CP是把坏的Die挑出来，可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道Wafer的良率。 FT是把坏的chip挑出来；检验封装的良率。
现在对于一般的wafer工艺，很多公司多吧CP给省了；减少成本。
ＣＰ 对整片Ｗａｆｅｒ的每个Ｄｉｅ来测试
而ＦＴ 则对封装好的Ｃｈｉｐ来测试。
ＣＰ Ｐａｓｓ 才会去封装。然后ＦＴ，确保封装后也Ｐａｓｓ。
WAT是Wafer Acceptance Test，对专门的测试图形（test key）的测试，通过电参数来监控各步工艺是否正常和稳定；
2 M2 l7 X* D: K+ BCP是wafer level的chip probing，是整个wafer工艺，包括backgrinding和backmetal（if needed），对一些基本器件参数的测试，如vt,Rdson,BVdss,Igss,Idss等，一般测试机台的电压和功率不会很高；
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FT是packaged chip level的Final Test，主要是对于这个（CP passed）IC或Device芯片应用方面的测试，有些甚至是待机测试；
% c; }+ b5 |0 ]Pass FT还不够，还需要作process qual和product qual
CP测试对Memory来说还有一个非常重要的作用，那就是通过MRA计算出chip level的Repair address，通过Laser Repair将CP测试中的Repairable die修补回来，这样保证了yield和reliability两方面的提升。
CP是对wafer进行测试,检查fab厂制造的工艺水平 FT是对package进行测试,检查封装厂制造的工艺水平
+ W! E# i R* ?8 u' x1 C对于测试项来说,有些测试项在CP时会进行测试,在FT时就不用再次进行测试了,节省了FT测试时间;但是有些测试项必须在FT时才进行测试(不同的设计公司会有不同的要求)
一般来说，CP测试的项目比较多，比较全；FT测的项目比较少，但都是关键项目，条件严格。但也有很多公司只做FT不做CP(如果FT和封装yield高的话，CP就失去意义了)。
在测试方面，CP比较难的是探针卡的制作，并行测试的干扰问题。FT相对来说简单一点。还有一点，memory测试的CP会更难，因为要做redundancy analysis,写程序很麻烦。
CP在整个制程中算是半成品测试，目的有2个，1个是监控前道工艺良率，另1个是降低后道成本（避免封装过多的坏芯片），其能够测试的项比FT要少些。最简单的一个例子，碰到大电流测试项CP肯定是不测的（探针容许的电流有限），这项只能在封装后的FT测。
不过许多项CP测试后FT的时候就可以免掉不测了（可以提高效率），所以有时会觉得FT的测试项比CP少很多。
应该说WAT的测试项目和CP/FT是不同的。CP不是制造（FAB）测的!
而CP的项目是从属于FT的（也就是说CP测的只会比FT少），项目是完全一样的；不同的是卡的SPEC而已；因为封装都会导致参数漂移，所以CP测试SPEC收的要比FT更紧以确保最终成品FT良率。还有相当多的DH把wafer做成几个系列通用的die，在CP时通过trimming来定向确定做成其系列中的某一款，这是解决相似电路节省光刻版的最佳方案；所以除非你公司的wafer封装成device是唯一的，且WAT良率在99%左右，才会盲封的。
据我所知盲封的DH很少很少，风险实在太大，不容易受控。
WAT:wafer level的管芯或结构测试
CP:wafer level的电路测试含功能.
' C, P/ [6 w7 \; S# j [FT:device level的电路测试含功能.
CP = chip probing.
, j! J, z8 o1 g/ {FT= FInal Test.
CP 一般是在测试晶圆，封装之前, 封装后都要FT的。不过bump wafer是在装上锡球，probing 后就没有FT.
FT 是在封装之后，也叫“终测”。意思是说测试完这道就直接卖去做application.
CP 用prober, probe card。FT 是handler, socket.
CP 比较常见的是room temperature = 25度,FT 可能一般就是75或90度
CP没有QA buy-off， FT 有
CP 两方面
1.监控工艺.所以呢，觉得probe实际属于FAB范畴
2.6 w; o8 `6 w" I- l: C% B控制成本。financial g ate。我们知道FT封装和测试成本是芯片成本中比较大的一部分，所以把次品在probe中reject掉或者修复，最有利于控制成本
FT:
终测通常是测试项最多的测试了，有些客户还要求3温测试，成本也最大。 J* L3 Z2 u+ u C. L
节能蒸汽炉至于测试项呢，
1.如果测试时间很长，CP和FT又都可以测，像trim项，加在probe能显著降低时间成本，当然也看客户要求。
2.. F+ s& Z6 k3 W: x5 G关于大电流测试呢，FT多些，但是我在probe也测过十几安培的功率mosfet,一个PAD上十多个needle。/ y" m+ c( B+ d6 X7 A/ b1 I6 [4 Y
3.有些PAD会封装到DEVICE内部，在FT是看不到的，所以有些测试项只能在CP直接测，像功率管的GATE端漏电流测试Igss
供应链金融管理
CP测试主要是挑出坏die，修补die，然后保证die在基本的spec内，function well.
碳油FT测试主要是package完后，保证die在严格的spec内能够function. % I6 J, v6 q4 K; x2 w+ E6 T& d; N" S3 L纳米金粉
CP的难点在于，如何在最短的时间内挑出坏die,修补die。
: |5 r9 E9 n1 }- O' j包装箱制作FT的难点在于，如何在最短的时间内，保证出厂的Unit能够完成全部的Function。
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