光源装置的制作方法

1.本发明涉及光源装置。

背景技术：

2.以往，公知有在平面上排列有多个发光二极管的光源装置(例如，参照专利文献1)。例如，使用发出紫外线的发光二极管的光源装置用于对水等流体进行杀菌(将细菌灭活)的流体杀菌装置、使紫外线固化树脂固化的树脂固化装置。
3.专利文献1：日本专利第5732157号公报
4.在用于上述杀菌装置、树脂固化装置等的光源装置中，例如为了无遗漏地进行杀菌或者使树脂均匀地固化这样的目的，往往希望在照射来自发光二极管的光的照射面上，照射均匀的光。

技术实现要素：

5.因此，本发明目的是提供一种能够提高照射面上的光量的均匀性的光源装置。
6.本发明以解决上述课题为目的，提供一种光源装置，其是在平面上排列有多个发光二极管的光源装置，上述各发光二极管的光分布角小于50
°
或者大于80
°
。
7.根据本发明，能够提高照射面上的光量的均匀性。
附图说明
8.图1是本发明的一实施方式的光源装置的结构简图。
9.图2a是表示光分布角20
°
的发光二极管的相对光度与角度的关系的曲线图。
10.图2b是表示光分布角20
°
的发光二极管的相对光度与角度的关系的曲线图。
11.图2c是表示光分布角140
°
的发光二极管的相对光度与角度的关系的曲线图。
12.图2d是表示光分布角140
°
的发光二极管的相对光度与角度的关系的曲线图。
13.图3a是表示发光二极管的配置的图。
14.图3b是表示在图3a中将光分布角设为20
°
时的光量分布的模拟结果的图。
15.图3c是表示在图3a中将光分布角设为50
°
时的光量分布的模拟结果的图。
16.图3d是表示在图3a中将光分布角设为140
°
时的光量分布的模拟结果的图。
17.图4是表示距光量成为峰值的60％或者80％的中心的距离与光分布角的关系的曲线图。
18.图5a是表示在将光分布角设为20
°
的情况下，将从发光二极管到照射面的光学距离设为50mm时的光量分布的模拟结果的图。
19.图5b是表示在将光分布角设为20
°
的情况下，将从发光二极管到照射面的光学距离设为80mm时的光量分布的模拟结果的图。
20.图5c是表示在将光分布角设为20
°
的情况下，将从发光二极管到照射面的光学距离设为100mm时的光量分布的模拟结果的图。
21.图5d是表示在将光分布角设为20
°
的情况下，将从发光二极管到照射面的光学距离设为150mm时的光量分布的模拟结果的图。
22.图5e是表示在将光分布角设为20
°
的情况下，将从发光二极管到照射面的光学距离设为200mm时的光量分布的模拟结果的图。
23.图6a是表示在图5a中，通过中心轴的剖面的光量分布的曲线图。
24.图6b是表示在图5b中，通过中心轴的剖面的光量分布的曲线图。
25.图6c是表示在图5c中，通过中心轴的剖面的光量分布的曲线图。
26.图6d是表示在图5d中，通过中心轴的剖面的光量分布的曲线图。
27.图6e是表示在图5e中，通过中心轴的剖面的光量分布的曲线图。
28.图7是表示在将光分布角设为20
°
的情况下，距光量成为峰值的60％或者80％的中心的距离、与从发光二极管到照射面的光学距离的关系的曲线图。
29.图8a是表示在将光分布角设为140
°
的情况下，将从发光二极管到照射面的光学距离设为50mm时的光量分布的模拟结果的图。
30.图8b是表示在将光分布角设为140
°
的情况下，将从发光二极管到照射面的光学距离设为80mm时的光量分布的模拟结果的图。
31.图8c是表示在将光分布角设为140
°
的情况下，将从发光二极管到照射面的光学距离设为100mm时的光量分布的模拟结果的图。
32.图8d是表示在将光分布角设为140
°
的情况下，将从发光二极管到照射面的光学距离设为150mm时的光量分布的模拟结果的图。
33.图8e是表示在将光分布角设为140
°
的情况下，将从发光二极管到照射面的光学距离设为200mm时的光量分布的模拟结果的图。
34.图9a是表示在图8a中，通过中心轴的剖面的光量分布的曲线图。
35.图9b是表示在图8b中，通过中心轴的剖面的光量分布的曲线图。
36.图9c是表示在图8c中，通过中心轴的剖面的光量分布的曲线图。
