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用于制造至少一个第一和第二微镜设备的方法与流程

1.本发明涉及一种用于制造至少一个第一和第二微镜设备的方法。此外，本发明涉及借助所述方法来制造的第一和/或第二微镜设备并且涉及尤其是借助根据权利要求1至13中任一项的方法来制造的、具有第一和/或第二镜板的第一和/或第二微镜设备，所述第一和/或第二镜板分别具有多晶硅层。

背景技术：

2.从文件wo2014/064606a1中已知一种用于制造微镜的方法。在此使用氧化硅晶片，该氧化硅晶片首先在一个方法步骤中借助湿法蚀刻沿着分离平面被分离，并且，在另一个单独的方法步骤中将微镜的镜板分离。
3.从该现有技术出发，本发明的任务是产生一种用于制造微镜设备的简化的方法。

技术实现要素：

4.为了解决该任务，提出了一种用于制造至少一个第一和第二微镜设备的方法。“微镜设备”在此尤其是指机械微镜，即尚未与微镜的驱动单元连接的微镜。在一个方法步骤中，提供尤其是板状的、具有前侧和背侧的硅晶片。“硅晶片的前侧”尤其是指在完成制造的微镜设备中的、在朝向微镜设备的、用于入射光束的反射表面的方向上定向的侧面。在进一步的方法步骤中，将氧化硅层热施加到所述硅晶片的至少所述前侧上，尤其是以氧化硅层的、在1μm至3μm的范围内的层厚度。尤其施加具有2μm的层厚度的氧化硅层。在随后的方法步骤中，如此去除所述氧化硅层尤其是直至所述硅晶片的外表面，使得产生所述氧化硅层的至少一个第一分离区域和至少一个第二分离区域。在此，所述氧化硅层的第一和第二分离区域在空间上、沿着分离平面彼此分离地布置。相应地，在氧化硅层的第一和第二分离区域之间不再存在任何材料凝聚力(zusammenhalt)。所述分离平面尤其是基本上垂直于硅晶片的外表面布置的平面。在进一步的方法步骤中，将硅层、尤其是具有在5μm至50μm的范围内的层厚度的多晶硅层施加到所述硅晶片的前侧和所述氧化硅层上，尤其是施加到所述氧化硅层的第一和第二分离区域上。所述硅层即与硅晶片的前侧、尤其是硅晶片的前侧的外表面直接接触并且与氧化硅层、尤其是与氧化硅层的外表面直接接触。进一步，将蚀刻掩模施加到所述硅晶片的背侧上，其中，所述蚀刻掩模沿着所述氧化硅层的第一和第二分离区域的分离平面具有第一开口。所述蚀刻掩模尤其是硬掩模或抗蚀剂掩模。作为蚀刻掩模尤其将另一个氧化硅层施加到所述硅晶片的背侧上。在进一步的方法步骤中，然后，根据在所述硅晶片的背侧上的蚀刻掩模并且根据所述硅晶片的氧化硅层、尤其是所述氧化硅层的第一和第二分离区域，借助蚀刻方法来去除所述硅层、尤其是所述硅层的一部分和所述硅晶片、尤其是所述硅晶片的一部分，使得产生至少一个第一和第二微镜设备。蚀刻掩模以及氧化硅层在此用作停止蚀刻的层(蚀刻停止层)。通过在这里描述的方法内使用预结构化的氧化硅晶片能够实现在唯一的方法步骤中实施最后描述的方法步骤，在该最后描述的方法步骤中使所述微镜设备彼此分离。优选，通过借助蚀刻方法去除所述硅层、尤其是所述硅层的
一部分，产生所述硅层的至少一个第一分离区域和第二分离区域。在此，所述硅层的第一和第二分离区域在空间上、沿着所述分离平面彼此分离地布置并且因而构造第一微镜设备的第一镜板和第二微镜设备的第二镜板，所述第一镜板具有硅层的第一分离区域，所述第二镜板具有硅层的第二分离区域。这样的镜板的反射表面稍后在一个微镜中用于使入射光束偏转，例如以投影图像。这样的镜板具有例如50mm2至200mm2的反射面积。所述镜板具有例如圆形、椭圆形或矩形的形状。在本上下文中，氧化硅层的第一和第二分离区域优选根据第一微镜设备的第一镜板的和第二微镜设备的第二镜板的所需的相应的尺寸和相应的形状(尤其是圆形和/或椭圆形和/或矩形的形状)来产生。进一步优选地，通过借助蚀刻方法去除所述硅晶片、尤其是所述硅晶片的一部分，产生所述硅晶片的至少一个第一分离区域和第二分离区域。在此，硅晶片的第一和第二分离区域在空间上、沿着分离平面彼此分离地布置。因而，产生第一微镜设备的第一加固结构(versteifungsstruktur)和第二微镜设备的第二加固结构，所述第一加固结构具有硅晶片的第一分离区域和氧化硅层的第一分离区域，所述第二加固结构具有硅晶片的第二分离区域和氧化硅层的第二分离区域。