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NAND闪存的MTD设计中处理地址不连续的方法[发明专利]

360历史

专利名称：NAND闪存的MTD设计中处理地址不连续的方法专利类型：发明专利

发明人：范敬才，易若翔，胡胜发

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申请号：CN200710033015.8

申请日：20071229

公开号：CN101470663A

公开日：采空区处理方法

20090701

专利内容由知识产权出版社提供

mmbbs摘要：本发明公开一种支持多平面类型的NAND闪存的MTD设计中处理地址不连续的方法，把整个NAND闪存空间划分为多个区域，每个区域通过一个MTD进行管理，每个区域内的每个物理平面都抽象为一个逻辑平面，MTD根据上层应用传来的逻辑扇区号计算出相应的逻辑块号，然后根据逻辑块号进行寻址，而逻辑块号通过映射表一一对应伪物理块号，最后MTD根据伪物理块号通过相应的映射算法实现对物理块号的访问。本发明使MTD可以支持包含多个物理平面的NAND闪存，并且独立于不断变化的MLC。

申请人：安凯(广州)软件技术有限公司

地址：510630 广东省广州市天河科技园软件园高唐新建区高普路1033号6楼

国籍：CN

代理机构：广州知友专利商标代理有限公司

代理人：宣国华

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本文发布于:2024-09-22 22:26:39，感谢您对本站的认可！

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