37.图9d是表示在图8d中，通过中心轴的剖面的光量分布的曲线图。
38.图9e是表示在图8e中，通过中心轴的剖面的光量分布的曲线图。
39.图10是表示在将光分布角设为140
°
的情况下，距光量成为峰值的60％或者80％的中心的距离、与从发光二极管到照射面的光学距离的关系的曲线图。
40.图11a是说明将led间距设为8.5mm时的各发光二极管的配置的图。
41.图11b是说明将led间距设为10mm时的各发光二极管的配置的图。
42.图11c是说明将led间距设为12mm时的各发光二极管的配置的图。
43.图11d是说明将led间距设为15mm时的各发光二极管的配置的图。
44.图11e是说明将led间距设为20mm时的各发光二极管的配置的图。
45.图12a是表示在图11a中，将光分布角设为20
°
时的光量分布的模拟结果的图。
46.图12b是表示在图11b中，将光分布角设为20
°
时的光量分布的模拟结果的图。
47.图12c是表示在图11c中，将光分布角设为20
°
时的光量分布的模拟结果的图。
48.图12d是表示在图11d中，将光分布角设为20
°
时的光量分布的模拟结果的图。
49.图12e是表示在图11e中，将光分布角设为20
°
时的光量分布的模拟结果的图。
50.图13a是表示在图12a中，通过中心轴的剖面的光量分布的曲线图。
51.图13b是表示在图12b中，通过中心轴的剖面的光量分布的曲线图。
52.图13c是表示在图12c中，通过中心轴的剖面的光量分布的曲线图。
53.图13d是表示在图12d中，通过中心轴的剖面的光量分布的曲线图。
54.图13e是表示在图12e中，通过中心轴的剖面的光量分布的曲线图。
55.图14a是表示在将光分布角设为20
°
的情况下，距光量成为峰值的60％或者80％的中心的距离与led间距的关系的曲线图。
56.图14b是表示在将光分布角设为20
°
的情况下，led间距与面内光量分布比的关系的曲线图。
57.图15a是表示在图11a中，将光分布角设为140
°
时的光量分布的模拟结果的图。
58.图15b是表示在图11b中，将光分布角设为140
°
时的光量分布的模拟结果的图。
59.图15c是表示在图11c中，将光分布角设为140
°
时的光量分布的模拟结果的图。
60.图15d是表示在图11d中，将光分布角设为140
°
时的光量分布的模拟结果的图。
61.图15e是表示在图11e中，将光分布角设为140
°
时的光量分布的模拟结果的图。
62.图16a是表示在图15a中，通过中心轴的剖面的光量分布的曲线图。
63.图16b是表示在图15b中，通过中心轴的剖面的光量分布的曲线图。
64.图16c是表示在图15c中，通过中心轴的剖面的光量分布的曲线图。
65.图16d是表示在图15d中，通过中心轴的剖面的光量分布的曲线图。
66.图16e是表示在图15e中，通过中心轴的剖面的光量分布的曲线图。
67.图17a是表示在将光分布角设为140
°
的情况下，距光量成为峰值的60％或者80％的中心的距离与led间距的关系的曲线图。
68.图17b是表示在将光分布角设为140
°
的情况下，led间距与面内光量分布比的关系的曲线图。
69.图18a是说明将发光二极管的使用数量设为七个时的各发光二极管的配置的图。
70.图18b是说明将发光二极管的使用数量设为19个时的各发光二极管的配置的图。
71.图18c是说明将发光二极管的使用数量设为37个时的各发光二极管的配置的图。
72.图18d是说明将发光二极管的使用数量设为61个时的各发光二极管的配置的图。
73.图18e是说明将发光二极管的使用数量设为91个时的各发光二极管的配置的图。
74.图18f是说明将发光二极管的使用数量设为127个时的各发光二极管的配置的图。
75.图18g是说明将发光二极管的使用数量设为169个时的各发光二极管的配置的图。
76.图19a是表示在将光分布角设为20
°
的情况下，通过中心轴的剖面的光量分布的模拟结果的曲线图。
77.图19b是用光源区域的半径将图19a的横轴标准化的曲线图。
78.图20a是表示在将光分布角设为140
°
的情况下，通过中心轴的剖面的光量分布的模拟结果的曲线图。
