毕业设计报告（论文）
作者所在系部： 电子工程系
作者所在专业： 电子工艺与管理
作者所在班级： 10252
作 者 姓 名 ： 鹿英建
作 者 学 号 ： ***********
指导教师姓名： 孙 燕
完 成 时 间 ： 2012年11月9日
摘 要
现代电子的高度先进性决定着现代科技的发展水平，而电子封装与互连技术作为现代电子系统能否成功的关键技术支撑之一，也自然而然的随着电子业的发展而越来越先进，日新月异。电子封装的基本技术，即当代电子封装常用的塑料、复合材料、粘结剂、下填料与涂敷料等封装材料，热管理，连接器，电子封装与组装用的无铅焊料和焊接技术。电子封装的互连技术，包含焊球阵列、芯片尺寸封装、倒装芯片粘结、多芯片模块、混合微电路等各类集成电路封装技术及刚性和挠性印制电路板技术，还有高速和微波系统封装。随着电子产品进入千家万户，甚至每人随身都会带上几个、几十个集成电路产品（如手表、手机、各类IC卡、u盘、MP3、手提计算机、智能玩具、电子钥匙等），这些都要求电子产品更小、更轻、更高密度的组装、更多的性能、更快的速度、更可靠，从而驱动了集成电路封装和电子组装技术的飞速发展，促使电子组装产业向高密度、表面组装、无铅化组装发展，驱使集成电路新颖封装的大量涌现。 关键词 集成电路 互连技术 电子封装
第1章 绪论
1.1 课题背景
21 世纪是信息时代, 信息产业是推动人类社会持续进步的重要力量.现代信息产业涵盖众多制造领域, 其中芯片制造!电子封装及产品测试等均是必不可少的生产过程.电子封装是一个多学科交叉的高新技术产业, 涉及机械!电子!材料!物理!化学!光学!力学!热学!电磁学!通讯!计算机!控制等学科,成为信息产业发展的关键领域之一信息产品对微型化!低成本!高性能!高可靠性的需求促进了电子封装朝着高密度封装的方向发展.因此, 新型元器件及功能材料的研发是金字塔结构的电子封装产业最具活力和最具含金量的关键.芯片制造产业数十年来不断超越摩尔定律,玄武岩纤维布生产出集成度越来越高的芯片,加速了晶圆级!芯片级等高密度封装技术的出现. 国内封装产业随半导体市场规模快速增长，与此同时，IC设计、芯片制造和封装测试三业的格局也正不断优化，形成了三业并举、协调发展的格局。作为半导体产业的重要部分，
封装产业及技术在近年来稳定而高速地发展，特别是随着国内本土封装企业的快速成长和国外半导体公司向国内转移封装测试业务，其重要性有增无减，仍是IC封胶机产业强项。封装环节技术竞争是以市场规模化为主的， 目前，国内整个IC产业还属于幼嫩时期，产业规模小，竞争力弱，抵御市场波动能力差，政产学研用相结合的原创新体系尚未建立，多渠道的投融资环境尚未形成，封测产业也毫不例外，与国际先进水平相比仍有近10年差距。在整体产业化技术水平上，国内封测业仍以DIP (双列直插封装)、SOP (小外形封装)、QFP (四边引脚扁平封装)等传统的中低端封装形式为主，近年来企业销售量大幅增长，有多家企业封装能力达数十亿块，但销售额却停滞不前，效益大幅下滑，技术水平参差不齐，趋于同质化竞争，主要体现在市场、技术、成本、资金、人才等方面。产业链不够完善，难以满足国内设计和芯片制造发展的要求，需要持续稳步扩大产业规模，加强技术创新，加快产品结构调整，加速人才培育，加大对外合作交流。
ITRS (国际半导体技术路线图组织)针对半导体产业发展的挑战，提出“新摩尔定律”概念的基本内涵是功能翻番，为Ic芯片和封装带来了层出不穷的创新空间。随着封装技术的不断发展， MCP、SiP、SoP、PoP、SCSP、SDP、WLP等封装结构成为主流，并为趋于z医疗废物焚烧方向封装发展的3D (三维)集成封装、TVS (硅通孔)新型盘扣式脚手架集成等技术研发奠定了坚实的基础，可解
决 艺=片技术发展的一些瓶颈问题，有可能引发半导体技术发展方式的根本性改变。新型封装材料与技术推动封装发展，其重点直接放在削减生产供应链的成本方面，创新性封装设计和制作技术的研发倍受关注，WLP设计与TSV技术以及多芯片和芯片堆叠领域的新技术、关键技术产业化开发呈井喷式增长态势，推动高密度封测产业以前所未有的速度向着更长远的目标发展。
1.1 发展趋势
据预测，未来5医用手腕带年IC产业结构将进一步得到优化，芯片的设计、制造、封测形成较为均衡的产业结构，其比重将依次分别为28％、35％、37％。封测业进入国际主流领域，实现SiP、倒装芯片FC、BGA、CSP、MCP等新型封装形式的规模生产能力。重点发展BGA、PGA、CSP、MCP、SiP先进封测技术，推动多叠层多芯片SiP、300mm／新型WLP、高性’~‘‘,CPU封装、MIS、高密度TSV、汽车电子／MEMS封装、BGA／CSP、高功率高导热低成本封测工艺技术的开发。加强封测业的技术创新，重点支持SiP关键技术，推进超薄芯片封装、超细节距封装等封测工艺和设计技术开发，扶持TSV、铜互连、3D．SiP、传感器封装、IGBT封装及产业化。一些新型封装材料和技术为创新型封装设计铺路领航，不断
改进产品性能。例如，引线框架／功率IC封装使用的晶圆背部涂层技术、液态和粉末状压膜材料与压膜技术、热压倒装芯片(极细节距倒装芯片、Su凸柱~1]Au凸点倒装芯片的互联)，可改进焊接互连可靠性的环氧助焊技术、金属化、芯片减薄及清洗、散热及电路性能、嵌入式工艺、凸点技术等。在封装划片工艺及优化方面，用于低K薄晶圆划片的多束全切割激光技术可获得很窄的划片切形、极小的热效应区、很高的芯片强度值(典型值800MPa～1 000MPa)，同时还能保证很高的生产效率，将使其在划片工艺中得到广泛应用。
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