《太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法》编制说明uc3907
-工作概况：
1不锈钢消声器、 任务来源
根据国家标准化管理委员会关于下达(国标委综合【2011】82号)《2011年第三批国家 标准制修订计划的通知》文件,东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司承担制定项目编号为 “20111477—T—469”的国家标准《太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法》的任务。 2、 制定单位概况
东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司经过四十多年的建设和发展，现资产总额达30 多亿元，已形成硅材料(多晶硅、单晶硅、硅片)、高(超)纯金属材料、化合物半导体材料及 高纯气体、高纯试剂等4大产品系列，产品品种及规格达650多个。目前主要产品年生产能 力已达到：多晶硅2200吨，单晶硅600吨、硅片3600万片、高纯金属65吨，是全国较大 的多晶硅和高纯金属生产供应商，也是目前国内少数几个能独立生产全系列半导体材料和太 阳能级硅材料的生产厂家之一。在检验检测方面拥有辉光放电质谱仪太阳能热水器清洗机(GD-MS)、电感耦合等 离子体质谱
仪(ICP-MS)、电感耦合等离子体光谱仪(ICP-0ES)、低温傅里叶变换红外光谱仪、 气相谱仪、原子吸收分光光度仪、极谱仪、硅片分选测试仪、少子寿命测试仪等大型检测 设备及多种微量便携式检测设备，产品分析检测体系完善，并多次主持和参与国家及行业标 准的制定和修改。
3、 编制过程
3.1、 2011年12月，根据任务要求制定编制工作计划，填写并上交《落实任务书》。
3.2、 收集国内外相关标准及技术资料，了解检测设备的设备结构、设备性能及操作等情况 对各种影响测试的因素进行分析。
3.3、 2012年5月，完成《太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法》草案稿的编写工 作。
3.4、 2012年6月，在上海完成了《太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法》讨论稿 的评审工作。
3.5、 2012年7月，根据专家对《太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法》讨论稿意 见，对原标准进行修订。
3.6、2012年7月底至8月，对《太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法》标准进行 重复性和再现性试验论证，并编写实验报告。
4、 标准修订的主要内容
4.1增加部分
4.1.1规范性引用文件中增加太阳能硅片的两个国标。
4.2删除部分
4. 2. 1删除“干扰因素中” 4.1.2中的“崩边”内容。
一个度导航4. 2. 2删除图4平台示意图中的尺寸标注和取片槽。
4. 2. 3删除探头传感原理的表述。
4. 2.4删除标题6的“取样原则”。
4. 2. 5删除6. 1取样及6. 3硅片标记内容全部。
4. 2. 6删除7. 3. 3关于厚度标定内容。
4. 2. 7删除7.4. 1中“为非接触式”及7. 4. 1.4中“可自动记录五点厚度测量值”。
4.2.8删除8. 1中“直接计数的测量仪”及“如仪器为直接计数，可直接读出所测硅片的总 厚度变化值”。
4. 2. 9删除9. 1. 3中关于不用于商业谈判和仲裁的全部内容。
4. 3修改部分
4. 3. 1为统一行业标准用语，将题目《太阳能级硅片厚度及总厚度变化测试方法》改为《太 阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法》
4.3.2将“范围”中的“本检测方法”改为“本标准”；在“电池用硅片”后面注明“（以下 简称硅片）”；将“测量大于等于100mmX 100mm的硅片”改为“符合规定尺寸的硅片”。
4. 3.3将“范围”中的标准规定的两个内容合并置前，标准适用内容置后。
4.3.4将“方法提要”中图1、图2、图3所示的测试点位置重新标注，并注明距两边15mm。
4. 3. 5保健油将3. 1中标称厚度和总厚度变化的解释提前。
4. 3. 6将4. 2.5内容改为“本标准扫描方式为按规定的路径进行扫描，路径偏差可产生测试 结果偏差二
4. 3.7测最平台的表述中去掉“厚度15mm”以上；改为“光洁平整”。
4. 3. 8将5. 1. 2. 1—5. 1. 2. 6等编号用a—f等符号表示。
4. 3. 9将7. 1. 3中的"10000级洁净室”根据国标改为“8级洁净室”。
4. 3. 10将7. 1.4中内容移至干扰因素中。
4. 3.11将7. 4.2.2 “测量仪TTV清零”改为“指示器复位”；修改图标的引用。
4. 3. 12将9精密度中“直径200±0. 5 mm”改为“156 mm X156 mm ”：将表1、表2重复 性实
验数据表放到实验报告中。
—本标准编制的原则和依据
1、标准编制原则
1.1标准的编写格式按国家标准GB/T1. 1-2009《标准化工作导则 第1部分：标准的结构和 编写》的统一规定和要求进行编写。
1.2综合考虑太阳能用电池片的自身特性和状况，制定本标准。
1.3在制定本标准时，综合考虑国内生产企业的技术生产现状及技术发展趋势的原则。
2、 本标准的依据
本标准是在充分理解国际先进标准的基础上，参考太阳能行业中其他的国家标准和行业 标准，根据我国国内目前太阳能行业的需求和技术状况制订的。
3、验证试验情况和结果
本标准验证试验用硅片样品全部山峨嵋半导体材料有限公司提供，共有厚度范围200 u m ±201 m,标称尺寸156mm X 156mnnmn单晶硅片10片。
测试地点包括：峨嵋半导体材料有限公司、新夭源太阳能科技有限公司、青洋电子材料 有限公司、有研半导体材料有限公司
通过数据分析，可以看出在严格执行设备的检定、校准及选择同样测试条件后，在一定 的范围内，本标准具有较好的准确性，可以达到满足要求的重复性，在所测量的范围内具有 可接受的不确定度，不同设备间的比对也是可以接受的。
镜片镀膜
三 关于本标准编制中一些问题的说明
本标准在确定测量硅片厚度4个对称位置点位置时，以标称尺寸156mmX156nimmm硅片 为例，做了如下考虑：
1、 若取硅片对角线上距两边10mm的位置点，对于单晶片，则该点距硅片对角线顶角边缘只 有3.8mm；对于多晶片，则该点距硅片对角线顶角边缘为13.5mm。
2、 若取硅片对角线上距两边15mm的位置点，对于单晶片，则该点距硅片对角线顶角边缘为 10.9mm；对于多晶片，则该点距硅片对角线顶角边缘为20.5mm。
3、 考虑目前国内手动或在线检测设备探头直径普遍在15mm—20mni,本标准的制定既要兼顾 手动和在线测试，又要兼顾单晶片和多晶片，为满足生产实用性和科学性，最后确定在进行 总厚度变化测试时，取硅片对角线交点和对角线上距两边15mm的4个对称位置点测量•硅片 厚度。
本标准为达到国内先进水平。建议推荐为国家标准。
标准编制工作组
2012 年 9 月 24 口
豫公网安备41160202000603
站长QQ:729038198
关于我们
投诉建议