79.图20b是用光源区域的半径将图20a的横轴标准化的曲线图。
具体实施方式
80.以下，结合附图来说明本发明的实施方式。
81.图1是本实施方式的光源装置的结构简图。如图1所示，光源装置1是在平面上排列
有多个发光二极管2的装置。
82.这里作为发光二极管2，虽示出了使用将发光二极管芯片树脂密封的树脂密封型的情况，但发光二极管2的具体结构没有特别限定。例如，发光二极管2可以是将发光二极管芯片通过用玻璃等覆盖而封入中空封装件中的发光二极管，也可以是片载板那样的没有覆盖芯片的发光二极管。另外，关于发光二极管2的发光波长，也没有被特别限定。
83.多个发光二极管2以相对于配置有多个发光二极管2的平面垂直的中心轴c为中心，沿周向以及径向等间隔地配置。以下，将径向的发光二极管的配置间距称为led间距。关于具体的发光二极管2的数量、优选的配置间距等将在后面进行研究。
84.另外，照射来自光源装置1的光的照射面3是与配置有多个发光二极管2的平面平行的面。以下，将从各发光二极管2到照射面3的、沿着与上述平面垂直的方向(与照射面3垂直的方向)的光学距离设为d。光学距离是在将沿着光行进的路径的距离设为d、将光通过的介质的折射率设为n时，由d＝d
×
n表示的距离。关于照射来自光源装置1的光的对象物没有特别限定，也可以是气体、液体或者固体中的任一个。
85.(优选的光分布角的研究)
86.在本实施方式的光源装置1中，使各发光二极管2的光分布角小于50
°
或者大于80
°
。下面说明其理由。
87.光分布角也称为指向角，是发光二极管2的光强度(光量)成为峰值或者最大值的一半以上的角度范围。光分布角的测定通过将来自发光二极管2的距离维持为恒定并且使受光器移动，并测定各角度的光强度而进行。例如，如图2a、图2b所示，在光分布角20
°
的发光二极管2中，在将发光二极管2的正面设为0
°
的情况下，正负10
°
的角度范围成为能够得到峰值的一半以上的光强度的区域。同样，如图2c、图2d所示，在光分布角140
°
的发光二极管2中，在将发光二极管2的正面设为0
°
的情况下，正负70
°
的角度范围成为能够得到最大值的一半以上的光强度的区域。此外，在本说明书中，峰值表示正面(0
°
)的光强度，最大值表示光强度成为最大的值。
88.此外，在发光二极管2中，关于调整光分布角的机构没有特别限定。例如，可以具有凹面镜形状的反射镜等反射机构，也可以具有透镜等透射式的聚光机构。在以下的模拟中，虽假设所有的发光二极管2的光分布角是相同的，但允许由制造上的公差等引起的一些误差。
89.以下，如图3a所示，对在中心配置一个发光二极管2并且将led间距(径向的配置间距)设为10mm，在直径60mm的范围内配置有发光二极管2的情况进行研究。在周向上等间隔地分别在直径10mm的圆周上配置有六个、在直径20mm的圆周上配置有12个、在直径30mm的圆周上配置有18个、在直径40mm的圆周上配置有24个、在直径50mm的圆周上配置有30个、在直径60mm的圆周上配置有36个发光二极管2，使用合计127个发光二极管2。光源区域的半径、即配置有发光二极管2的区域的半径是60mm。
90.关于如图3a那样地配置有发光二极管2的情况，使各发光二极管2的光分布角变化，对照射面3的光量分布进行了模拟。将光分布角设为20
°
、50
°
以及140
°
的情况下的照射面上的光量分布如图3b～图3d所示。在图3b～图3d中，与三维表示光量分布的曲线图一起还示出了通过中心轴c的剖面的光量的分布的曲线图。此外，发光二极管2与照射面3的光学距离d设为100mm。另外，即使在使光分布角不同的情况下，也将一个发光二极管2的亮度(发
光的整体的光量)设为恒定，而进行了模拟。在图4中汇总示出各光分布角的运算结果。
91.这里，对评价照射面3的光量分布的均匀性的指标进行说明。在水杀菌或者树脂固化等需要光源的均匀性的应用中，若增加紫外光的光输出，则水杀菌或者树脂固化性能(效果性能)不仅根据光输出的增加而提高，而且通过增加照射光的区域(深度)而改善超过了光输出的增加。因此，若想得到67％(光量的均匀性1.5倍以内)的效果性能的均匀性，则光源至少需要80％以上的均匀性，若想得到50％(光量的均匀性2.0倍以内)的效果性能的均匀性，光源至少需要60％以上的均匀性。
