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执行温度信息更新操作的电子设备的制作方法

执行温度信息更新操作的电子设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求2020年10月26日提交的申请号为10-2020-0139613的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于本文中。
技术领域
3.本公开的实施例涉及这样一种电子设备，其用于根据从用于更新温度信息的命令信号生成的信号的输入时间和在内部生成的用于更新温度信息的信号的输入时间的比较结果来更新温度信息。

背景技术：

4.与静态随机存取存储(sram)器件或快闪存储器件相比，半导体器件中的动态随机存取存储(dram)器件即使在向其施加电源的情况下，随着时间的经过，也会丢失存储在其存储单元中的数据。为了防止存储在dram单元中的数据丢失，dram器件可以基本上伴随有用于在一定时段内从外部系统重写数据的操作，该操作可以称为“刷新操作”。通常，可以通过至少一次或多次激活字线并感测/放大存储单元的数据，在dram器件的存储单元固有的保持时间内执行这种刷新操作。保持时间可以是在将数据写入存储单元之后无需刷新操作即可保持数据的时间。另外，保持时间可以根据dram器件的内部温度而变化。因此，已经提出了根据内部温度调整刷新周期的各种方法。

技术实现要素：

5.根据一个实施例，一种电子设备包括控制器和半导体器件。所述控制器可以被配置为输出具有第一设定组合或第二设定组合的命令信号和时钟信号，并且接收温度信息信号。所述半导体器件可以被配置为将基于具有所述第一设定组合的命令信号生成的锁存信号的输入时间与内部生成的温度输出控制信号的输入时间进行比较。另外，所述半导体器件可以被配置为根据所述温度输出控制信号的输入时间与所述锁存信号的输入时间的比较结果来更新温度码，以生成所述温度信息信号。
6.根据另一个实施例，一种电子设备包括温度控制电路和刷新控制电路。所述温度控制电路可以被配置为将内部生成的温度输出控制信号的输入时间与从外部设备提供的命令信号生成的锁存信号的输入时间进行比较。另外，所述温度控制电路可以被配置为根据所述温度输出控制信号的输入时间与所述锁存信号的输入时间的比较结果来更新温度码，以生成温度信息信号。所述刷新控制电路可以被配置为基于由所述温度信息信号生成的刷新信号来生成用于执行刷新操作的内部刷新信号。
7.根据又一个实施例，一种电子设备包括温度控制电路和刷新控制电路。所述温度控制电路可以被配置为将内部生成的温度输出控制信号的输入时间与内部锁存信号的输入时间进行比较。另外，所述温度控制电路可以被配置为根据所述温度输出控制信号的输入时间与所述内部锁存信号的输入时间的比较结果来更新温度码，以生成温度信息信号。
所述刷新控制电路可以被配置为基于所述温度信息信号来生成用于执行刷新操作的内部刷新信号。
8.在另一个实施例中，一种电子设备包括温度控制电路和刷新控制电路。所述温度控制电路被配置为将内部生成的温度输出控制信号的输入时间与内部锁存信号的输入时间进行比较，并且被配置为根据所述温度输出控制信号的输入时间与所述内部锁存信号的输入时间的比较结果来更新温度码，以生成温度信息信号。所述刷新控制电路可以被配置为基于所述温度信息信号来生成用于执行刷新操作的内部刷新信号，其中，如果所述温度信息信号中的信息包括指示在刷新操作期间具有比预定百分比更大的温度升高的温度信息，则刷新所述温度信息信号的周期长度减小，如果所述温度信息信号中的信息包括指示在刷新操作期间具有比预定百分比更小的温度降低的温度信息，则所述周期长度增大。
附图说明
9.图1是示出根据本公开的一个实施例的电子设备的配置的框图。
10.图2是示出包括在图1中所示的电子设备中的半导体器件的配置的框图。
11.图3是示出包括在图2所示的半导体器件中的检测电路的配置的框图。
12.图4是示出包括在图3所示的检测电路中的比较电路的配置的电路图。
13.图5是示出包括在图3所示的检测电路中的信号合成电路的配置的电路图。
14.图6是示出包括在图2所示的半导体器件中的更新控制电路的配置的框图。
15.图7是示出包括在图6所示的更新控制电路中的温度锁存信号生成电路的配置的电路图。
16.图8是示出包括在图6所示的更新控制电路中的温度信息信号生成电路的配置的电路图。
17.图9至图13是示出根据本公开的一个实施例的电子设备的操作的时序图。
18.图14是示出根据本公开的另一个实施例的半导体器件的配置的框图。
19.图15是示出包括图1至图8所示的半导体器件和图14所示的半导体器件中的至少一个的电子系统的配置的框图。
具体实施方式
20.在下面的实施例的描述中，当一个参数被称为“预定的”时，其可能旨在表示当在过程或算法中使用该参数时预先确定该参数的值。该参数的值可以在过程或算法开始时设置，或者可以在过程或算法执行的时段期间设置。
21.将理解的是，尽管本文中使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件和另一个元件。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，在一些实施例中的第一元件可以在其他实施例中被称为第二元件，反之亦然。
22.此外，将理解的是，当一个元件被称为“连接”或“耦接”到另一个元件时，其可以直接连接或耦接至另一个元件，或者可以存在中间元件。相反，当一个元件被称为“直接连接”或“直接耦接”至另一个元件时，则不存在中间元件。
23.逻辑“高”电平和逻辑“低”电平可以用于描述电信号的逻辑电平。具有逻辑“高”电
平的信号可以与具有逻辑“低”电平的信号区分开。例如，当具有第一电压的信号对应于具有逻辑“高”电平的信号时，具有第二电压的信号对应于具有逻辑“低”电平的信号。在一个实施例中，逻辑“高”电平可以设置为比逻辑“低”电平的电压电平更高的电压电平。此外，根据实施例，可以将信号的逻辑电平设置为不同或相反。例如，在一个实施例中具有逻辑“高”电平的某个信号可以在另一个实施例中设置为具有逻辑“低”电平，反之亦然。
24.在下文中将参考附图详细地描述本公开的各种实施例。然而，本文中描述的实施例仅用于说明性目的，并非旨在限制本公开的范围。
25.如图1所示，根据本公开的一个实施例的电子设备100可以包括控制器110和半导体器件120。半导体器件120可以包括：锁存信号生成电路210、输出控制电路220、温度控制电路230和刷新控制电路260。
26.控制器110可以包括第一控制引脚11、第二控制引脚31和第三控制引脚51。半导体器件120可以包括第一半导体引脚21、第二半导体引脚41和第三半导体引脚61。第一传输线l11可以连接在第一控制引脚11与第一半导体引脚21之间。第二传输线l31可以连接在第二控制引脚31与第二半导体引脚41之间。第三传输线l51可以连接在第三控制引脚51与第三半导体引脚61之间。控制器110可以经由第一传输线l11将时钟个信号clk发送至半导体器件120，以控制半导体器件120。控制器110可以经由第二传输线l31将命令信号cmd发送至半导体器件120，以控制半导体器件120。控制器110可以经由第三传输线l51从半导体器件120接收温度信息信号tp_inf。
