｅａｃｏｕｓｔｏｅｌａｓｔｉｃｉｔｙｍｅｔｈｏｄ
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www.m227ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎａｎｄｓｈｅａｒｕｌｔｒａｓｏｎｉｃｗａｖｅｓ［Ｃ］．２０１５ＩＥＥＥ
ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＵｌｔｒａｓｏｎｉｃｓＳｙｍｐｏｓｉｕｍＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ，２０１５．［１３］㊀贾雪，王雪梅，甘文成．声弹性效应螺栓轴向应力标定试验研究［Ｊ］．中国测试，２０１８（３）：７２－７５．
［１４］㊀赵贻玖，戴志坚，王厚军．基于压缩传感理论的随机等效采样信号的重构［Ｊ］．仪器仪表学报，２０１１，３２（２）：２４７－２５１．
作者简介：甘文成（１９９４ ），硕士研究生，主要研究方向为嵌入式信号检测㊁处理技术，现代测控技术㊂
Ｅ⁃ｍａｉｌ：１９１４４３９３３０＠ｑｑ．ｃｏｍ
王雪梅（１９６８ ），副教授，博士，主要研究方向为现
代测控技术及其在轨道交通中的应用研究，多传感
器信息融合及其应用研究，嵌入式信号检测㊁处理技
术㊂Ｅ⁃ｍａｉｌ：ｘｍｗａｎｇ２０１２＠ｈｏｍｅ．ｓｗｊｔｕ．ｅｄｕ．ｃｎ
（上接第２６页）测试结果验证了ＴＭＲ电流传感器在电流测量领域内具有较好的应用前景㊂
表１㊀ＴＭＲ电流传感器测试数据
被测电流／Ａ
补偿校正前补偿校正后
测试值／Ａ误差／％测试值／Ａ误差／％
６０６０．３５４０．５９５９．９０５－０．１６
５０５０．２２００．４４４９．８５３－０．２９
４０４０．１３９０．３５３９．８８６－０．２９
３０３０．０４１０．１４２９．９７１－０．１０
２０２０．０１００．０５１９．９９１－０．０５
１０９．９７８－０．２２９．９８５－０．１５
５４．９８２－０．３６４．９９１－０．１８
２１．９９６－０．２０１．９９７－０．１５
１１．００４０．４００．９９６－０．４０
０．５０．５２１４．２００．４９７－０．６０
０．３０．３４１１３．６７０．２９７－１．００
０．２５０．２９１１６．４００．２４８－０．８０
０．２０．２６１３０．５００．１９８－１．００
０．１５０．２２１４７．３３０．１４９－０．６７
０．２０．１９７９７．０００．０９９－１．００
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ＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇａｎｄＳｅｃｕｒｉｔｙ，Ｃｈｅｎｎａｉ：ＩＣＳＳＳ，２０１７：１８１－１８５．［７］㊀吕华，刘明峰，曹江伟，等．隧道磁电阻（ＴＭＲ）磁传感器的特性与应用［Ｊ］．磁性材料及器件，２０１２，４３（３）：１－４，１５．［８］㊀ＦＲＥＩＴＡＳＰ，ＦＥＲＲＥＩＲＡＲ，ＣＡＲＤＯＳＯＳ．Ｓｐｉｎｔｒｏｎｉｃｓｅｎｓｏｒｓ［Ｊ］．ＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆｔｈｅＩＥＥＥ，２０１６，１０４（１０）：１８９４－１９１８．［９］㊀高俊，王劲东，仇福伟．基于隧道磁阻传感器的车辆探测器研究［Ｊ］．仪器仪表学报，２０１７，３８（８）：２０３８－２０４６．
作者简介：李求洋（１９８８ ），工程师，博士，主要研究方向为磁传感器设计与测试㊂
Ｅ⁃ｍａｉｌ：ｌｉｑｉｕｙａｎｇ＠ｅｐｒｉ．ｓｇｃｃ．ｃｏｍ．ｃｎ
袁翔宇（１９８８ ），工程师，硕士，主要研究方向为精
密仪器试验检测分析㊂
Ｅ⁃ｍａｉｌ：ｙｕａｎｘｉａｎｇｙｕ＠ｅｐｒｉ．ｓｇｃｃ．ｃｏｍ．ｃｎ
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