1、BGA(ball grid array)
球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配L SI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LS I 用的一种封装。封装本体也可做得比QF P(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm见方；而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP为40mm见方。而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。该封装是美国Motor ola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有 可能在个人计算机中普及。最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。现在也有一些LSI厂家正在开发500 引脚的BGA。 BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。美国Moto rola公司把用模压树脂密封的封装称为O MPAC，而把灌封方法密封的封装称为
GPAC(见OMPAC和GPAC)。
2、BQFP(quad flat packag e with bumper)
带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以防止在运送过
程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和A SIC 等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196 左右(见QFP)。
3、碰焊PGA(butt jointpin grid array)表面贴装型P GA 的别称(见表面贴装型PGA)。
4、C－(cerami c)
分合闸电磁铁表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。 5、Cerdip
用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECLRAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的C erdip用于紫外线擦除型EPR OM 以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G 即玻璃密封的意思)。
6、Cerqua d
表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DS P 等的逻辑LS I 电路。带有窗口的Cerq uad 用于封装EP ROM 电路。散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1. 5～ 2W 的功率。但封装成本比塑料QFP高3～5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多种规格。引脚数从32到368。
7、CLCC(cerami c leaded chip carrie r)
带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型E PROM以及带有EP ROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJ－G(见QFJ)。
8、COB(chip on board)
板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如T AB 和倒片焊技术。
9、DFP(dual flat packag e)
双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法，现在已基本上不用。
10、DIC(dual in-line cerami c packag e)
陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).
11、DIL(dual in-line)
DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。
12、DIP(dual in-line packag e)
双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。 DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑I C，存贮器LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6到64。
封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skin ny DIP 和slimDIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为cer dip(见cerdi p)。
13、DSO(dual smallout-lint)
双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。
14、DICP(dual tape carrie r packag e)
双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LS I，但多数为定制品。另外，0.5m
m 厚的存储器L SI 簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定，将DICP命名为DTP。
15、DIP(dual tape carrie r packag e)
同上。日本电子机械工业会标准对DTCP的命名(见DTCP)。
16、FP(flat packag e)
扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或SOP(见QFP 和SOP)的别称。部分半导体厂家采用此名称。17、flip-chip
倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固L SI 芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
18、FQFP(fine pitchquad flat packag e)
小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm 的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采用此名称。
19、CPAC(globetop pad arraycarrie r)
美国Moto rola公司对BGA的别称(见BGA)。
20、CQFP(quad fiat packag e with guardring)