27.控制器110可以将用于执行温度信息更新操作的时钟信号clk和命令信号cmd输出至半导体器件120。控制器110可以从半导体器件120接收温度信息信号tp_inf。控制器110可以基于温度信息信号tp_inf来检测半导体器件120的内部温度。控制器110可以将用于执行刷新操作的时钟信号clk和命令信号cmd输出至半导体器件120。控制器110可以基于温度信息信号tp_inf来调整用于执行自动刷新操作的命令信号cmd的输出周期。可以与包括在时钟信号clk中的奇数脉冲或偶数脉冲同步地连续输出命令信号cmd。尽管命令信号cmd可以被示为单个信号，但是命令信号cmd可以设置为包括多个位。类似地，尽管温度信息信号tp_inf可以被示为单个信号，但是温度信息信号tp_inf可以设置为包括多个位。
28.锁存信号生成电路210可以与时钟信号clk同步，以基于命令信号cmd生成锁存信号(图2中的mlat)。锁存信号生成电路210可以生成这样的锁存信号(图2中的mlat)：当与时钟信号clk同步输入的命令信号cmd具有第一设定组合的逻辑电平组合时，锁存信号可以被使能。
29.输出控制电路220可以与内部时钟信号(图2的iclk)同步，以生成可以周期性地被使能的温度输出控制信号(图2的tco)。输出控制电路220可以生成这样的温度输出控制信号(图2中的tco)：其包括当内部时钟信号(图2中的iclk)的脉冲被输入设定次数时可以生成的脉冲。
30.温度控制电路230可以将温度输出控制信号(图2中的tco)的输入时间与锁存信号(图2中的mlat)的输入时间进行比较。温度控制电路230可以根据温度输出控制信号(图2中的tco)的输入时间和锁存信号(图2中的mlat)的输入时间的比较结果来更新温度码(例如，图2中的第一温度码至第k温度码tcode《1:k》)。温度控制电路230可以根据温度输出控制信号(图2中的tco)的输入时间和锁存信号(图2中的mlat)的输入时间的比较结果来中断温度
码(图2中的tcode《1:k》)的更新。温度控制电路230可以基于更新的温度码(图2中的tcode《1:k》)生成温度信息信号tp_inf。
31.刷新控制电路260可以调整刷新操作的周期(即，刷新操作周期)。在自我刷新操作期间，当温度信息信号tp_inf包括高温信息时，刷新控制电路260可以减少刷新操作周期。在自我刷新操作期间，当温度信息信号tp_inf包括低温信息时，刷新控制电路260可以增加刷新操作周期。刷新操作可以指示包括自动刷新操作和自我刷新操作的操作。
32.图2是示出半导体器件120的配置的框图。如图2所示，半导体器件120可以包括：锁存信号生成电路210、输出控制电路220、温度控制电路230、温度码生成电路240、刷新信号生成电路250、刷新控制电路260和存储电路270。
33.锁存信号生成电路210可以与时钟信号clk同步，以基于命令信号(例如，第一命令信号至第j命令信号cmd《1:j》)生成锁存信号mlat。锁存信号生成电路210可以生成这样的锁存信号mlat：当与时钟信号clk同步输入的第一命令信号至第j命令信号cmd《1:j》具有第一设定组合的逻辑电平组合时，锁存信号mlat可以被使能。锁存信号生成电路210可以生成这样的锁存信号mlat：其包括当与时钟信号clk同步输入的第一命令信号至第j命令信号cmd《1:j》具有第一设定组合的逻辑电平组合时可以生成的脉冲。根据实施例，第一设定组合可以设置为不同。锁存信号mlat可以设置为当用于模式寄存器读取操作的第一命令信号至第j命令信号cmd《1:j》被输入时可以被使能的信号。
34.输出控制电路220可以与内部时钟信号iclk同步，以生成可以周期性地被使能的温度输出控制信号tco。输出控制电路220可以通过对内部时钟信号iclk的脉冲进行计数来生成温度输出控制信号tco。输出控制电路220可以生成这样的温度输出控制信号tco：其包括当内部时钟信号iclk的脉冲被输入设定次数时生成的脉冲。内部时钟信号iclk可以设置为基于从控制器110输出的时钟信号clk在半导体器件120中生成的信号。设定次数是指可以将内部时钟信号iclk中包括的脉冲输入到输出控制电路220的预定次数，并且根据实施例，设定次数可以设置为不同。温度输出控制信号tco可以设置为在第一温度码至第k温度码tcode《1:k》改变时被使能以更新第一温度码至第k温度码tcode《1:k》的信号。
35.温度控制电路230可以包括检测电路231和更新控制电路232。
36.检测电路231可以将温度输出控制信号tco的输入时间与锁存信号mlat的输入时间进行比较。检测电路231可以生成这样的码选通信号code_str，其脉冲宽度根据温度输出控制信号tco的输入时间和锁存信号mlat的输入时间的比较结果来调整。检测电路231可以将温度输出控制信号tco的输入时间与锁存信号mlat的输入时间进行比较。
37.更新控制电路232可以基于锁存信号mlat和码选通信号code_str来更新第一温度码至第k温度码tcode《1:k》。更新控制电路232可以基于锁存信号mlat和码选通信号code_str来中断第一温度码至第k温度码tcode《1:k》的更新。更新控制电路232可以基于通过锁存信号mlat和码选通信号code_str更新的第一温度码至第k温度码tcode《1:k》，生成温度信息信号tp_inf(例如，第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》)。
38.温度控制电路230可以将温度输出控制信号tco的输入时间与锁存信号mlat的输入时间进行比较。温度控制电路230可以根据温度输出控制信号tco的输入时间和锁存信号mlat的输入时间的比较结果来更新第一温度码至第k温度码tcode《1:k》。温度控制电路230可以根据温度输出控制信号tco的输入时间和锁存信号mlat的输入时间的比较结果来中断
第一温度码至第k温度码tcode《1:k》的更新。温度控制电路230可以基于被更新的第一温度码至第k温度码tcode《1:k》生成第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》。第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》可以被输出至控制器110。
39.温度码生成电路240可以根据半导体器件120的内部温度来生成第一温度码至第k温度码tcode《1:k》。温度码生成电路240可以周期性地生成包括半导体器件120的温度信息的第一温度码至第k温度码tcode《1:k》。不管外部控制如何，都可以周期性地生成第一温度码至第k温度码tcode《1:k》。根据实施例，生成第一温度码至第k温度码tcode《1:k》的周期可以设置为不同。
40.此外，通过温度码生成电路240生成的第一温度码至第k温度码tcode《1:k》的逻辑电平组合可以根据在生成温度输出控制信号tco时半导体器件120的内部温度而改变或不改变。
41.刷新信号生成电路250可以与时钟信号clk同步，以基于第一命令信号至第j命令信号cmd《1:j》生成刷新信号ref。刷新信号生成电路250可以生成这样的刷新信号ref：当与时钟信号clk同步输入的第一命令信号至第j命令信号cmd《1:j》具有第二设定组合的逻辑电平组合时，刷新信号ref被使能。刷新信号生成电路250可以生成这样的刷新信号ref，其包括当与时钟信号clk同步输入的第一命令信号至第j命令信号cmd《1:j》具有第二设定组合的逻辑电平组合时生成的脉冲。根据实施例，第二设定组合可以设置为具有不同的逻辑电平组合。第一设定组合和第二设定组合可以具有不同的逻辑电平组合。刷新信号ref可以设置为在自动刷新操作期间被使能的信号。
42.刷新控制电路260可以基于刷新信号ref生成内部刷新信号iref和第一刷新地址至第l刷新地址ref_add《1:l》。每当刷新信号ref输入至刷新控制电路260时，刷新控制电路260可以生成内部刷新信号iref和第一刷新地址至第l刷新地址ref_add《1:l》。
