本技术公开了一种阻燃相变散热结构及其制作方法，包括铝箔，所述铝箔的顶面上涂覆有阻燃导热硅胶层，其底面上涂覆有相变材料层。所述相变材料层由按重量份计的以下原料制备而成：聚异丁烯1520份、石蜡1015份、氢氧化铝2040份、氢氧化镁2040份、偶联剂0.51份、分散剂0.51份。本技术阻燃相变散热结构具有导热性好、阻燃性好、柔韧可压缩的特点，同时还具有相变储能特性。 权利要求书
1.一种阻燃相变散热结构，包括铝箔，其特征在于，所述铝箔的顶面上涂覆有阻燃导热硅胶层，其底面上涂覆有相变材料层；
相变材料层由按重量份计的以下原料制备而成：聚异丁烯15-20份、石蜡10-15份、氢氧化铝20-40份、氢氧化镁20-40份、偶联剂0.5-1份、分散剂0.5-1份。
2.根据权利要求1所述的阻燃相变散热结构，其特征在于，所述阻燃导热硅胶层由重量份计的以下原料制备而成：甲基乙烯基硅橡胶2-8份、乙烯基硅胶15-20份、二甲基硅油18-25份、含氢硅油0.5-2份、铂金催化剂0.5-1份、氢氧化铝20-40份、氢氧化镁20-40份、纳米二氧化硅10-20份、中空玻璃微珠10-20份。
3.根据权利要求1所述的阻燃相变散热结构，其特征在于，所述氢氧化铝与氢氧化镁的重量比为1.2-2:1。
4.根据权利要求3所述的阻燃相变散热结构，其特征在于，所述氢氧化铝与氢氧化镁的重量比为1.5:1。
5.根据权利要求1所述的阻燃相变散热结构，其特征在于，所述纳米二氧化硅的粒径为1.5-10nm。
6.根据权利要求1所述的阻燃相变散热结构，其特征在于，所述中空玻璃微珠的粒径为30-50μm。
7.根据权利要求1所述的阻燃相变散热结构，其特征在于，所述相变材料层的导热系数为1.5-2.0w/mk，相变温度为50-60℃。
8.根据权利要求1所述的阻燃相变散热结构，其特征在于，所述铝箔的厚度为0.02-0.04mm，所述阻燃导热硅胶的厚度为0.03-0.8mm，所述相变材料层的厚度为0.03-0.8mm。
9.一种根据权利要求1-8任意一项所述的阻燃相变散热结构的制作方法，其特征在于，包括：切铝锯片
备料步骤：分别称取铝箔、阻燃导热硅胶基料、相变材料基料；
硫化步骤：将备料步骤中的阻燃导热硅胶基料均匀涂覆于铝箔的顶面上，放置于隧道炉中进行硫化，硫化完成后，形成阻燃导热硅胶层；
热涂覆步骤：将备料步骤中的相变材料基料均匀热涂覆于完成硫化步骤后的铝箔的底面上，控制温度为65-75℃，形成相变材料层，即得到阻燃相变散热结构。
10.根据权利要求9所述的阻燃相变散热结构的制作方法，其特征在于，硫化步骤中，硫化的过程的参数设置为：一区温度为125℃，二区温度为135℃，三区温度为140℃，四区温度为145℃，每个温度区的硫化时间均为1.5分钟。
技术说明书
一种阻燃相变散热结构及其制作方法
技术领域
本技术涉及一种散热结构，具体涉及一种阻燃相变散热结构及其制作方法。
背景技术
散热片是一种给电器中的易发热电子元件散热的装置，多由铝合金，黄铜或青铜做成板状，片状，多片状等，如电脑中CPU中央处理器要使用相当大的散热片，电视机中电源管，行管，功放器中的功放管都要使用散热片。一般散热片在使用中要在电子元件与散热片接触面涂上一层导热硅脂，使元器件发出的热量更有效地传导到散热片上，再经散热片散发到周围空气中去。
现有技术中大都采用金属散热片，金属散热片虽然本身导热系数高，但是界面性质很差，与热源接触时有很大的接触热阻，不能很好的将热量从热源传递到金属，从而影响散热。
木盒制作
技术内容
针对现有技术的不足，本技术的第一个目的是在于提供一种阻燃相变散热结构及其制作方法，该阻燃相变散热结构具有导热性好、阻燃性好、柔韧可压缩的特点，同时还具有相变储能特性。