92.因此，在本实施方式中，作为评价照射面3的光量分布的均匀性的指标，使用了“距光量成为峰值的80％的中心的距离”以及“距光量成为峰值的60％的中心的距离”。此外，这里所说的“中心”是指配置有发光二极管2的区域的中心、即中心轴c的位置。上述距离的值越大，越均匀地照射照射面3的大范围，在照射面3得到良好的光量的均匀性。
93.如图4所示，关于光分布角小的区域以及大的区域得到了良好的结果。然而，可知其中间区域、即在将光分布角设为50
°
、60
°
以及80
°
的情况下，“距光量成为峰值的80％的中心的距离”以及“距光量成为峰值的60％的中心的距离”降低，在照射面3的光量的均匀性降低。
94.在本实施方式中，在光源区域的半径是60mm的情况下，在“距光量成为峰值的80％的中心的距离”成为44mm以上的情况下，关于在照射面3的光量的均匀性是合格的。如图4所示，在光分布角小于50
°
或者大于80
°
的情况下，“距光量成为峰值的80％的中心的距离”成为44mm以上，照射面3的光量的均匀性得以提高。因此，在本实施方式的光源装置1中，将各发光二极管2的光分布角设定为小于50
°
或者大于80
°
。
95.另外，基于图4的曲线图，在“距光量成为峰值的80％的中心的距离”成为44mm以上的情况下，“距光量成为峰值的60％的中心的距离”在光分布角小于50
°
的区域中对应于58mm以上，在光分布角超过80
°
的区域中对应于60mm以上。因此，将在光分布角小于50
°
的情况下，“距光量成为峰值的60％的中心的距离”是58mm以上设定为合格的基准，将在光分布角大于80
°
的情况下，“距光量成为峰值的60％的中心的距离”是60mm以上设定为合格的基准。
96.(发光二极管2与照射面3的光学距离d的研究)
97.首先，在使发光二极管2的光分布角小于50
°
的情况下，对优选的光学距离d进行研究。通过对将发光二极管2的光分布角设为20
°
，并将发光二极管2与照射面3的光学距离d设为50mm、80mm、100mm、150mm以及200mm的情况下的在照射面3的光量分布通过模拟求出。在图5a～图5e中示出模拟结果。另外，在图6a～图6e中示出各情况下的中心轴c的剖面的光量分布。
98.另外，基于图6a～图6e，在图7中汇总示出对“距光量成为峰值的60％的中心的距离”以及“距光量成为峰值的80％的中心的距离”进行了运算的结果。如图7所示，“距光量成为峰值的60％的中心的距离”在任一情况下都成为合格基准的58mm以上。另外，如图7所示，关于“距光量成为峰值的80％的中心的距离”，在任一情况下也都成为合格基准的44mm以上。但是，根据图7的趋势，认为“距光量成为峰值的60％的中心的距离”以及“距光量成为峰值的80％的中心的距离”，光学距离d越增加则越降低，若光学距离d超过200mm则低于合格基准。
99.因此，在各发光二极管2的光分布角小于50
°
的情况下，优选从各发光二极管2到照射面3的光学距离d是200mm以下。
100.接下来，在使发光二极管2的光分布角大于80
°
的情况下，对优选的光学距离d进行研究。通过对将发光二极管2的光分布角设为140
°
，且将发光二极管2与照射面3的光学距离d设为50mm、80mm、100mm、150mm以及200mm的情况下的在照射面3的光量分布通过模拟求出。在图8a～图8e中示出模拟结果。另外，在图9a～图9e中示出各情况下的中心轴c的剖面的光量分布。
101.另外，基于图9a～图9e，在图10中汇总示出对“距光量成为峰值的60％的中心的距离”以及“距光量成为峰值的80％的中心的距离”进行了运算的结果。如图10所示，“距光量成为峰值的60％的中心的距离”以及“距光量成为峰值的80％的中心的距离”在光学距离d为50mm的情况下不合格，在光学距离d为80mm以上的情况下合格。
102.因此，在各发光二极管2的光分布角大于80
°
的情况下，优选从各发光二极管2到照射面3的光学距离d是80mm以上。
103.(led间距的研究)