43.存储电路270可以基于内部刷新信号iref和第一刷新地址至第l刷新地址ref_add《1:l》来执行刷新操作。每当内部刷新信号iref的脉冲被输入时，存储电路270可以对由第一刷新地址至第l刷新地址ref_add《1:l》选择的存储单元(未示出)执行刷新操作。刷新操作可以包括自动刷新操作和自我刷新操作。尽管所示的存储电路270具有用于执行刷新操作的配置，但是存储电路270也可以被配置为针对数据的输出和输入另外执行读取操作和写入操作。
44.如图3所示，检测电路231可以包括比较电路310和信号合成电路320。
45.比较电路310可以将温度输出控制信号tco的输入时间与锁存信号mlat的输入时间进行比较。比较电路310可以根据温度输出控制信号tco的输入时间和锁存信号mlat的输入时间的比较结果来生成检测信号det。比较电路310可以与温度输出控制信号tco的下降沿同步，以生成被使能的内部脉冲信号ip。随后将参照图4来详细地描述用于生成检测信号det和内部脉冲信号ip的比较电路310的操作。
46.信号合成电路320可以将检测信号det和内部脉冲信号ip进行合成，以生成选通信号code_str。信号合成电路320可以生成这样的码选通信号code_str：其脉冲宽度通过将检测信号det和内部脉冲信号ip的脉冲进行合成来调整。随后将参照图5来详细地描述用于生成其脉冲宽度可以被调整的码选通信号code_str的信号合成电路320的操作。
47.如图4所示，比较电路310可以包括：设定信号生成电路311、缓冲电路312和脉冲生
成电路313。
48.可以利用反相器311《1》以及与非门311《2》和311《3》来实现设定信号生成电路311。反相器311《1》可以反相缓冲温度输出控制信号tco，以生成反相温度输出控制信号tcob。与非门311《2》可以生成这样的设定信号set，其在具有逻辑“低”电平的锁存信号mlat被输入至与非门311《2》时被使能为具有逻辑“高”电平。与非门311《2》可以生成这样的设定信号set：当锁存信号mlat具有逻辑“高”电平并且与非门311《3》的输出信号具有逻辑“高”电平时，设定信号set被禁止而具有逻辑“低”电平。当具有逻辑“低”电平的反相温度输出控制信号tcob被输入至与非门311《3》时，与非门311《3》可以生成逻辑“高”电平的输出信号。
49.设定信号生成电路311可以与锁存信号mlat的下降沿同步，以生成被使能的设定信号set。设定信号生成电路311可以与温度输出控制信号tco的上升沿同步，以生成被禁止的设定信号set。
50.可以利用反相器312《1》和312《2》来实现缓冲电路312。反相器312《1》可以通过去除包括在逻辑“高”电平的设定信号set中的毛刺来生成逻辑“低”电平的输出信号。反相器312《2》可以通过去除包括在具有逻辑“低”电平的反相器312《1的输出信号中的毛刺来生成逻辑“高”电平的检测信号det。在一些其他实施例中，反相器312《1》可以通过去除包括在逻辑“低”电平的设定信号set中的毛刺来生成逻辑“高”电平的输出信号，并且反相器312《2》可以通过去除包括在具有逻辑“高”电平的反相器312《1》的输出信号中的毛刺来生成逻辑“低”电平的检测信号det。
51.缓冲电路312可以去除包括在设定信号set中的毛刺。缓冲电路312可以缓冲设定信号set，以生成从中去除毛刺的检测信号det。
52.可以利用反相器313《1》、313《2》、313《3》、313《4》和313《6》以及与非门313《5》来实现脉冲生成电路313。脉冲生成电路313可以生成这样的内部脉冲信号ip，其包括通过对温度输出控制信号tco进行反相而获得的反相温度输出控制信号tcob所生成的脉冲。脉冲生成电路313可以在具有逻辑“低”电平的反相温度输出控制信号tcob被输入时生成具有逻辑“低”电平的内部脉冲信号ip。在具有逻辑“低电平”的反相温度输出控制信号tcob输入之后，从具有逻辑“高”电平的反相温度输出控制信号tcob被输入的时间开始经过通过反相器313《1》、313《2》、313《3》和313《4》确定的延迟时间之后，脉冲生成电路313可以生成具有逻辑“高”电平的内部脉冲信号ip。结果，脉冲生成电路313可以在反相温度输出控制信号tco的电平从逻辑“低”电平改变为逻辑“高”电平的情况下，在反相温度输出控制信号tcob保持逻辑“低”电平的保持时间和由反相器313《1》、313《2》、313《3》和313《4》确定的延迟时间之和相对应的时段期间，生成包括具有逻辑“低”电平的脉冲的内部脉冲信号ip。
53.如图5所示，可以利用与非门321《1》和反相器321《2》来实现信号合成电路320。
54.与非门321《1》可以对检测信号det和内部脉冲信号ip执行逻辑与非运算，以输出逻辑与非运算的结果。反相器321《2》可以反相缓冲与非门321《1》的输出信号，以生成码选通信号code_str。
55.信号合成电路320可以对检测信号det和内部脉冲信号ip执行逻辑与运算，以生成选通信号code_str。当检测信号det和内部脉冲信号ip中的一个具有逻辑“低”电平时，信号合成电路320可以生成被使能为具有逻辑“低”电平的码选通信号code_str。当检测信号det和内部脉冲信号ip都具有逻辑“高”电平时，信号合成电路320可以生成被禁止为具有逻辑“高”电平的码选通信号code_str。
56.如图6所示，更新控制电路232可以包括温度锁存信号生成电路330和温度信息信号生成电路340。
57.温度锁存信号生成电路330可以基于第一温度码至第k温度码tcode《1:k》和选通信号code_str生成第一温度锁存信号至第k温度锁存信号tp_lat《1:k》。温度锁存信号生成电路330可以基于码选通信号code_str来更新第一温度码至第k温度码tcode《1:k》。温度锁存信号生成电路330可以通过中断基于码选通信号code_str的第一温度码至第k温度码tcode《1:k》的更新来生成第一温度锁存信号至第k温度锁存信号tp_lat《1:k》。随后将参照图7来描述用于生成第一温度锁存信号至第k温度锁存信号tp_lat《1:k》的温度锁存信号生成电路330的操作。
58.温度信息信号生成电路340可以基于第一温度锁存信号至第k温度锁存信号tp_lat《1:k》和锁存信号mlat来生成第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》。温度信息信号生成电路340可以与锁存信号mlat的上升沿同步，以基于第一温度锁存信号至第k温度锁存信号tp_lat《1:k》生成第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》。随后将参照图8来描述用于生成第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》的温度信息信号生成电路340的操作。
59.如图7所示，温度锁存信号生成电路330可以包括：反相码选通信号生成电路331、第一输入电路332和第二输入电路333。
60.可以利用反相器331《1》来实现反相码选通信号生成电路331。反相码选通信号生成电路331可以反相缓冲码选通信号code_str，以生成反相码选通信号code_strb。