这样的加固结构用于将镜板与微镜的稍后的驱动单元连接。在此，一方面，所述加固结构应具有尽可能小的重量，以便实现该微镜的高度的可运动性，另一方面，所述镜板的加固结构必须提供必要的稳定性。在本上下文中，所述蚀刻掩模优选还具有至少一个第二开口，所述第二开口尤其用于将第一加固结构分离成第一加固结构的第一分离区域和第一加固结构的第二分离区域。因而，相应的加固结构可以构造为至少两个彼此平行延伸的加固支柱(versteifungsstreben)。
5.优选，作为蚀刻方法使用等离子体蚀刻方法、尤其是drie蚀刻方法。替代地，作为蚀刻方法使用离子束蚀刻方法。因而，能够在唯一的方法步骤中产生镜板以及微镜设备的加固结构。
6.优选，在所述方法开始时，将硅晶片作为原始晶片提供为具有基本上300至400μm的厚度。在这种情况下，原始晶片在所述方法开始时就已经具有一厚度，成品微镜设备中的加固结构应具有该厚度作为目标厚度，以便满足关于重量和稳定性的条件。替代地，在所述方法开始时，将硅晶片作为原始晶片提供为具有基本上725μm的厚度。在这种情况下，优选在将硅层、尤其是多晶硅层施加到硅晶片的前侧上和氧化硅层上之后的进一步的方法步骤中，磨去硅晶片的背侧，尤其是直至达到硅晶片的目标厚度。该目标厚度尤其相应于在300μm至400μm的范围内的层厚度。
7.优选，将氧化硅层附加地热施加到硅晶片的背侧上。在这种情况下，如果在所述方法开始时将硅晶片作为原始晶片提供为具有基本上300至400μm的厚度，氧化硅层例如可以作为蚀刻掩模使用在该背侧上。
8.优选地，在进一步的方法步骤中，将第一金属层、尤其是第一金层或第一铝层施加到所述硅层上、尤其是所述硅层的第一分离区域的外表面上。进一步，将第二金属层、尤其是第二金层或第二铝层施加到所述硅层上、尤其是所述硅层的第二分离区域的外表面上。因而，提高了相应的微镜设备的镜板的反射率。优选，为了相对于氧化硅层的第一分离区域定向第一金属层并且为了相对于氧化硅层的至少第二分离区域定向第二金属层，在所述硅层上施加至少两个标记。在此，所述至少两个标记尤其被蚀刻到所述硅层的外表面中。为了将标记以正确的位置施加到硅层上，尤其是使用红外测量设备，借助所述红外测量设备可
以探测所述氧化硅层的第一分离区域的和至少第二分离区域的掩埋在层堆叠内的结构。然后，将所述至少两个标记尤其是施加在层堆叠的边缘区域上。因而，在硅晶片的前侧上的金属层可以朝向所述氧化硅层的第一分离区域的和至少第二分离区域的掩埋在该层构造中的结构定向。
9.优选，进一步将硅层、尤其是硅层的第一分离区域的外表面和硅层的第二分离区域的外表面直接或间接地与粘接带(klebeband)、尤其是单面粘接带连接。尤其可构造为蓝胶带(bluetape)的粘接带一方面用于将完成制造的第一和第二微镜设备运输至微镜的相应的驱动单元，并且另一方面用于停止蚀刻过程，在该蚀刻过程中去除硅层的一部分和硅晶片的一部分。
10.优选，在进一步的方法步骤中，去除所述蚀刻掩模。如果蚀刻掩模是抗蚀剂掩模(lackmaske)，则蚀刻掩模例如借助等离子体剥离(plasmastripp)来去除。在硬掩模作为蚀刻掩模的情况下，可以借助氧化物蚀刻过程来去除蚀刻掩模。如果使用了氧化物蚀刻过程，则同样蚀刻掉在硅晶片的前侧上的氧化硅层的裸露部分。因而，可以减小加固结构对镜板的压力。
11.优选，将所述硅层以硅、尤其是多晶硅的沉积物的形式施加在所述硅晶片的前侧上和所述氧化硅层上、尤其是所述氧化硅层的第一和第二分离区域上以及随后的抛光步骤。
12.本发明的另一个主题是通过前述的方法制造的第一和/或第二微镜设备。
13.本发明的另一个主题是第一和/或第二微镜设备，该第一和/或第二微镜设备尤其是借助前述的方法来制造并且具有第一和/或第二镜板，所述第一和/或第二镜板分别具有多晶硅层。在作为原始晶片的硅晶片中，可以将多晶硅层施加到硅晶片的外表面上。这样的多晶硅层可以简单地施加到硅晶片的任意表面上。优选，多晶硅层具有在5μm至50μm的范围内的层厚度。进一步优选，多晶硅层具有基本上为20μm的层厚度。