i52带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变形。在把LSI组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。这种封装在美国Mot orola公司已批量生产。引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208 左右。
21、H-(with heat sink)
表示带散热器的标记。例如，HSOP 表示带散热器的SOP。
22、pin grid array(surfac e mounttype)
表面贴装型P GA。通常PGA为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型P GA 在封装的底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm 到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而也称为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PG A 小一半，所以封装本体可制作得不怎么大，而引脚数比插装型多(250～528)，是大规模逻辑LSI 用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
23、JLCC(J-leaded chip carrie r)
J 形引脚芯片载体。指带窗口CL CC 和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。
24、LCC(Leadle ss chip carrie r)
无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频IC用封装，也称为陶瓷Q FN 或QFN－C(见QFN)。
矩阵键盘程序25、LGA(land grid array)
触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227 触点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，应用于高速逻辑 LSI 电路。 LGA 与QFP 相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗小，对于高速LS I 是很适用的。
但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。
26、LOC(lead on chip)
芯片上引线封装。LSI 封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。
27、LQFP(low profil e quad flat packag e)
薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm 的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP 外形规格所用的名称。
28、L－QUAD
陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8 倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑LS I 开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208 引脚(0.5mm 中心距)和160 引脚 (0.65mm 中心距)的LSI 逻辑用封装，并于1993年10 月开始投入批量生产。
29、MCM(multi-chip module)
多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大类。 MCM－L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线
密度不怎么高，成本较低。 MCM－C 是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。
MCM－D 是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组件。布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。
30、MFP(mini flat packag e)
小形扁平封装。塑料SOP或SSOP的别称(见SOP 和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。
31、MQFP(metric quad flat packag e)
按照JEDE C(美国联合电子设备委员会)标准对QFP进行的一种分类。指引脚中心距为 0.65mm、本体厚度为3.8mm～2.0mm 的标准QFP(见QFP)。
32、MQUAD(metalquad)
美国Olin公司开发的一种QFP封装。基板与封盖均采用铝材，用粘合剂密封。在自然空冷条件下可容许2.5W～2.8W 的功率。日本新光电气工业公司于1993年获得特许开始生产。
33、MSP(mini square packag e)
QFI 的别称(见QFI)，在开发初期多称为MSP。QFI 是日本电子机械工业会规定的名称。
34、OPMAC(over molded pad arraycarrie r)
模压树脂密封凸点陈列载体。美国Moto rola公司对模压树脂密封BG A 采用的名称(见 BGA)。
384孔板35、P－(plasti c)
表示塑料封装的记号。如PDIP表示塑料DI P。
36、PAC(pad arraycarrie r)
凸点陈列载体，BGA 的别称(见BGA)。
37、PCLP(printe d circui t boardleadle ss packag e)台卡制作
印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料Q FN(塑料LCC)采用的名称(见QFN)。引
脚中心距有0.55mm 和0.4mm 两种规格。目前正处于开发阶段。
38、PFPF(plasti c flat packag e)
塑料扁平封装。塑料QFP的别称(见QFP)。部分LSI厂家采用的名称。
39、PGA(pin grid array)
陈列引脚封装。插装型封装之一，其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都采用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下，多数为陶瓷P GA，用于高速大规模逻辑 LSI 电路。成本较高。引脚中
心距通常为2.54mm，引脚数从64到447 左右。了为降低成本，封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64～256 引脚的塑料P G A。另外，还有一种引脚中心距为1.27mm 的短引脚表面贴装型PG A(碰焊PGA)。(见表面贴装型PGA)。
40、piggyback
驮载封装。指配有插座的陶瓷封装，形关与DIP、QFP、QFN 相似。在开发带有微机的设备时用于评价程序确认操作。例如，将EPROM插入插座进行调试。这种封装基本上都是定制品，市场上不怎么流通。41、PLCC(plasti c leaded chip carrie r)