61.可以利用传输门332《1》以及反相器332《2》和332《3》来实现第一输入电路332。传输门332《1》可以通过具有逻辑“低”电平的码选通信号code_str和具有逻辑“高”电平的反相码选通信号code_strb来导通，以接收和输出第一温度码至第k温度码tcode《1:k》。反相器332《2》可以反相缓冲第一温度码至第k温度码tcode《1:k》，以生成第一传输信号至第k传输信号ts《1:k》。反相器332《2》和332《3》可以基于逻辑“高”电平的码选通信号code_str和逻辑“低”电平的反相码选通信号code_strb来锁存第一传输信号至第k传输信号ts《1:k》。当码选通信号code_str被使能为具有逻辑“低”电平时，第一输入电路332可以更新第一温度码至第k温度码tcode《1:k》，以生成第一传输信号至第k传输信号ts《1:k》。当码选通信号code_str被禁止而具有逻辑“高”电平时，第一输入电路332可以中断第一温度码至第k温度码tcode《1:k》的更新。
62.可以利用传输门333《1》以及反相器333《2》和333《3》来实现第二输入电路333。传输门333《1》可以通过具有逻辑“高”电平的码选通信号code_str和具有逻辑“低”电平的反相码选通信号code_strb来导通，以接收和输出第一传输信号至第k传输信号ts《1:k》。反相器333《2》可以反相缓冲第一传输信号至第k传输信号ts《1:k》，以生成第一温度锁存信号至第k温度锁存信号tp_lat《1:k》。反相器333《2》和333《3》可以基于具有逻辑“低”电平的码选通信号code_str和具有逻辑“高”电平的反相码选通信号code_strb来锁存第一温度锁存信号至第k温度锁存信号tp_lat《1:k》。当码选通信号code_str被禁止而具有逻辑“高”电平时，第二输入电路333可以反相缓冲第一传输信号至第k传输信号ts《1:k》，以生成第一温度锁存信号至第k温度锁存信号tp_lat《1:k》。
63.尽管图7中所示的包括反相码选通信号生成电路331、第一输入电路332和第二输入电路333的温度锁存信号生成电路330被示为单个电路，但是温度锁存信号生成电路330可以被配置为包括“k”个电路，其数量等于包括在第一温度锁存信号至第k温度锁存信号tp_lat《1:k》中的位数。
64.如图8所示，温度信息信号生成电路340可以包括反相锁存信号生成电路341和输出电路342。
65.可以利用反相器341《1》来实现反相锁存信号生成电路341。反相锁存信号生成电路341可以反相缓冲锁存信号mlat，以生成反相锁存信号mlatb。
66.可以利用反相器342《1》、与非门342《2》和反相器342《3》来实现输出电路342。
67.反相器342《1》可以通过具有逻辑“高”电平的锁存信号mlat和具有逻辑“低”电平的反相锁存信号mlatb来导通，以反相缓冲第一温度锁存信号至第k温度锁存信号tp_lat《1:k》并输出第一温度锁存信号至第k温度锁存信号tp_lat《1:k》的反相缓冲信号。
68.与非门342《2》可以生成由复位信号rstb初始化的第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》。与非门342《2》可以生成这样的第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》：当复位信号rstb被使能而具有逻辑“低”电平时，第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》的所有位被初始化为具有逻辑“高”电平。当复位信号rstb被禁止而具有逻辑“高”电平时，与非门342《2》可以反相缓冲反相器342《1》的输出信号，以生成第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》。当半导体器件120的各种操作开始时，复位信号rstb可以被使能而在预定时段期间具有逻辑“低”电平，以执行初始化操作。
69.反相器342《3》和与非门342《2》可以基于具有逻辑“低”电平的锁存信号mlat和具有逻辑“高”电平的反相锁存信号mlatb来锁存第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》。
70.尽管图8中所示的包括反相锁存信号生成电路341和输出电路342的温度信息信号生成电路340被示出为单个电路，但是温度信息信号生成电路340可以被配置为包括“k”个电路，其数量等于第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》的位数。
71.在下文中，将结合从命令信号cmd生成的锁存信号mlat可以比内部生成的温度输出控制信号tco更早地输入至温度控制电路230的情况，参照图9来描述图1至图8中所示的电子设备100的温度信息更新操作和刷新操作。
72.首先，可以假定图9中所示的“1c”可以设置为第一逻辑电平组合，图9中所示的“2c”可以设置为第二逻辑电平组合，并且第一逻辑电平组合可以与第二逻辑电平组合不同。
73.在时刻“t1”，锁存信号生成电路210可以基于与时钟信号clk同步输入的具有第一设定组合的第一命令信号至第j命令信号cmd《1:j》，生成被使能而具有逻辑“高”电平的锁存信号mlat。锁存信号mlat的脉冲宽度可以设置为从时刻“t1”至时刻“t2”的时间段。
74.温度信息信号生成电路340可以基于由具有逻辑“高”电平的锁存信号mlat生成的第一温度锁存信号至第k温度锁存信号tp_lat《1:k》，生成具有第一逻辑电平组合的第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》。第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》可以被输出至控制器110。
75.在时刻“t3”，温度码生成电路240可以根据半导体器件120的内部温度来生成具有
第二逻辑电平组合的第一温度码至第k温度码tcode《1:k》。
76.在时刻“t4”，输出控制电路220可以与内部时钟信号iclk同步，以生成被使能而具有逻辑“高”电平的温度输出控制信号tco。温度输出控制信号tco的脉冲宽度可以设置为从时刻“t4”至时刻“t5”的时间段。
77.脉冲生成电路313可以基于通过对温度输出控制信号tco进行反相而获得的逻辑“低”电平的反相温度输出控制信号tcob，来生成逻辑“低”电平的内部脉冲信号ip。
78.信号合成电路320可以通过对具有逻辑“高”电平的检测信号det和具有“低”电平的内部脉冲信号ip执行逻辑与运算，来生成逻辑“低”电平的码选通信号code_str。
79.第一输入电路332可以基于具有逻辑“低”电平的码选通信号code_str来更新第二逻辑电平组合的第一温度码至第k温度码tcode《1:k》，以生成第一传输信号至第k传输信号ts《1:k》。
80.在时刻“t6”，脉冲生成电路313可以生成具有逻辑“高”电平的内部脉冲信号ip。
81.信号合成电路320可以通过对具有逻辑“高”电平的检测信号det和具有逻辑“高”电平的内部脉冲信号ip执行逻辑与运算，来生成具有逻辑“高”电平的码选通信号code_str。
82.第二输入电路333可以基于具有逻辑“高”电平的码选通信号code_str来反相缓冲第一传输信号至第k传输信号ts《1:k》，以生成第二逻辑电平组合的第一温度锁存信号至第k温度锁存信号tp_lat《1:k》。
83.控制器110可以基于在时刻“t1”更新的第一逻辑电平组合的第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》来调整刷新操作周期。
84.电子设备100可以在温度信息更新操作期间，基于从命令信号cmd生成的锁存信号mlat来更新具有第一逻辑电平组合的第一温度码至第k温度码tcode《1:k》。电子设备100可以基于从更新的第一温度码至第k温度码tcode《1:k》生成的第一逻辑电平组合的第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》来调整刷新操作周期。
