ＩＩ舟尔滨ｒ业人学Ｔ学删卜学位论义
第１章绪论
１．１外延生长中的失配位错
在过去的４０年中，ｓｉ材料中的位错在理论和应用研究方面引起了人们的
广泛关注。这是因为ｓｉ是共价键化合物中具有代表性的材料，并可以用于制作高品质的光电子和微电子器件…。而ｓｉ的６０。位错尤为重要。这种类型的使
错第一次被描述在Ｈｏｎｓｔｒａｌ２１的著作中，并经常作为失配位错存在于外延生长薄膜的界面上Ｉ”。
ＳｉＧｅ／Ｓｉ结构的失配应力的释放主要是通过在｛１１１｝面上生成可以滑动的６０度位错来完成的，见图ｌ一１。这些位错最终要么相互湮灭，要么滑出薄膜边界，剩下的就留在膜内成为位错密度的贡献者。位错是半导体中典型的线缺陷，它打破了晶体的周期性，影响了半导体的能级和局域能带结构，对于半导体的性能会产生极大的影响。微生物过滤器
保护层垫块阳光房天窗图１－１…外延生长过程中产生的失配位错
激光标记Ｆｉｇ１·１【１】Ｍｉｓｆｉｔｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎｎｕｃｌｅａｔｅｄｄｕｒｉｎｇｅｐｉｔａｘｙ空调节能器
哈尔滨工业人学工学硕卜学位论文
图１．２．位错滑移面示意图。
Ｆｉｇｌ一２Ｔｈｅｓｌｉｐｐｌａｎｅｏｆａｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ
自从Ｍｅｔｒｏｐｏｌｉｓ，Ｒｏｓｅｎｂｌｕｔｈ，Ｔｅｌｌｅｒ于１９５３年在ＬｏｓＡｌａｍｏｓ美囡国家实验室进行的关于液体的计’算机仿真以来，计算机分子模拟经历了几十年的发展，已经进入了新的阶段，其特点是在某些方面，分子模拟已经可以提供相当的定量分析，而不仅仅局限于定 性分析。这就拓展了它的适用范围，不再只是理论物理学家的武器，逐步成为实验化学，实验物理学家手中的科研工具。这个发展主要依靠于模拟分子体系算法的发展和计算机硬件软件的发展。 模拟分子体系算法的发展，主要是从描述简单的非真实分子体系的算法发展到能描述复杂的分子体系的算法。该发展使我们不但能计算绝对温度为零的真空中的孤立分子（如量子力学计算的），绝对温度为零的分子体系（如分子力学计算的），而且还能计算任何温度下的分子体系的结构与性质。该发展使我们克服了用蒙德卡洛法仅能够描述不同温度下分子结构的特征，却不能描述随温度变化而引起体系宏观物理性质的变化中分子结构的变化过程。该发展使我们不但能够模拟静态的分子体系，而且能够模拟分子在不同物理相态的运动行为。
降冰片烯二酸酐
计算机硬件软件的发展，主要是计算机的速度快到能够模拟真实分支体系而价格便宜到～般实验室可以购买；分子模拟法的软件具有方便的操作界面，
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