104.接下来，对led间距、即发光二极管2的径向上的配置间距进行研究。这里如图11a～图11e所示，对将led间距设为8.5mm、10mm、12mm、15mm以及20mm的情况进行了研究。在任一情况下，配置发光二极管2的区域(光源区域)均为直径60mm且恒定，增减配置的发光二极管2的数量来调整密度，由此对led间距进行了调整。发光二极管2的使用数量在led间距8.5mm的情况下是169个，在led间距10mm的情况下是127个，在led间距12mm的情况下是91个，在led间距15mm的情况下是61个，在led间距20mm的情况下是37个。它们由于发光二极管2的总数不同，所以使总光量相同来进行模拟。
105.首先，对发光二极管2的光分布角小于50
°
的情况进行研究。通过对将发光二极管2的光分布角设为20
°
，且将led间距设为8.5mm、10mm、12mm、15mm以及20mm的情况下的照射面3的光量分布进行模拟而求出。在图12a～图12e示出模拟结果。另外，在图13a～图13e示出各情况下的中心轴c的剖面的光量分布。
106.另外，基于图13a～图13e，在图14a中汇总示出对“距光量成为峰值的60％的中心的距离”以及“距光量成为峰值的80％的中心的距离”进行了运算的结果。如图14a所示，“距光量成为峰值的60％的中心的距离”在任一情况下都成为合格基准的58mm以上。另外，如图14a所示，关于“距光量成为峰值的80％的中心的距离”在任一情况下也都成为合格基准的44mm以上。另外，根据图14a的趋势，认为若led间距小于8.5mm，则“距光量成为峰值的60％的中心的距离”低于作为合格值的58mm。因此，在各发光二极管2的光分布角小于50
°
的情况下，可以说优选led间距是8.5mm以上。
107.这里，在参照图12a～图12e的模拟结果时，可知led间距越大，在照射面3内的光量的偏差越大。因此，为了评价该光量的偏差，作为评价基准使用了照射面3的面内光量分布比。面内光量分布比在图13a～图13e的光量分布中，使用峰值和峰值最近的光量的下降中的底值，通过底值/峰值来运算。在本实施方式中，将面内光量分布比为80％(0.8)以上的情况作为合格基准。
108.在图14b中汇总示出面内光量分布比的运算结果。如图14b所示，可知在led间距设为20mm的情况下，面内光量分布比低于80％。因此，可以说优选led间距小于20mm，更优选是
15mm以下。
109.基于以上的结果，在各发光二极管2的光分布角小于50
°
的情况下，优选led间距是8.5mm以上且小于20mm，更优选是8.5mm以上15mm以下。
110.接下来，对使发光二极管2的光分布角大于80
°
的情况进行研究。通过对将发光二极管2的光分布角设为140
°
，且将led间距设为8.5mm、10mm、12mm、15mm以及20mm的情况下的在照射面3的光量分布通过模拟求出。在图15a～图15e中示出模拟结果。另外，在图16a～图16e中示出各情况下的中心轴c的剖面的光量分布。
111.另外，基于图16a～图16e，在图17a中汇总示出对“距光量成为峰值的60％的中心的距离”以及“距光量成为峰值的80％的中心的距离”进行了运算的结果。如图17a所示，“距光量成为峰值的60％的中心的距离”在任一情况下都成为合格基准的60mm以上。另外，如图17a所示，关于“距光量成为峰值的80％的中心的距离”，在任一情况下也都成为合格基准的44mm以上。另外，根据图17a的趋势，认为若led间距较大地低于8.5mm，则“距光量成为峰值的60％的中心的距离”以及“距光量成为峰值的80％的中心的距离”低于合格值。因此，在各发光二极管2的光分布角大于80
°
的情况下，可以说优选led间距是8.5mm以上。
112.另外，在图16a～图16e的各光量分布中，求出面内光量分布比。在图17b中汇总示出面内光量分布比的运算结果。如图17b所示，在该例子中，无论led间距如何，都得到良好的结果。另外，根据图17b的趋势，认为若led间距较大地超过20mm，则面内光量分布比低于合格值。因此，可以说优选led间距是20mm以下。
113.基于以上的结果，在各发光二极管2的光分布角大于80
°
的情况下，优选led间距是8.5mm以上20mm以下。
114.(发光二极管2的使用数量的研究)