85.在下文中，将结合从命令信号cmd生成的锁存信号mlat可以比内部生成的温度输出控制信号tco更早地输入至温度控制电路230，以及锁存信号mlat和温度输出控制信号tco的脉冲至少部分地彼此重叠的情况，参照图10来描述电子设备100的温度信息更新操作和刷新操作。
86.首先，可以假定图10中所示的“1c”可以设置为第一逻辑电平组合，图10中所示的“2c”可以设置为第二逻辑电平组合，并且第一逻辑电平组合可以与第二逻辑电平组合不同。
87.在时刻“t11”，温度码生成电路240可以根据半导体器件120的内部温度来生成第二逻辑电平组合的第一温度码至第k温度码tcode《1:k》。
88.锁存信号生成电路210可以生成这样的锁存信号mlat，其通过与时钟信号clk同步输入的第一设定组合的第一命令信号至第j命令信号cmd《1:j》被使能为逻辑“高”电平。锁存信号mlat的脉冲宽度可以设置为从时刻“t11”至时刻“t13”的时间段。
89.温度信息信号生成电路340可以基于通过具有逻辑“高”电平的信号mlat生成的第一温度锁存信号至第k温度锁存信号tp_lat《1:k》，来生成具有第一逻辑电平组合的第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》。第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_
inf《1:k》可以被输出至控制器110。
90.在时刻“t12”，输出控制电路220可以与内部时钟信号iclk同步，以生成被使能而具有逻辑“高”电平的温度输出控制信号tco。温度输出控制信号tco的脉冲宽度可以设置为从时刻“t12”至时刻“t14”的时间段。
91.设定信号生成电路311可以与锁存信号mlat的上升沿同步，以生成具有逻辑“低”电平的设定信号set。
92.缓冲电路312可以去除包括在设定信号set中的毛刺，并且可以缓冲没有毛刺的设定信号set，以生成具有逻辑“低”电平的检测信号det。
93.信号合成电路320可以通过对具有逻辑“低”电平的检测信号det和具有逻辑“低”电平的内部脉冲信号ip执行逻辑与运算，来生成具有逻辑“低”电平的码选通信号code_str。
94.第一输入电路332可以基于具有逻辑“低”电平的码选通信号code_str来更新具有第二逻辑电平组合的第一温度码至第k温度码tcode《1:k》，以生成第一传输信号至第k传输信号ts《1:k》。
95.在时刻“t13”，设定信号生成电路311可以与锁存信号mlat的下降沿同步，以生成被使能为具有逻辑“高”电平的设定信号set。
96.缓冲电路312可以去除包括在设定信号set中的毛刺，并且可以缓冲没有毛刺的设定信号set，以生成具有逻辑“高”电平的检测信号det。
97.在时刻“t15”，脉冲生成电路313可以生成具有逻辑“高”电平的内部脉冲信号ip。
98.信号合成电路320可以通过对具有逻辑“高”电平的检测信号det和具有“高”电平的内部脉冲信号ip执行逻辑与运算，来生成逻辑“高”电平的码选通信号code_str。
99.第二输入电路333可以反相缓冲通过逻辑“高”电平的码选通信号code_str生成的第一传输信号至第k传输信号ts《1:k》，以生成第二逻辑电平组合的第一温度锁存信号至第k温度锁存信号tp_lat《1:k》。
100.控制器110可以基于在时刻“t11”更新的第一逻辑电平组合的第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》来调整刷新操作周期。
101.电子设备100可以在温度信息更新操作期间，基于从命令信号cmd生成的锁存信号mlat来更新第一逻辑电平组合的第一温度码至第k温度码tcode《1:k》。电子设备100可以基于从更新的第一温度码至第k温度码tcode《1:k》生成的第一逻辑电平组合的第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》来调整刷新操作周期。
102.在下文中，将结合可以在内部生成的温度输出控制信号tco中包括的脉冲的生成时间段期间，从命令信号cmd生成锁存信号mlat的情况，参照图11来描述电子设备100的温度信息更新操作和刷新操作。
103.首先，可以假定图11中所示的“1c”可以设置为第一逻辑电平组合，图11中所示的“2c”可以设置为第二逻辑电平组合，并且第一逻辑电平组合可以与第二逻辑电平组合不同。
104.在时刻“t21”，温度码生成电路240可以根据半导体器件120的内部温度来生成第二逻辑电平组合的第一温度码至第k温度码tcode《1:k》。
105.在时刻“t22”，输出控制电路220可以与内部时钟信号iclk同步，以生成被使能而
具有逻辑“高”电平的温度输出控制信号tco。温度输出控制信号tco的脉冲宽度可以设置为从时刻“t22”至时刻“t25”的时间段。
106.脉冲生成电路313可以基于通过对温度输出控制信号tco进行反相而获得的具有逻辑“低”电平的反相温度输出控制信号tcob，来生成具有逻辑“低”电平的内部脉冲信号ip。
107.信号合成电路320可以通过对具有逻辑“高”电平的检测信号det和具有逻辑“低”电平的内部脉冲信号ip执行逻辑与运算，来生成具有逻辑“低”电平的码选通信号code_str。
108.第一输入电路332可以基于具有逻辑“低”电平的码选通信号code_str来更新第二逻辑电平组合的第一温度码至第k温度码tcode《1:k》，以生成第一传输信号至第k传输信号ts《1:k》。
109.在时刻“t23”，锁存信号生成电路210可以生成这样的锁存信号mlat：其通过与时钟信号clk同步输入第一设定组合的第一命令信号至第j命令信号cmd《1:j》被使能而具有逻辑“高”电平。锁存信号mlat的脉冲宽度可以设置为从时刻“t23”至时刻“t24”的时间段。
110.设定信号生成电路311可以与锁存信号mlat的上升沿同步地生成逻辑“低”电平的设定信号set。
111.缓冲电路312可以去除包括在设定信号set中的毛刺并且可以缓冲没有毛刺的设定信号set，以生成逻辑“低”电平的检测信号det。
112.温度信息信号生成电路340可以基于通过具有逻辑“高”电平的锁存信号mlat生成的第一温度锁存信号至第k温度锁存信号tp_lat《1:k》，生成第一逻辑电平组合的第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》。第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》可以被输出至控制器110。
113.在时刻t24，设定信号生成电路311可以与锁存信号mlat的下降沿同步，以生成被使能为逻辑“高”电平的设定信号set。
114.缓冲电路312可以去除包括在设定信号set中的毛刺，并且可以缓冲没有毛刺的设定信号set，以生成具有逻辑“高”电平的检测信号det。
115.在时刻“t26”，脉冲生成电路313可以生成具有逻辑“高”电平的内部脉冲信号ip。
116.信号合成电路320可以通过对具有逻辑“高”电平的检测信号det和具有逻辑“高”电平的内部脉冲信号ip执行逻辑与运算，来生成具有逻辑“高”电平的码选通信号code_str。
117.第二输入电路333可以反相缓冲由具有逻辑“高”电平的码选通信号code_str生成的第一传输信号至第k传输信号ts《1:k》，以生成第二逻辑电平组合的第一温度锁存信号至第k温度锁存信号tp_lat《1:k》。
118.控制器110可以基于在时刻“t23”更新的第一逻辑电平组合的第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》来调整刷新操作周期。
