NAND FLASH 编程总结

NAND FLASH操作总结

目前NAND FLASH主要是SAMSUNG、TOSHIBA两家公司生产。本文我们主要讨论这两家的产品型号。另外我们还会讨论Hitachi的AND Flash，

为了内容条理起见，我们将分别讨论SAMSUNG、TOSHIBA的Binary Flash，详细说明：1、各个厂家各个型号Flash的操作时序、以及这些操作在“USB－闪存盘控制器”中的影响；2、同一厂家不同型号间的区别、不同厂家之间的区别；

然后讨论TOSHIBA的MLC Flash；

最后我们要考虑一下AND Flash的情况，并给出一个初步的结论：我们是否需要支持d型管AND Flash。

通过这些比较，给出一个较明确的结论：我们的“USB－闪存盘控制器”需要支持的Flash操作有那些，时序图如何！

红外对射模块SAMSUNG：

SAMSUNG推出的NAND Flash主要有以下容量：

32Mbit、64Mbit、128Mbit、256Mbit、512Mbit、国画调盘1Gbit、2Gbit、4Gbit通常，我们把其中的1Gbit、2Gbit、4Gbit叫做“大容量”，其余的则不加强调。

32Mbit、64Mbit、128Mbit、256Mbit、512Mbit的Flash 的特性基本相似：

∙Organization

- Data Register : (512 + 16) Byte

∙帷幕灌浆Automatic Program and Erase

- Page Program : (512 + 16)Byte

烫光机- Block Erase : (8K + 256)Byte/(16K + 512)Byte

∙528-Byte Page Read Operation

- Random Access : 10μs(Max.)

- Serial Page Access : 50ns(Min.)

∙Fast Write Cycle Time

- Program time : 200μs(typ.)

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本文发布于:2024-09-22 18:11:47，感谢您对本站的认可！

标签：需要操作控制器支持厂家时序闪存盘

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