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一种快速确定3D TLC NAND闪存读参考电压的方法[发明专利]

专利名称：一种快速确定3D TLC NAND闪存读参考电压的方法

专利类型：发明专利

发明人：韩国军，张孝谊，刘畅，朱广平

申请号：CN202111372423.2

申请日：20211118

公开号：CN114121107A

保护架公开日：

网络球

预应力管桩

20220301

专利内容由知识产权出版社提供

孔刚玉摘要：本发明公开了一种确定3DTLCNAND闪存读参考电压的方法，涉及NAND闪存技术领域，包括以下步骤：S1.得到3DTLCNAND闪存中的初始默认的参考电压组，开始读取存储数据；S2.判断3DTLCNAND闪存的存储单元类型为FG型或者CT型，若为FG型则执行步骤S3，若为CT型则执行步骤S4；S3.依次读取FG型的3DTLCNAND闪存存储的存储数据，并相应的通过电压调整方法调整其对应的FG型参考电压，并执行步骤S5；S4.依次读取CT型的3DTLCNAND闪存存储的存储数据，并相应的通过电压调整方法调整其对应的CT型参考电压，并执行步骤S5；S5.整理优化后的参考电压得到3DTLCNAND闪存读的优化后的参考电压组，结束程序，解决了现有技术确定3DTLCNAND闪存参考电压中存在的不适应3D堆叠闪，不够具体高效的问题。

申请人：广东工业大学

地址：510090 广东省广州市越秀区东风东路729号

国籍：CN

不倒翁沙袋

代理机构：广州粤高专利商标代理有限公司

代理人：禹小明

桥架支撑架

本文发布于:2024-09-22 20:29:15，感谢您对本站的认可！

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