最新电大《光伏检测与分析》形考作业任务01-04网考试题及答案 100%通过
考试说明：《光伏检测与分析》形考共有4个任务。任务1至任务4是客观题，任务1至任务4需在考试中多次抽取试卷，直到出现01任务_0001、02任务_0001、03任务_0001、04任务_0001试卷，就可以按照该套试卷答案答题。做考题时，利用本文档中的查工具，把考题中的关键字输到查工具的查内容框内，就可迅速查到该题答案。本文库还有其他教学考一体化答案，敬请查看。
01任务
01任务_0001
一、单项选择题（共 10 道试题，共 20 分。）
1. 缓冲剂一般是（）。
A. 强酸强碱
B. 弱酸弱碱
C. 弱酸
D. 弱碱
2. 一般认为利用金属与半导体的点接触整流原理来测量导电类型的方法适用于室温电阻率在（）的硅单晶。 A. 小于1000Ω•cm
B. 1～1000Ω•cm
C. 大于1000Ω•cm
D. 以上皆不是
3. 目前国内外广泛采用（）测量半导体硅单晶电阻率。
A. 两探针法
B. 四探针法
C. 扩展电阻法
D. 范德堡法
4. 用冷热探笔法测量（）半导体时，冷端带正电，热端带负电。
A. P型
B. N型
C. PN型
D. 以上皆不是
5. 半导体器件厂就是用一定型号的（）来生产出所需要的半导体元件。
A. 单晶
B. 多晶
C. 非晶
D. 以上皆不是
A. 大
B. 小
C. 一样大小
D. 未知
7. （）是半导体中最主要的缺陷，它属于线缺陷。
A. 空位
B. 位错
C. 层错
D. 杂质沉淀
8. （）是最简单的点缺陷。
塑料单向阀A. 空位
B. 填隙原子
C. 络合体
D. 外来原子
9. 三探针法属于利用半导体的（）来测量导电类型的方法。
A. 温差电效应
B. 整流效应
C. 以上二种皆可
D. 以上二种皆不可
10. （）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。
A. 点缺陷
B. 线缺陷
C. 面缺陷
D. 微缺陷
二、多项选择题（共 10 道试题，共 30 分。）
1.
国内外半导体硅单晶导电类型的测量具体方法有（）。
A. 冷热探笔法
B. 三探针法
C. 单探针点接触整流法
D. 冷探笔法
2.
半导体晶体缺陷中的宏观缺陷主要有（）。
A. 星形结构
B. 杂质析出
C. 系属结构
D.
点缺陷
3.
高频光电导衰退法的优点主要有（）。 B. 测量时不必制作欧姆电极
D. 应用广泛
4.
陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以采用（）。
A. 使整个样品加底光照
B. 加底光照后用氙灯闪光进行照射
C. 将硅单晶加热到50～70℃
D. 将硅单晶加热到60～80℃
5.
半导体中非平衡少子载流子寿命的大小对半导体器件的（）有直接影响。
高攀1v 1hA. 太阳能电池的光电转换效率
B. 晶体管的放大倍数
C. 开关管的开关时间
D. 太阳能电池的填充因子
6.
半导体硅的常用腐蚀剂主要有（）。
A. Sirtl腐蚀液
B. Dash腐蚀液
C. Wright腐蚀液
D. Shimmel腐蚀液
7.
直流光电导衰退法的缺点主要有（）。
A. 对样品有几何形状和几何尺寸的要求
B. 要求制备符合一定要求的欧姆接触
C. 测量下限较高
D. 仪器线路比较复杂
8.
高频光电导衰退法的缺点主要有（）。
B. 干扰比较大
C. 测试方法比较简单
D. 依靠电容耦合
9.
半导体晶体缺陷中的微观缺陷主要有（）。
A. 点缺陷
B. 位错
C. 层错苒苒草
D. 杂质沉淀
10.
稳态法测量非平衡少数载流子寿命，主要采用的方法有（）。
A. 光电导衰退法
B. 扩散长度法
C. 光磁法
D. 光脉冲法
三、判断题（共 10 道试题，共 20 分。）
1.
漩涡缺陷的A缺陷比B缺陷大得多，而数量上少两个数量级。
A. 错误
B. 正确
2.
半导体的陷阱中心数量是变化的。
A. 错误
B. 正确
3.