119.电子设备100可以在温度信息更新操作期间，基于从命令信号cmd生成的锁存信号mlat来更新第一逻辑电平组合的第一温度码至第k温度码tcode《1:k》。电子设备100可以基于从更新的第一温度码至第k温度码tcode《1:k》生成的第一逻辑电平组合的第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》来调整刷新操作周期。
电平的内部脉冲信号ip执行逻辑与运算，来生成逻辑“高”电平的码选通信号code_str。
135.第二输入电路333可以基于具有逻辑“高”电平的码选通信号code_str来对第一传输信号至第k传输信号ts《1:k》进行反相缓冲，以生成第二逻辑电平组合的第一温度锁存信号至第k温度锁存信号tp_lat《1:k》。
136.控制器110可以基于在时刻“t33”更新的第一逻辑电平组合的第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》来调整刷新操作周期。
137.电子设备100可以在温度信息更新操作期间，基于从命令信号cmd生成的锁存信号mlat来更新第一逻辑电平组合的第一温度码至第k温度码tcode《1:k》。电子设备100可以基于从更新的第一温度码至第k温度码tcode《1:k》生成的第一逻辑电平组合的第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》来调整刷新操作周期。
138.在下文中，将结合在内部生成温度输出控制信号tco之后，可以从命令信号cmd生成锁存信号mlat，并且温度输出控制信号tco和锁存信号mlat的脉冲彼此不重叠的情况，参照图13来描述根据本公开的实施例的电子设备100的温度信息更新操作和刷新操作。
139.首先，可以假定图13中所示的“1c”可以设置为第一逻辑电平组合，图13中所示的“2c”可以设置为第二逻辑电平组合，并且第一逻辑电平组合可以与第二逻辑电平组合不同。
140.在时间“t41”，温度码生成电路240可以根据半导体器件120的内部温度来生成第二逻辑电平组合的第一温度码至第k温度码tcode《1:k》。
141.在时刻“t42”，输出控制电路220可以与内部时钟信号iclk同步，以生成被使能为逻辑“高”电平的温度输出控制信号tco。温度输出控制信号tco的脉冲宽度可以设置为从时刻“t42”至时刻“t43”的时间段。
142.脉冲生成电路313可以基于通过对温度输出控制信号tco进行反相而获得的具有逻辑“低”电平的反相温度输出控制信号tcob，来生成具有逻辑“低”电平的内部脉冲信号ip。
143.信号合成电路320可以通过对具有逻辑“高”电平的检测信号det和具有逻辑“低”电平的内部脉冲信号ip执行逻辑与运算，来生成具有逻辑“低”电平的码选通信号code_str。
144.第一输入电路332可以基于具有逻辑“低”电平的码选通信号code_str来更新第二逻辑电平组合的第一温度码至第k温度码tcode《1:k》，以生成第一传输信号至第k传输信号ts《1:k》。
145.在时刻“t44”，脉冲生成电路313可以生成具有逻辑“高”电平的内部脉冲信号ip。
146.信号合成电路320可以通过对具有逻辑“高”电平的检测信号det和具有逻辑“高”电平的内部脉冲信号ip执行逻辑与运算，来生成具有逻辑“高”电平的码选通信号code_str。
147.第二输入电路333可以反相缓冲基于具有逻辑“高”电平的码选通信号code_str的第一传输信号至第k传输信号ts《1:k》，以生成第二逻辑电平组合的第一温度锁存信号至第k温度锁存信号tp_lat《1:k》。
148.在时刻“t45”，锁存信号生成电路210可以生成这样的锁存信号mlat：其通过与时钟信号clk同步输入的第一设定组合的第一命令信号至第j命令信号cmd《1:j》被使能而具
有逻辑“高”电平。锁存信号mlat的脉冲宽度可以设置为从时刻“t45”至时刻“t46”的时间段。
149.温度信息信号生成电路340可基于由具有逻辑“高”电平的锁存信号mlat生成的第一温度锁存信号至第k温度锁存信号tp_lat《1:k》，来生成第二逻辑电平组合的第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》。第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》可以被输出至控制器110。
150.控制器110可以基于在时刻“t45”更新的第一逻辑电平组合的第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》来调整刷新操作周期。
151.电子设备100可以在温度信息更新操作期间，基于从命令信号cmd生成的锁存信号mlat来更新第一逻辑电平组合的第一温度码至第k温度码tcode《1:k》。电子设备100可以基于从更新的第一温度码至第k温度码tcode《1:k》生成的第一逻辑电平组合的第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》来调整刷新操作周期。
152.如上所述，根据本公开的实施例的电子设备可以根据从命令信号生成的信号的输入时间和内部生成的信号的输入时间的比较结果来更新温度信息，从而提高了温度信息的可靠性。另外，电子设备可以根据从命令信号生成的信号的输入时间和内部生成的信号的输入时间的比较结果来更新温度信息，从而调整刷新操作的周期。结果，可以有效地执行刷新操作。
153.图14是示出根据另一个实施例的半导体器件120-1的配置的框图。如图14所示，半导体器件120-1可以包括：内部锁存信号生成电路410、输出控制电路420、温度控制电路430、温度码生成电路440、刷新控制电路450和存储电路460。
154.内部锁存信号生成电路410可以生成在自我刷新操作期间被使能的内部锁存信号ilat。内部锁存信号生成电路410可以生成在自我刷新操作期间周期性地被使能的内部锁存信号ilat。根据实施例，内部锁存信号ilat的周期可以设置为不同。内部锁存信号ilat可以设置为在自我刷新操作期间被使能的信号。
155.输出控制电路420可以与内部时钟信号iclk同步，以生成周期性地被使能的温度输出控制信号tco。输出控制电路420可以对内部时钟信号iclk的脉冲进行计数，以生成温度输出控制信号tco。输出控制电路420可以生成包括多个脉冲的温度输出控制信号tco，每个脉冲在内部时钟信号iclk的脉冲被输入设定次数时生成。可以基于从控制器110输出的时钟信号clk在半导体器件120-1中生成内部时钟信号iclk。设定次数是指包括在内部时钟信号iclk中的脉冲被输入至输出控制电路420的预定次数，并且根据实施例，设定次数可以设置为不同。温度输出控制信号tco可以设置为在第一温度码至第k温度码tcode《1:k》改变时被使能以更新第一温度码至第k温度码tcode《1:k》的信号。
156.温度控制电路430可以包括检测电路431和更新控制电路432。
157.检测电路431可以将温度输出控制信号tco的输入时间与内部锁存信号ilat的输入时间进行比较。检测电路431可以生成这样的码选通信号code_str：码选通信号code_str的脉冲宽度根据温度输出控制信号tco的输入时间和内部锁存信号ilat的输入时间的比较结果来调整。检测电路431可以将温度输出控制信号tco的输入时间与内部锁存信号ilat的输入时间进行比较。
158.更新控制电路432可以基于内部锁存信号ilat和码选通信号code_str来更新第一
