TMR技术在电流传感器中的应用

隧道磁电阻(TMR)技术在电流传感器中的应用
电流传感器是在电气绝缘的状态下,利用电流所
产生的磁场来检测电流值的一种介于高、低电压之间
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图1:开环式电流传感器
磁平衡式或磁补偿式电流传感器。
图2:闭环式电流传感器
育苗袋其中的关键器件,对传感器性能优劣起着至关重要的作
用。目前市场上的电流传感器主要是采用传统的霍尔器
件,由于半导体材质自身原因,霍尔器件的温度漂移量
较大,一致性差,尤其在低温区变化剧烈,难以进行统
一校准。动态失调消除技术的采用可部分改善霍尔器件
的温度漂移,但在电路中叠加了高频噪声干扰,造成电
流传感器的输出信号失真,影响整机性能。
隧道磁电阻(TMR)器件是继霍尔器件、各向异性磁
度和温度特性。
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图3:霍尔传感器和TMR传感器比较
图4:各种磁传感器灵敏度比较
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图5:TMR 线性传感器采用SSIP-4封装
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:TMR 闭环电流传感器实物图
基于TMR 的优异性能,闭环电流传感器可显著改善其温度漂移量。替代后,无需任何温度补偿,电流
传感器在-40~85C 的温度范围内的温度漂移总量即可由原来的1~2%降至0.1~0.2%。在使用温度宽泛的场所如变频器、伺服器、电动车辆等应用时,TMR 闭环电流传感器可确保在任何地区、任何季节的电流测量的精准度;特别是在风能、太阳能等新能源行业中,电流传感器的温度漂移可直接导致逆变器输出电能中的直流成分的增加,不仅造成能源浪费,直流成分还会消耗在变压器绕组中,造成变压器过热。电流传感器温度漂移的改善,将会给能源行业带来直接的经济效益和必要的安全性。
江苏多维科技有限公司生产的TMR2501、TMR2503、TMR2505线性传感器采用SSIP-4封装,在垂直方向测量磁场,与通行的霍尔器件完全兼容。对闭环电流传感器
来说,电流传感器厂家只需改变一下磁传感器的偏置电阻值,无需更改PCB 设计和产品结构既可直接替代霍尔器件。
图7:多维科技的TMR 闭环电流传感器
江苏多维科技有限公司生产的TMR2101、TMR2102、
TMR2103、TMR2701、TMR2703、TMR2705、TMR2905和TMR2922为平面方向测量磁场,配合使用纵向气隙磁芯。摆脱了断面气隙泄洪道
漏磁所带来的困扰,大大提升了磁芯的聚磁能力,使电流传感器的分辨率低至毫安量级,并有效遏制
外来干扰。较之磁通门闭环电流传感器,TMR 闭环电流传感器结构简单,抗干扰能力强,分辨率高。产品响应时间快,测量频带宽。物流追踪系统
图8:闭环电流传感器的典型电路
上图为闭环电流传感器的典型电路,其中原有的霍尔器件H1可以直接用TMR 替代。通过调整偏置电阻R1和R2,使H1的1、3引脚间电压为1伏左右。例如:当电源电压为+/-15V ,TMR 输入电阻为6k 欧姆时,若1、3引脚间电压为1V ,则H1输入电流Id=1V /6k =0.17mA ,偏置电阻R1及R2=(15-0.5)/0.17=85.3K Ω。
R A 和R B 为上下对称结构,用于调整传感器的失调值,建议采用相同系列电阻,以降低调整电阻与磁传感器之间的温度系数差异所带来的额外误差。
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本文发布于:2024-09-22 20:27:11,感谢您对本站的认可!

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