硅单晶在不同腐蚀液中，P型硅的电极电位比N型硅的高。
A. 错误4.
用冷热探笔法测量N型半导体时，冷端带负电，热端带正电。
A. 错误
B. 正确
5.
腐蚀液的成分对腐蚀速度影响最大。
A. 错误
B. 正确
6.
测量半导体硅单晶导电类型时，通常要对表面进行喷砂处理或进行研磨处理。
订舱系统A. 错误
B. 正确
7.
用冷热探笔法测量半导体硅单晶导电类型时，热探笔的温度要适当，以40～50℃为宜。
永磁马达A. 错误
B. 正确
8.
被腐蚀的半导体电极电位低的是负极，电极电位高的是正极，正级被腐蚀溶解。
A. 错误
B. 正确
9.
半导体体内的缺陷可用金相显微镜进行观察和计数。
A. 错误
B. 正确
10.
当半导体内注入了非平衡载流子后，一方面依靠体内的杂
中心。
A. 错误
B. 正确
四、连线题（共 10 道试题，共 30 分。）
1.
将下列不同电阻率的测量电流范围一一对应。
（1）样品电阻率>1000 A.样品电流＜1 （2）样品电阻率30～1000 B.样品电流＜0.1 （3）样品电阻率1～30 C.＜0.01
（1）C
（2）B
（3）A
2.
将下列半导体硅的常用腐蚀剂液体试剂的浓度一一对应。（1）HCL A.冰醋酸
（2）HAc B.36%
（3）H2O2 C.30%
（1）B
（2）A
（3）C
3.
（1）A
旋转密封件
（2）B
（3）C 4.
将下列半导体晶体缺陷类型一一对应。
（1）宏观缺陷 A.杂质沉淀（2）微观缺陷 B.星形结构
（3）表面机械损伤 C.加工损伤
（1）B
（2）A
（3）C
5.
将下列微观缺陷种类与说法一一对应。
（1）空位 A.晶格点阵上的原子由于热运动或辐照离开其平衡位置跑到晶格的空隙中或晶体的表面
（2）填隙原子 B.占据晶格空隙处的多余原子
（3）络合体 C.空位与杂质原子相结合而形成的复合体（1）A
（2）B
（3）C
6.
将下列硅的腐蚀剂与腐蚀时间一一对应。
（1）Shimmle腐蚀液 A.10～15min
（2）Wright腐蚀液 B.20 min以上（3）Sirtl腐蚀液 C.5min （1）C
（2）B
（3）A
7.
将下列不同电阻率的测量电流范围一一对应。
（1）样品电阻率＜0.01 A.样品电流＜100 （2）样品电阻率0.01～1 B.样品电流＜10 （3）样品电阻率1～30 C.＜1
（2）B
（3）C
8.
将下列硅的腐蚀剂与腐蚀时间一一对应。
（1）Sirtl腐蚀液 A.10～15min （2）Dash腐蚀液 B.20 min以上
（3）Secco腐蚀液 C.1～16h
（1）A
（2）B
（3）C
9.
将下列电阻率测量方法与电阻率值一一对应。答题框中填写答案对应的选项即可
（1）冷热探笔法 A.10-4～104Ω•cm （2）整流法 B.1～1000Ω•cm （3）两探针法 C.1000Ω•cm以下（1）冷热探笔法 C
（2）整流法 B
（3）两探针法 A
10.
将下列半导体硅的常用腐蚀剂液体试剂的浓度一一对应。（1）HF A.70%
（2）HNO3 B.49%
（3）H2O2 C.30%
（1）B
（2）A
（3）C
02任务
02任务_0001 一、单项选择题（共 10 道试题，共 20 分。）
1.
样品制备中选择样品厚度的原则是使吸收峰处的透射率为（）。
A. 10%-70%
B. 10%-80%
C. 20%-70%
D. 20%-80%
2.
直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（）。
A. 较高
B. 相同
C. 较低
D. 无法判断
3.
双光束光栅红外分光光度计，测碳的分辨率应不大于（）。
A.
B.
C.
D.
4.
K系辐射线可以细分为及，他们辐射的强度比约为（）。
A. 1：1
B. 2:1
C. 3:1
D. 4:1
5.
X射线剂量用伦琴表示，符号用r，根据国际放射学会议规定，普通人的安全剂量应为每周不超过（）r。
A. 0.2
豫公网安备41160202000603
站长QQ:729038198
关于我们
投诉建议