附图说明
14.图1a.1至1a.3示意性地示出用于制造至少一个第一和第二微镜设备的方法的第一实施方式的方法步骤。
15.图1b.1至1b.4示意性地示出用于制造至少一个第一和第二微镜设备的方法的第二实施方式的方法步骤。
16.图2示出具有第一和/或第二镜板的第一微镜设备，该第一和/或第二镜板分别具有多晶硅层。
具体实施方式
17.图1a.1至1a.3示意性地示出用于制造至少一个第一和第二微镜设备的方法的第一实施方式的方法步骤。在此，在第一方法步骤10中提供尤其是板状的、具有前侧110和背侧120的硅晶片100。在随后的方法步骤20中，将氧化硅层130施加到硅晶片100的前侧110上，尤其是以氧化硅层130的、基本上为2μm的层厚度135。在随后的方法步骤30中，去除氧化硅层130，尤其是直至硅晶片100的外表面111，使得产生氧化硅层130的第一分离区域131和第二分离区域132。在此，氧化硅层130的第一分离区域131和第二分离区域132在空间上、沿
着分离平面140彼此分离地布置。在随后的方法步骤40中，将硅层150、尤其是具有基本上20μm的层厚度116的硅层施加到硅晶片100的前侧110和氧化硅层130的第一分离区域131和第二分离区域132上。在这种情况下，硅层150是多晶硅层。在随后的方法步骤70中，将蚀刻掩模180施加到硅晶片100的背侧120上。在此，蚀刻掩模180沿着分离平面140具有第一开口190。在这种情况下，蚀刻掩模180是硬掩模，该硬掩模由另一个氧化硅层181构造并且被施加到硅晶片的背侧120上。在随后的方法步骤80中，然后，根据在硅晶片100的背侧120上的蚀刻掩模180并且根据氧化硅层的第一分离区域131和第二分离区域132，借助蚀刻方法来去除硅层150、尤其是硅层150的一部分和硅晶片100、尤其是硅晶片100的一部分，使得产生至少一个第一微镜设备205和第二微镜设备206。在此，氧化硅层130的第一分离区域131和第二分离区域132构造为蚀刻停止层。
18.在所呈现的实施例中，通过在方法步骤80中借助蚀刻方法去除硅层150，产生硅层150的至少一个第一分离区域200和第二分离区域201。硅层150的第一分离区域200和第二分离区域201同样在空间上、沿着分离平面140彼此分离地布置。因而，产生第一微镜设备205的第一镜板211和第二微镜设备206的第二镜板212，该第一镜板具有硅层150的第一分离区域200，该第二镜板具有硅层150的第二分离区域201。
19.进一步，在所呈现的实施例中，通过在方法步骤80中借助蚀刻方法去除硅晶片100，产生硅晶片100的第一分离区域和第二分离区域。在此，硅晶片100的第一和第二分离区域在空间上、沿着分离平面140彼此分离地布置。因而，产生第一微镜设备205的第一加固结构195和第二微镜设备206的第二加固结构196，该第一加固结构具有硅晶片100的第一分离区域和氧化硅层130的第一分离区域131，该第二加固结构具有硅晶片100的第二分离区域和氧化硅层130的第二分离区域132。
20.进一步，在所呈现的实施例中，蚀刻掩模180具有第二开口221、第三开口222、第四开口223和第五开口224。这些开口构造为用于，将第一加固结构195和第二加固结构196分成另外的分离区域，所述另外的分离区域在这个实施方式中构造为第一加固支柱231、第二加固支柱232、第三加固支柱233、第四加固支柱234、第五加固支柱235和第六加固支柱236。
21.在所呈现的、所述方法的第一实施方式中，在方法步骤80中作为蚀刻方法使用等离子体蚀刻方法、尤其是drie蚀刻方法。
22.在所呈现的、所述方法的第一实施方式中，在方法步骤10中，提供具有基本上300至400μm的厚度119的硅晶片100。
23.在进一步的方法步骤60中，在所述方法的第一实施方式中，将第一金属层170施加到硅层150的外表面151上。在这种情况下，第一金属层构造为金层，并且该金层施加在硅层150的区域上，该金层随后相应于硅层150的第一分离区域200。进一步，将第二金属层171施加到硅层150的外表面151上。同样在这种情况下，将第二金属层171构造为金层，并且该金层在此施加在硅层150的区域上，该金层随后相应于硅层150的第二分离区域201。
