2010-6-13
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FLASH芯片及优盘知识
SLC，全称单层式储存单元（Single Level Cell），MLC全称多层式储存单元（Multi Level Cell），SLC和MLC是NAND闪存芯片的种类，它们的区别主要是结构不同。SLC芯片中，每个存储单元只存放1Bit的资料，所以成本高，价格贵，但是相对效率高，速度快，可靠性高，寿命长且少电。而MLC通过使用大量的电压等级，在每个储存单元存放2Bit的资料，数据密度较大，但是相对SLC性能和寿命都差了不少，唯一的优势就是成本便宜。 1、理论寿命：SLC可10万次擦写，MLC只能1万次擦写，SLC是MLC的10倍；
2、理论速度：写入速度SLC大约是MLC的4倍左右，读取速度SLC是MLC的两倍左右；
3、耗电：MLC比SLC耗电；
4、稳定性：SLC结构简单，控制容易，控制芯片兼容性好，MLC结构相对复杂，控制芯片兼容性相对要差。
以上是SLC和MLC NAND闪存芯片的主要区别，目前市场上的闪盘多采用MLC芯片，这就是闪盘大幅降价，而采用SLC芯片的SSD价格变化不大的主要原因。
什么是SLC和MLC？
SLC全称为隧道烘箱验证方案Single-Level Cell，MLC全称为Multi-Level Cell。数码播放器中一般采用两种不同类型的线路板制作NAND闪存。其中一种叫做SLC（Single Level Cell），单层单元闪存；第二种叫做MLC（Multi Level Cell），多层单元闪存。两者的主要区别是SLC每一个单元储存一位数据，而MLC通过使用大量的电压等级，每一个单元储存两位数据，数据密度比较大。
SLC芯片和MLC技术特点
一般而言，SLC虽然生产成本较高，但在效能上大幅胜于MLC。水隔离泵SLC晶片可重复写入次数
约10万次，而MLC晶片的写入次数至少要达到1万次才算标准，而目前三星MLC芯片采用的MLC芯片写入寿命则在5000次左右。
A.读写速度较慢。相对主流SLC芯片，MLC芯片目前技术条件下，理论速度只能达到2MB左右，因此对于速度要求较高的应用会有一些问题。
B.MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。
C.MLC理论写入次数上限相对较少，因此在相同使用情况下，使用寿命比较SLC短。
MP3主控芯片对MLC支持的现状
随着三星、现代、东芝的MLC闪存芯片开始量产，但是，由于全新的MLC芯片在存储密度等方面加大，对主控芯片的要求也越来越高。特别是对于读写频繁的数码播放器来说，由于MLC闪存的出错几率很高，对于视频和音频这样的应用来说，必需具备ECC校验机制，目前有的主控芯片通过纯软件校验，这样，无形当中加重了主控芯片的负担。也有部分主控通过硬件的4bit ECC校验和软件校验相结合，从而减轻了主控负担，但是这只是在一定程度上减少出错的几率，MLC的芯片写入次数限制和传输速度等缺点是无法克服的。
今年在业界闹的沸沸扬扬的欧洲大批量SD卡招回后国内倾销风波，就是因为主控的原因惹的祸，造成了很大的影响，数据读写量更大的MP3/MP4此类对主控要求的严格程度可见一斑。
固态高频
如何识别MLC芯片
1、传输速率：由于MLC芯片技术所限，目前市面上的彩印业务MP3如果采用了高速USB接口，同样的Mp3出现传输速度相差比较大的，比如Rockchip主控芯片写入速度可以超过3MB/s，如果有的品牌产品只有1M多，不超过2MB，就有可能采用MLC芯片。 2、芯片编号：三星MLC芯片采用的芯片编号为：K9G****** K9L*****。现代MLC芯片采用的芯片编号为：HYUU**** HYUV***
总结：
MLC在架构上取胜SLC，而且国内外厂商也针对MLC做了很多的优化和开发，未来很有可能取代SLC闪存芯片。但是就目前来说，数码播放器主控芯片对MLC的支持应用目前还不是很成熟，相信很快就会有更好的解决方案出台。
目前MLC和SLC 在2GB闪存芯片上的价格相差了将近100多元，他们的差异还是比较明显的。所以对于选择数码播放器的朋友，选择更便宜廉价的MLC芯片产品还是选择稳定性和性能更好的SLC产品，就看你的需要了。
理性购买闪存产品 [闪存产品质量分析]--闪存芯片扫盲贴
近年来,以Flash为核心的存储产品发展快速,容量从早先的8MB/16MB/32MB/64MB到现在的8GB/16GB/32GB,如今基于FLASH的SDD也正逐步普及之中,而价格则从早先的贵族产品到现在30、40元就能买到U盘、各类存储卡。而随处可见的地摊上面也以超低的价格贩卖起64GB甚至是128GB的闪存产品。但是，你是否知道,在低价的背后,随着新技术的应用,Flash的寿命通常并不是在增高,而是降低?
SLC和MLC
几年前,U盘/闪存卡价格很高,并不仅仅因为其是较新的技术.几年前的闪存产品通常都使用基于SLC架构的FLASH,这种FLASH是最基本的闪存架构,他一个单元仅能存储1个BIT的数据,但是这种架构有着高速/高寿命/低电压驱动的优势等,缺点在于制造容量越大,制造难度的增高促使成本增高.
2004年之后,闪存产品价格不断降低以及闪存产品容量的需要,一种使用后续的架构生产的闪存产品开始在市场上普及开来,这便是采用MLC架构生产的闪存产品.采用MLC架构的闪存产品一个单元能存放2BIT的数据,应此同样大小的圆晶上可以做出比SLC大出将近1倍容量的闪存(同样制程下)(圆晶可是很贵的哦),应此价格低廉.读到这里,你也许会说既然MLC有如此优点,那他一定是比SLC更好的架构.非也非也,采用MLC架构制作的闪存虽然在容量/价格上占了优势,但是由于其本身速度较之SLC慢,出错率也高,所以速度远不及SLC,此外,MLC寿命也只有流量测量装置SLC的1/10为1万次(这里指的是写寿命,无论SLC/MLC还是TLC,读取寿命接近无限因此可以不计)
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