本技术的第二个目的是为了提供供一种阻燃相变散热结构及其制作方法的制作方法。
实现本技术的第一个目的可以通过采取如下技术方案达到：
一种阻燃相变散热结构，包括铝箔，其特征在于，所述铝箔的顶面上涂覆有阻燃导热硅胶层，其底面上涂覆有相变材料层；
相变材料层由按重量份计的以下原料制备而成：聚异丁烯15-20份、石蜡10-15份、氢氧化铝20-40份、氢氧化镁20-40份、偶联剂0.5-1份、分散剂0.5-1份。
作为优选，所述阻燃导热硅胶层由重量份计的以下原料制备而成：甲基乙烯基硅橡胶2-8份、乙烯基硅胶15-20份、二甲基硅油18-25份、含氢硅油0.5-2份、铂金催化剂0.5-1份、氢氧化铝20-40份、氢氧化镁20-40份、纳米二氧化硅10-20份、中空玻璃微珠10-20份。
免水冲厕所作为优选，所述氢氧化铝与氢氧化镁的重量比为1.2-2:1。
www.hgnc>搅拌头作为优选，所述氢氧化铝与氢氧化镁的重量比为1.5:1。
作为优选，所述纳米二氧化硅的粒径为1.5-10nm。
作为优选，所述中空玻璃微珠的粒径为30-50μm。
优选的，所述相变材料层的导热系数为1.5-2.0w/mk，相变温度为50-60℃。
作为优选，所述铝箔的厚度为0.02-0.04mm，所述阻燃导热硅胶的厚度为0.03-0.8mm，所述相变材料层的厚度为0.03-0.8mm。
实现本技术的第二个目的可以通过采取如下技术方案达到：
一种阻燃相变散热结构的制作方法，其特征在于，包括：
备料步骤：分别称取铝箔、阻燃导热硅胶基料、相变材料基料；
硫化步骤：将备料步骤中的阻燃导热硅胶基料均匀涂覆于铝箔的顶面上，放置于隧道炉中进行硫化，硫化完成后，形成阻燃导热硅胶层；
热涂覆步骤：将备料步骤中的相变材料基料均匀热涂覆于完成硫化步骤后的铝箔的底面上，控制温度
为65-75℃，形成相变材料层，即得到阻燃相变散热结构。
作为优选，硫化步骤中，硫化的过程的参数设置为：一区温度为125℃，二区温度为135℃，3d涂鸦笔
三区温度为140℃，四区温度为145℃，每个温度区的硫化时间均为1.5分钟。
本技术的有益效果在于：
1、本技术的阻燃相变散热结构的铝箔，具有优异的导热性能。铝的导热系数也达到
270w/mk，具有强大的散热功能。另外由于铝箔表面附着有阻燃导热硅胶层，导热硅胶层为弹性体，具有很好的柔韧性和可压缩性，同时铝箔表面附着的相变材料层，具有从固相到液相的相转变过程，在相变过程中将产生吸收大量的潜热，能够较好地解决短时、周期性工作的大功率设备或受周期性好热流密度影响设备的温度控制问题，本技术的相变材料层添加了氢氧化铝、氢氧化镁，具有优异的阻燃效果。因此，该阻燃相变散热结构具有导热性好、阻燃性好、柔韧可压缩的特点，同时还具有相变储能特性。
2、本技术的阻燃导热硅胶层中添加了氢氧化铝、氢氧化镁，具有优异的阻燃效果，同时还添加了纳米二氧化硅、中空玻璃微珠，大幅度提高了耐高温性。
具体实施方式
下面，结合具体实施方式，对本技术做进一步描述，以下实施例中，除特殊说明外，所有原料均可从市场购得。
实施例1：
一种阻燃相变散热结构的制作方法，包括：
备料步骤：分别称取铝箔、阻燃导热硅胶基料、相变材料基料；其中，所述阻燃导热硅胶层由重量份计的以下原料制备而成：甲基乙烯基硅橡胶6份、乙烯基硅胶18份、二甲基硅油20份、含氢硅油1份、铂金催化剂0.8份、氢氧化铝30份、氢氧化镁20份、纳米二氧化硅15份、中空玻璃微珠15份。
硫化步骤：将备料步骤中的阻燃导热硅胶基料均匀涂覆于铝箔的顶面上，放置于隧道炉中进行硫化，硫化完成后，形成阻燃导热硅胶层；硫化的过程的参数设置为：一区温度为
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