24.进一步，在方法步骤40之后的方法步骤50中，将两个标记160和161施加在硅层150上。这两个标记160和161在此被蚀刻到硅层150的外表面151中。这些标记160和161用于相对于氧化硅层130的第一分离区域131定向第一金属层170并且相对于氧化硅层的至少第二分离区域132定向第二金属层171。为了将标记160和161以正确的位置施加到硅层150上，为此使用了这里未呈现的红外测量设备，借助该红外测量设备可以探测氧化硅层130的掩埋
在层堆叠内的第一分离区域131和第二分离区域132，该层堆叠具有硅晶片100和硅层。两个标记131和132于是尤其是施加在层堆叠的边缘区域上。
25.进一步，硅层150的第一分离区域200的外表面152和硅层的第二分离区域201的外表面153间接与粘接带220连接。在所呈现的情况中，第一金属层170和第二金属层171直接与粘接带220材料锁合地连接。在所呈现的实施例中，粘接带220一方面在方法步骤80中的蚀刻过程期间用作蚀刻停止层。另一方面，尤其构造为单面粘接带的粘接带220用于，将完成制造的第一和第二微镜设备运输到微镜的、这里未呈现的相应的驱动单元(尤其是压电驱动单元)。
26.在进一步的方法步骤90中，借助氧化物蚀刻过程来去除在此构造为硬掩膜的蚀刻掩模180。在此，同样蚀刻掉氧化硅层130的第一分离区域131的裸露区域241和氧化硅层130的第二分离区域132的裸露区域242。
27.在图1b.1至1b.4中，示意性地示出用于制造至少一个第一和第二微镜设备的方法的第二实施方式的方法步骤。与第一实施方式不同地，在此在方法步骤11中提供具有基本上为725μm的厚度126的硅晶片101。此外，在随后的方法步骤20中，将氧化硅层130不仅施加到硅晶片101的前侧110上，而且还附加地施加到硅晶片101的背侧120上。进一步，与所述方法的第一实施方式不同地，在方法步骤60之后的方法步骤65中磨去硅晶片101的背侧120，直到达到硅晶片101的目标厚度145。目标厚度145在此相应于基本上为300μm至400μm的硅晶片101的厚度。
28.图2示出第一微镜设备300，该第一微镜设备尤其是借助在图1a.1至1a.3或图1b.1至1b.4中描述的方法来制造。在此，微镜设备300具有加固结构310，该加固结构在此分成第一加固支柱311、第二加固支柱312和第三加固支柱313。每个加固支柱311、312和313都具有硅晶片的第一分离区域325的一部分和氧化硅层的第一分离区域330的一部分。加固支柱311、312和313同样可以通过这里未呈现的横向支柱来彼此连接。进一步，第一微镜设备300具有第一镜板320。该镜板320在此具有硅层350的第一分离区域345。硅层350在此构造为多晶硅层。在所呈现的情况下，多晶硅层具有基本上为20μm的层厚度360。

技术特征：

1.一种用于制造至少一个第一微镜设备(205，300)和第二微镜设备(206)的方法，其中，所述方法具有以下方法步骤：-提供(10，11)尤其是板状的、具有前侧(110)和背侧(120)的硅晶片(100，101)，并且-将氧化硅层(130)施加(20)到所述硅晶片(100，101)的至少所述前侧(110)上，所述氧化硅层(130)的层厚度(135)尤其在1μm至3μm的范围内，并且-如此去除(30)所述氧化硅层(130)，尤其是直至所述硅晶片(100，101)的外表面(111)，使得产生所述氧化硅层(130)的至少一个第一分离区域(131)和至少一个第二分离区域(132)，其中，所述氧化硅层(130)的所述第一分离区域(131)和所述第二分离区域(132)在空间上沿着分离平面(140)彼此分离地布置，并且-将硅层(150，350)、尤其是具有在5μm至50μm的范围内的层厚度(116)的多晶硅层施加(40)到所述硅晶片(100，101)的所述前侧(110)和所述氧化硅层(130)上，尤其是施加到所述氧化硅层(130)的所述第