温度码至第k温度码tcode《1:k》。更新控制电路432可以基于内部锁存信号ilat和码选通信号code_str来中断第一温度码至第k温度码tcode《1:k》的更新。更新控制电路432可以基于通过内部锁存信号ilat和码选通信号code_str更新的第一温度码至第k温度码tcode《1:k》，来生成第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》。
159.温度控制电路430可以将温度输出控制信号tco的输入时间与内部锁存信号ilat的输入时间进行比较。温度控制电路430可以根据温度输出控制信号tco的输入时间与内部锁存信号ilat的输入时间的比较结果来更新第一温度码至第k温度码tcode《1:k》。温度控制电路430可以根据温度输出控制信号tco的输入时间与内部锁存信号ilat的输入时间的比较结果来中断第一温度码至第k温度码tcode《1:k》的更新。温度控制电路430可以基于更新的第一温度码至第k温度码tcode《1:k》来生成第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》。图14中所示的温度控制电路430可以实现为具有与图2中所示的温度控制电路230相同的配置，只是其中温度控制电路430接收的是内部锁存信号ilat而不是图2中所示的锁存信号mlat。因此，在下文中将省略温度控制电路430的详细描述。
160.温度码生成电路440可以根据半导体器件120-1的内部温度来生成第一温度码至第k温度码tcode《1:k》。温度码生成电路440可以周期性地生成包括半导体器件120-1的温度信息的第一温度码至第k温度码tcode《1:k》。不管外部控制如何，可以周期性地生成第一温度码至第k温度码tcode《1:k》。根据实施例，第一温度码至第k温度码tcode《1:k》的周期可以设置为不同。
161.此外，在生成温度输出控制信号tco时，根据半导体器件120-1的内部温度，通过温度码生成电路440生成的第一温度码至第k温度码tcode《1:k》的逻辑电平组合可以改变或可以不改变。
162.刷新控制电路450可以基于内部锁存信号ilat和第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》来生成内部刷新信号iref和第一刷新地址至第l刷新地址ref_add《1:l》。当内部锁存信号ilat被输入至刷新控制电路450时，刷新控制电路450可以生成这样的内部刷新信号iref和第一刷新地址至第l刷新地址ref_add《1:l》：其生成周期基于第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》来调整。当内部锁存信号ilat被输入至刷新控制电路450并且第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》包括高温信息时，刷新控制电路450可以生成包括生成为具有第一周期的脉冲的内部刷新信号iref。当内部锁存信号ilat被输入至刷新控制电路450并且第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》包括高温信息时，刷新控制电路450可以生成具有第一周期的第一刷新地址至第l刷新地址ref_add《1:l》。当内部锁存信号ilat输入至刷新控制电路450并且第一温度信息信号至第k温度信息信号tp_inf《1:k》包括低温信息时，刷新控制电路450可以生成具有第二周期的第一刷新地址至第l刷新地址ref_add《1:l》。第一周期可以设置为比第二周期更短。根据实施例，第一周期与第二周期之间的差可以设置为不同。
163.存储电路460可以基于内部刷新信号iref和第一刷新地址至第l刷新地址ref_add《1:l》来执行刷新操作。每当内部刷新信号iref的脉冲被输入时，存储电路460可以对由第一刷新地址至第l刷新地址ref_add《1:l》选择的存储单元(未示出)执行刷新操作。刷新操作可以包括自动刷新操作和自我刷新操作。尽管存储电路460可以被示出为具有用于执行刷新操作的配置，但是存储电路460也可以被配置为对数据的输出和输入另外执行读取操
作和写入操作。
164.图15是示出根据本公开的一个实施例的电子系统1000的配置的框图。如图15所示，电子系统1000可以包括主机1100和半导体系统1200。
165.主机1100和半导体系统1200可以利用接口协议相互发送信号。用于主机1100与半导体系统1200之间的通信的接口协议可以包括如下中的任意一种：多媒体卡(mmc)、增强型小盘接口(esdi)、集成驱动电子设备(ide)、外围组件互连-快速(pci-e)、高级技术附件(ata)、串行ata(sata)、并行ata(pata)、串行附接的scsi(sas)、通用串行总线(usb)等。
166.半导体系统1200可以包括控制器1300和半导体器件1400(k:1)。控制器1300可以控制半导体器件1400(k:1)，使得半导体器件1400(k:1)执行温度信息更新操作。半导体器件1400(k:1)中的每一个可以根据从命令信号生成的信号的输入时间与内部生成的信号的输入时间的比较结果来更新温度信息，从而提高温度信息的可靠性。另外，半导体器件1400(k:1)中的每一个可以通过根据从命令信号生成的信号的输入时间与内部生成的信号的输入时间的比较结果更新温度信息，来调整刷新操作周期，从而控制刷新操作周期。因此，可以有效地执行刷新操作。
167.可以利用图1中所示的控制器110来实现控制器1300。可以利用图1中所示的半导体器件120和图14中所示的半导体器件120-1中的至少一个来实现半导体器件1400(k:1)中的每一个。在一些实施例中，可以利用动态随机存取存储器(dram)、相变随机存取存储器(pram)、电阻式随机存取存储器(rram)、磁性随机存取存储器(mram)和铁电随机存取存储器(fram)中的一种来实现半导体器件120或半导体器件120-1。

技术特征：

1.一种电子设备，包括：控制器，其被配置为输出具有第一设定组合或第二设定组合的命令信号和时钟信号，并且被配置为接收温度信息信号；以及半导体器件，其被配置为将基于具有第一设定组合的命令信号生成的锁存信号的输入时间与内部生成的温度输出控制信号的输入时间进行比较，并且被配置为根据所述温度输出控制信号的输入时间与所述锁存信号的输入时间的比较结果来更新温度码，以生成所述温度信息信号。2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述控制器基于所述温度信息信号来调整所述半导体器件的刷新操作周期。3.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述温度码包括关于所述半导体器件的内部温度的信息；以及其中，所述温度码的逻辑电平组合根据所述内部温度周期性地变化。4.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述半导体器件包括：锁存信号生成电路，其被配置为与所述时钟信号同步，以基于具有所述第一设定组合的所述命令信号生成所述锁存信号；输出控制电路，其被配置为与内部时钟信号同步，以生成周期性被使能的所述温度输出控制信号；以及温度控制电路，其被配置为将所述锁存信号的输入时间与所述温度输出控制信号的输入时间进行比较，并且被配置为根据所述温度输出控制信号的输入时间与所述锁存信号的输入时间的比较结果来更新温度码，以生成所述温度信息信号。5.根据权利要求4所述的电子设备，其中，所述温度控制电路包括：检测电路，其被配置为将所述温度输出控制信号的输入时间与所述锁存信号的输入时间进行比较，并且被配置为生成其脉冲宽度根据所述温度输出控制信号的输入时间与所述锁存信号的输入时间的比较结果进行调整的码选通信号；以及更新控制电路，其被配置为通过基于所述锁存信号和所述码选通信号更新所述温度码或中断所述温度码的更新来生成所述温度信息信号。6.根据权利要求5所述的电子设备，其中，所述检测电路包括：比较电路，其被配置为通过将所述温度输出控制信号的输入时间与所述锁存信号的输入时间进行比较来生成检测信号，并且被配置为生成与所述温度输出控制信号的下降沿同步被使能的内部脉冲信号；以及信号合成电路，其被配置为通过将所述检测信号和所述内部脉冲信号进行合成来生成所述码选通信号。7.根据权利要求6所述的电子设备，其中，所述比较电路包括：设定信号生成电路，其被配置为生成与所述锁存信号的下降沿同步地被使能并且与所述温度输出控制信号的上升沿同步地被禁止的设定信号；缓冲电路，其被配置为通过去除包括在所述设定信号中的毛刺并且缓冲没有毛刺的所述设定信号来生成所述检测信号；以及脉冲生成电路，其被配置为生成所述内部脉冲信号，所述内部脉冲信号包括由通过将所述温度输出控制信号反相而获得的反相温度输出控制信号所生成的脉冲。