115.接下来，对使led间距恒定，改变使用的发光二极管2的数量的情况进行研究。这里如图18a～图18g所示，对以10mm使led间距恒定，将在中心的发光二极管2的周围配置成圆状的发光二极管2设为一圈、两圈、三圈、四圈、五圈、六圈以及七圈的情况进行了研究。所使用的发光二极管2的数量在一圈的情况下是七个，在两圈的情况下是19个，在三圈的情况下是37个，在四圈的情况下是61个，在五圈的情况下是91个，在六圈的情况下是127个，在七圈的情况下是169个。
116.对将光分布角设为20
°
的情况，通过模拟求出通过中心轴c的剖面的光量分布。在图19a中汇总示出模拟结果。此外，在图19a中，将纵轴作为以峰值标准化后的光量。
117.在图19a的模拟结果中，使用在实际的模拟中使用的直径来绘制光源。通过将距作为图19a的横轴的中心的距离除以光源区域的半径(发光二极管2的区域的半径)，对其进行横轴的标准化。此外，如图18a～图18g所示，光源区域的半径在一圈的情况下是10mm，在两圈的情况下是20mm，在三圈的情况下是30mm，在四圈的情况下是40mm，在五圈的情况下是50mm，在六圈的情况下是60mm，在七圈的情况下是70mm。
118.在图19b中示出进行了横轴的标准化的模拟结果。如图19b所示，可知无论发光二极管的使用数量如何，距光量成为峰值的60％的距离(距中心的距离/光源区域的半径)都大致恒定。
119.同样，在图20a中示出将光分布角设为140
°
的情况下的模拟结果，在图20b中示出将其横轴标准化后的曲线图。如图20b所示，可知在将光分布角设为140
°
的情况下，标准化
后的光量与距离(距中心的距离/光源区域的半径)的关系大致一致。
120.根据以上所述，可知在led间距恒定的情况下，使用的发光二极管2的数量对照射面3的光量的均匀性没有贡献。换言之，可知本实施方式的评价是有效的而与使用的发光二极管2的数量无关。
121.(更优选条件)
122.总结以上的模拟结果，为了进一步提高照射面3的光量的均匀性，可以说优选满足以下的(1)、(2)中的任一个条件。
123.(1)各发光二极管的光分布角小于50
°
，并且从各发光二极管2到照射面3的光学距离d是200mm以下，并且led间距是8.5mm以上且小于20mm。
124.(2)各发光二极管的光分布角大于80
°
并且从各发光二极管2到照射面3的光学距离d是80mm以上，并且led间距是8.5mm以上20mm以下。
125.(实施方式的作用以及效果)
126.如以上说明那样，本实施方式的光源装置1是在平面上排列有多个发光二极管2的装置，各发光二极管2的光分布角小于50
°
或者大于80
°
。由此，能够提高照射面3的光量的均匀性。
127.以上，虽对本发明的实施方式进行了说明，但上面记载的实施方式并不限定技术方案所涉及的发明。另外，应该留意的点是在实施方式中说明的特征的组合的全部并不一定是用于解决发明的手段所必须的。
128.本发明在不脱离其宗旨的范围内能够适当地变形来实施。例如，在上述实施方式中，虽假定为各发光二极管2的光分布角是恒定的来进行了模拟，但发光二极管2的光分布角未必是恒定的。
129.另外，在上述实施方式中，虽规定了照射面3的位置(从发光二极管2到照射面3的光学距离d)，但光向对象物的照射只要在包含照射面3的位置进行即可，例如也可以在照射面3的前后的区域中进行光向对象物的照射。作为一个例子，在向流水照射来自发光二极管2的紫外光来进行杀菌(或者细菌的灭活)的情况下，即使在设定的照射面3的前后对流水照射紫外光，这样的情况也包含在本发明。在该例子中，通过在设定的某照射面3上使紫外光的光量均匀，能够抑制杀菌的遗漏。光源装置1的用途并不限于杀菌用途，例如也可以应用于使紫外线固化树脂固化的树脂固化装置、照射可见光的照明等。
130.在上述实施方式中，虽对沿周向以及径向等间隔地配置多个发光二极管2的情况进行了说明，但不一定要等间隔地配置发光二极管2，若上述实施方式所描述的那样，也可以在能够维持照射面3的光量的均匀性的范围内使发光二极管的间距适当地变化。另外，发光二极管2作为整体不需要配置为圆形状，例如作为整体也可以配置成矩形。
131.附图标记的说明
[0132]1…
光源装置
[0133]2…
发光二极管
[0134]3…
照射面。