一分离区域(131)和所述第二分离区域(132)上，并且-将蚀刻掩模(180)施加(70)到所述硅晶片(100)的背侧(120)上，其中，所述蚀刻掩模(180)沿着所述氧化硅层(130)的第一分离区域(131)和第二分离区域(132)的所述分离平面(140)具有第一开口(190)，并且-根据在所述硅晶片(100，101)的所述背侧(120)上的所述蚀刻掩模(180)并且根据所述硅晶片(100，101)的所述氧化硅层(130)、尤其是所述氧化硅层(130)的所述第一分离区域(131)和第二分离区域(132)，借助蚀刻方法来去除(80)所述硅层(150，350)和所述硅晶片(100，101)，使得产生至少一个第一微镜设备(205，300)和第二微镜设备(206)。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过借助所述蚀刻方法去除(80)所述硅层(150，350)，产生所述硅层(150，350)的至少一个第一分离区域(200、345)和第二分离区域(201)，其中，所述硅层(150，350)的所述第一分离区域(200)和所述第二分离区域(201)在空间上沿着所述分离平面(140)彼此分离地布置，其中，因此产生所述第一微镜设备(205，300)的第一镜板(211，320)和所述第二微镜设备(206)的第二镜板(212)，所述第一镜板具有所述硅层(150，350)的第一分离区域(200，345)，所述第二镜板具有所述硅层(150，350)的第二分离区域(201)。3.根据权利要求1或2中任一项所述的方法，其特征在于，通过借助所述蚀刻方法去除(80)所述硅晶片(100，101)，产生所述硅晶片(100，101)的至少一个第一分离区域和第二分离区域，其中，所述硅晶片(100，101)的所述第一分离区域和所述第二分离区域在空间上沿着所述分离平面彼此分离地布置，其中，因此产生所述第一微镜设备(205，300)的第一加固结构(195，310)和所述第二微镜设备(206)的第二加固结构(196)，所述第一加固结构具有所述硅晶片(100，101)的第一分离区域和所述氧化硅层(130)的第一分离区域(131)，所述第二加固结构具有所述硅晶片(100，101)的第二分离区域和所述氧化硅层(100，101)的第二分离区域。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述蚀刻掩模(180)具有至少一个第二开口(221)，所述第二开口尤其用于将所述第一加固结构(195，310)分离成第一分离区域、尤其是所述第一加固结构(195，310)的第一加固支柱(231，311)和第二分离区域、尤其是所述第一加固结构(195，310)的第二加固支柱(232，312)。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，使用等离子体蚀刻方法、尤其
是drie蚀刻方法作为蚀刻方法。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，提供(10)具有基本上300至400μm的厚度(119)的硅晶片(100)。7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，提供(11)具有基本上725μm的厚度(126)的硅晶片(101)。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在进一步的方法步骤中，尤其是在将硅层(150，350)、尤其是多晶硅层施加(60)到所述硅晶片(100，101)的所述前侧(110)以及施加到所述氧化硅层(130)上之后，磨去(65)所述硅晶片(100，101)的背侧(120)，尤其是直至达到所述硅晶片(100，101)的目标厚度(145)。9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其特征在于，将所述氧化硅层(130)附加地施加(20)到所述硅晶片(100，101)的背侧(120)上。