8.根据权利要求5所述的电子设备，其中，所述更新控制电路包括：温度锁存信号生成电路，其被配置为通过基于所述码选通信号更新所述温度码或中断所述温度码的更新来生成温度锁存信号；以及温度信息信号生成电路，其被配置为基于所述锁存信号和所述温度锁存信号来生成所述温度信息信号。9.根据权利要求8所述的电子设备，其中，所述温度锁存信号生成电路包括：反相码选通信号生成电路，其配置为生成通过将所述码选通信号反相而获得的反相码选通信号；第一输入电路，其被配置为通过基于所述码选通信号和所述反相码选通信号更新所述温度码来生成传输信号；以及第二输入电路，其被配置为基于所述码选通信号、所述反相码选通信号和所述传输信号来生成所述温度锁存信号。10.根据权利要求8所述的电子设备，其中，所述温度信息信号生成电路包括：反相锁存信号生成电路，其被配置为通过反相缓冲所述锁存信号来生成反相锁存信号；以及输出电路，其被配置为基于所述锁存信号、所述反相锁存信号和所述温度锁存信号来生成所述温度信息信号。11.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述半导体器件包括：刷新信号生成电路，其被配置为与所述时钟信号同步，以基于具有所述第二设定组合的所述命令信号来生成刷新信号；刷新控制电路，其被配置为生成其周期由所述刷新信号调整的内部刷新信号和刷新地址；以及存储电路，其被配置为基于所述内部刷新信号和所述刷新地址来执行所述刷新操作。12.根据权利要求11所述的电子设备，其中，当所述温度信息信号包括高温信息时，所述内部刷新信号被生成为包括被生成为具有第一周期的脉冲；其中，当所述温度信息信号包括低温信息时，所述内部刷新信号被生成为包括被生成为具有第二周期的脉冲；以及其中，所述第一周期比所述第二周期更短。13.一种电子设备，其包括：温度控制电路，其被配置为将内部生成的温度输出控制信号的输入时间与由外部设备提供的命令信号生成的锁存信号的输入时间进行比较，并且被配置为根据所述温度输出控制信号的输入时间与所述锁存信号的输入时间的比较结果来更新温度码，以生成温度信息信号；以及刷新控制电路，其被配置为基于由所述温度信息信号生成的刷新信号来生成用于执行刷新操作的内部刷新信号。14.根据权利要求13所述的电子设备，其中，所述温度码包括关于所述电子设备的内部温度的信息；以及其中，所述温度码的逻辑电平组合根据所述内部温度周期性地变化。
15.根据权利要求13所述的电子设备，其中，当所述温度信息信号包括高温信息时，所述内部刷新信号被生成为包括被生成为具有第一周期的脉冲；其中，当所述温度信息信号包括低温信息时，所述内部刷新信号被生成为包括被生成为具有第二周期的脉冲；以及其中，所述第一周期比所述第二周期更短。16.根据权利要求13所述的电子设备，其中，所述温度控制电路包括：检测电路，其被配置为将所述温度输出控制信号的输入时间与所述锁存信号的输入时间进行比较，并且被配置为生成其脉冲宽度根据所述温度输出控制信号的输入时间与所述锁存信号的输入时间的比较结果进行调整的码选通信号；以及更新控制电路，其被配置为通过基于所述锁存信号和所述码选通信号更新所述温度码或中断所述温度码的更新来生成所述温度信息信号。17.根据权利要求16所述的电子设备，其中，所述检测电路包括：比较电路，其被配置为通过将所述温度输出控制信号的输入时间与所述锁存信号的输入时间进行比较来生成检测信号，并且被配置为生成与所述温度输出控制信号的下降沿同步被使能的内部脉冲信号；以及信号合成电路，其被配置为通过将所述检测信号和所述内部脉冲信号进行合成来生成所述码选通信号。18.根据权利要求17所述的电子设备，其中，所述比较电路包括：设定信号生成电路，其被配置为生成与所述锁存信号的下降沿同步地被使能并且与所述温度输出控制信号的上升沿同步地被禁止的设定信号；缓冲电路，其被配置为通过去除包括在所述设定信号中的毛刺并且缓冲没有毛刺的设定信号来生成所述检测信号；以及脉冲生成电路，其被配置为生成所述内部脉冲信号，所述内部脉冲信号包括由通过将所述温度输出控制信号反相而获得的反相温度输出控制信号所生成的脉冲。19.根据权利要求16所述的电子设备，其中，所述更新控制电路包括：温度锁存信号生成电路，其被配置为通过基于所述码选通信号更新所述温度码或中断所述温度码的更新来生成温度锁存信号；以及温度信息信号生成电路，其被配置为基于所述锁存信号和所述温度锁存信号来生成所述温度信息信号。20.根据权利要求19所述的电子设备，其中，所述温度锁存信号生成电路包括：反相码选通信号生成电路，其被配置为生成通过将所述码选通信号反相而获得的反相码选通信号；第一输入电路，其被配置为通过基于所述码选通信号和所述反相码选通信号更新所述温度码来生成传输信号；以及第二输入电路，其被配置为基于所述码选通信号、所述反相码选通信号和所述传输信号来生成所述温度锁存信号。21.根据权利要求19所述的电子设备，其中，所述温度信息信号生成电路包括：反相锁存信号生成电路，其被配置为通过反相缓冲所述锁存信号来生成反相锁存信
号；以及输出电路，其被配置为基于所述锁存信号、所述反相锁存信号和所述温度锁存信号来生成所述温度信息信号。22.一种电子设备，其包括：温度控制电路，其被配置为将内部生成的温度输出控制信号的输入时间与内部锁存信号的输入时间进行比较，并且被配置为根据所述温度输出控制信号的输入时间与所述内部锁存信号的输入时间的比较结果来更新温度码，以生成温度信息信号；以及刷新控制电路，其被配置为基于所述温度信息信号来生成用于执行刷新操作的内部刷新信号。23.一种电子设备，其包括：温度控制电路，其被配置为将内部生成的温度输出控制信号的输入时间与内部锁存信号的输入时间进行比较，并且被配置为根据所述温度输出控制信号的输入时间与所述内部锁存信号的输入时间的比较结果来更新温度码，以生成温度信息信号；以及刷新控制电路，其被配置为基于所述温度信息信号来生成用于执行刷新操作的内部刷新信号，其中，如果所述温度信息信号中的信息包括指示在刷新操作期间具有比预定百分比更大的温度升高的温度信息，则刷新所述温度信息信号的周期长度减小，如果所述温度信息信号中的信息包括指示在刷新操作期间具有比预定百分比更小的温度降低的温度信息，则所述周期长度增大。

技术总结

本发明涉及一种包括控制器和半导体器件的电子设备。控制器输出具有第一设定组合或第二设定组合的命令信号和时钟信号，并接收温度信息信号。半导体器件将基于具有第一设定组合的命令信号生成的锁存信号的输入时间与内部生成的温度输出控制信号的输入时间进行比较。另外，半导体器件根据温度输出控制信号的输入时间与锁存信号的输入时间的比较结果来更新温度码，以生成温度信息信号。以生成温度信息信号。以生成温度信息信号。