技术特征：

1.一种光源装置，其是在平面上排列有多个发光二极管的光源装置，其中，上述各发光二极管的光分布角小于50
°
或者大于80
°
。2.根据权利要求1所述的光源装置，其中，上述各发光二极管的光分布角小于50
°
，从上述各发光二极管到与上述平面平行的面且被来自上述各发光二极管的光照射的照射面的、沿着与上述平面垂直的方向的光学距离是200mm以下。3.根据权利要求1或2所述的光源装置，其中，上述各发光二极管的光分布角小于50
°
，上述发光二极管的上述径向的配置间距是8.5mm以上且小于20mm。4.根据权利要求1所述的光源装置，其中，上述各发光二极管的光分布角大于80
°
，从上述各发光二极管到与上述平面平行的面且被来自上述各发光二极管的光照射的照射面的、沿着与上述平面垂直的方向的光学距离是80mm以上。5.根据权利要求1或4所述的光源装置，其中，上述各发光二极管的光分布角大于80
°
，上述发光二极管的上述径向的配置间距是8.5mm以上20mm以下。6.根据权利要求1～5中任一项所述的光源装置，其中，上述多个发光二极管沿以与上述平面垂直的中心轴为中心的周向以及径向等间隔地配置。

技术总结

本发明涉及一种光源装置。是一种在平面上排列有多个发光二极管(2)的光源装置(1)，各发光二极管(2)的光分布角小于50

技术研发人员：

萩原守

受保护的技术使用者：

株式会社USK技术

技术研发日：

2020.04.09

技术公布日：

2022/11/22