10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其特征在于，在进一步的方法步骤中，将第一金属层(170)、尤其是第一金层或第一铝层施加到所述硅层(150，350)上、尤其是所述硅层(150，350)的所述第一分离区域(200，345)的外表面(152)上，并且将第二金属层(171)、尤其是第二金层或第二铝层施加到所述硅层(150，350)上、尤其是所述硅层(150，350)的所述第二分离区域(201)的外表面(153)上。11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其特征在于，为了相对于所述氧化硅层(130)的第一分离区域(131)定向所述第一金属层(170)并且为了相对于所述氧化硅层(130)的至少第二分离区域(132)定向所述第二金属层(171)，在所述硅层(150，350)上施加至少两个标记(160，161)。12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其特征在于，所述硅层(150，350)、尤其是所述硅层(150，350)的所述第一分离区域(200，345)的外表面(152)和所述硅层(150，350)的所述第二分离区域(201)的外表面(153)直接或间接地与粘接带(220)、尤其是单面粘接带连接。13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，其特征在于，在进一步的方法步骤中，去除(90)所述蚀刻掩模(180)。14.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，其特征在于，将所述硅层(150、350)以硅、尤其是多晶硅的沉积物的形式施加在所述硅晶片(100、101)的前侧(110)上以及施加到所述氧化硅层(130)上、尤其是所述氧化硅层(130)的第一分离区域(131)和第二分离区域(132)上，以及抛光步骤，尤其是沉积的硅的抛光步骤。15.第一微镜设备(205，300)和/或第二微镜设备(206)，所述第一微镜设备和/或所述第二微镜设备通过根据前述权利要求中任一项所述的方法来制造。16.第一微镜设备(205，300)和/或第二微镜设备(206)，所述第一微镜设备和/或第二微镜设备尤其是借助根据权利要求1至13中任一项的方法来制造，所述第一微镜设备和/或第二微镜设备具有第一镜板(211，320)和/或第二镜板(212)，所述第一镜板和/或第二镜板分别具有多晶硅层、尤其是层厚度(360)在5μm至50μm的范围内的多晶硅层。

技术总结

本发明涉及一种用于制造至少一个第一(205)和第二微镜设备(206)的方法。在此，提供尤其是板状的、具有前侧(110)和背侧(120)的硅晶片(100)。然后，将氧化硅层(130)施加到所述硅晶片(100、101)的至少所述前侧(110)上。随后，如此去除所述氧化硅层(130)，使得产生所述氧化硅层(130)的至少一个第一分离区域(131)和至少一个第二分离区域(132)，其中，所述氧化硅层(130)的第一(131)和第二分离区域(132)在空间上、沿着分离平面(140)彼此分离地布置。然后，将硅层(150)施加到所述硅晶片(101)的前侧(110)和所述氧化硅层(130)上。随后，将蚀刻掩模(180)施加(70)到所述硅晶片(100)的背侧(120)上，其中，所述蚀刻掩模(180)沿着所述氧化硅层(130)的第一(131)和第二分离区域(132)的所述分离平面(140)具有第一开口(190)。随后，根据在所述硅晶片(100、101)的背侧(120)上的所述蚀刻掩模(180)并且根据所述硅晶片(100)的氧化硅层(130)、尤其是所述氧化硅层(130)的第一(131)和第二分离区域(132)，借助蚀刻方法来去除(80)所述硅层(150、350)和所述硅晶片(100、101)，使得产生至少一个第一(205)和第二微镜设备(206)。和第二微镜设备(206)。和第二微镜设备(206)。