带引线的塑料芯片载体。表面贴装型封装之一。引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形，是塑料制品。美国德克萨斯仪器公司首先在64k位DRAM和256kD RAM 中采用，现在已经普及用于逻辑L SI、
DLD(或程逻辑器件)等电路。引脚中心距1.27mm，引脚数从18到84。 J 形引脚不易变形，比QFP 容易操作，但焊接后的外观检查较为困难。 PLCC 与LCC(也称QFN)相似。以前，两者的区别仅在于前者用塑料，后者用陶瓷。但现在已经出现用陶瓷制作的J 形引脚封装和用塑料制作的无引脚封装(标记为塑料L CC、PC LP、P －LCC 等)，已经无法分辨。为此，日本电子机械工业会于1988 年决定，把从四侧引出 J 形引脚的封装称为QFJ，把在四侧带有电极凸点的封装称为Q FN(见QFJ 和QFN)。
42、P－LCC(plasti c teadle ss chip carrie r)(plasti c leaded chip currie r)
有时候是塑料QFJ 的别称，有时候是QF N(塑料LCC)的别称(见QFJ 和QFN)。部分
LSI 厂家用PLC C 表示带引线封装，用P－LCC 表示无引线封装，以示区别。
43、QFH(quad flat high packag e)
四侧引脚厚体扁平封装。塑料QFP的一种，为了防止封装本体断裂，QFP 本体制作得较厚(见QFP)。部分半导体厂家采用的名称。
44、QFI(quad flat I-leaded packga c)
四侧I 形引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引出，向下呈I 字。也称为MSP(
见MSP)。贴装与印刷基板进行碰焊连接。由于引脚无突出部分，贴装占有面积小于QFP。日立制作所为视频模拟I C 开发并使用了这种封装。此外，日本的Mot orola公司的PLL IC 也采用了此种封装。引脚中心距1.27mm，引脚数从18于68。
45、QFJ(quad flat J-leaded packag e)
四侧J 形引脚扁平封装。表面贴装封装之一。引脚从封装四个侧面引出，向下呈J 字形。是日本电子机械工业会规定的名称。引脚中心距1.27mm。
材料有塑料和陶瓷两种。塑料QFJ多数情况称为PLCC(见PLCC)，用于微机、门陈列、 DRAM、ASSP、OTP 等电路。引脚数从18至84。
陶瓷QFJ也称为CLC C、JLCC(见CLCC)。带窗口的封装用于紫外线擦除型EP ROM 以及带有EPRO M 的微机芯片电路。引脚数从32至84。
46、QFN(quad flat non-leaded packag e)
四侧无引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。现在多称为L CC。QFN 是日本电子机械工业会规定的名称。封装四侧配置有电极触点，由于无引脚，贴装占有面积比QFP小，高度比QFP 低。但是，当印刷基板与封装之间产生应力时，在电极接触处就不能得到缓解。因此电极触点难于作到QF P 的引脚
那样多，一般从14到100 左右。材料有陶瓷和塑料两种。当有LCC标记时基本上都是陶瓷Q FN。电极触点中心距1.27mm。
塑料QFN是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装。电极触点中心距除 1.27mm 外，还有0.65mm 和0.5mm 两种。这种封装也称为塑料LC C、PCLC、P－LCC 等。
47、QFP(quad flat packag e)
四侧引脚扁平封装。表面贴装型封装之一，引脚从四个侧面引出呈海鸥翼(L)型。基材有陶瓷、金属和塑料三种。从数量上看，塑料封装占绝大部分。当没有特别表示出材料时，多数情况为塑料QF P。塑料QFP是最普及的多引脚LSI封装。不仅用于微处理器，门陈列等数字逻辑LSI电路，而且也用于V TR 信号处理、
音响信号处理等模拟LS I 电路。引脚中心距有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多种规格。0.65mm 中心距规格中最多引脚数为304。
日本将引脚中心距小于0.65mm 的QFP 称为QFP(FP)。但现在日本电子机械工业会对QFP的外形规格进行了重新评价。在引脚中心距上不加区别，而是根据封装本体厚度分为 QFP(2.0mm～3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三种。平行流冷凝器
另外，有的LSI厂家把引脚中心距为0.5mm 的QFP 专门称为收缩型QFP或SQFP、VQFP。但有的厂家把引脚中心距为0.65mm 及0.4mm 的QFP 也称为SQF P，至使名称稍有一些混乱。 QFP 的缺点是，当引脚中心距小于0.65mm 时，引脚容易弯曲。为了防止引脚变形，现已出现了几种改进的QFP品种。如封装的四个角带有树指缓冲垫的B QFP(见BQFP)；带树脂保护环覆盖引脚前端的GQF P(见GQFP)；在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的专用夹具里就可进行测试的TP QFP(见TPQFP)。在逻辑LSI方面，不少开发品和高可靠品都封装在多层陶瓷QFP里。引脚中心距最小为 0.4mm、引脚数最多为348 的产品也已问世。此外，也有用玻璃密封的陶瓷Q FP(见Gerqa d)。
48、QFP(FP)(QFP fine pitch)
小中心距QF P。日本电子机械工业会标准所规定的名称。指引脚中心距为0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小于0.65mm 的QFP(见QFP)。
49、QIC(quad in-line cerami c packag e)
陶瓷QFP的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP、Cerqua d)。
50、QIP(quad in-line plasti c packag e)
塑料QFP的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP)。
51、QTCP(quad tape carrie r packag e)
四侧引脚带载封装。TCP 封装之一，在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。是利用 TAB 技术的薄型封装(见TAB、TCP)。
52、QTP(quad tape carrie r packag e)
四侧引脚带载封装。日本电子机械工业会于1993 年4 月对QTCP所制定的外形规格所用的名称(见TCP)。
53、QUIL(quad in-line)
QUIP 的别称(见QUIP)。
54、QUIP(quad in-line packag e)
四列引脚直插式封装。引脚从封装两个侧面引出，每隔一根交错向下弯曲成四列。引脚中心距1.27mm，当插入印刷基板时，插入中心距就变成2.5mm。因此可用于标准印刷线路板。是比标准DIP更小的一种封装。日本电气公司在台式计算机和家电产品等的微机芯片中采用了些种封装。材料有陶瓷和塑料两种。引脚数64。
55、SDIP (shrink dual in-line packag e)
收缩型DIP。插装型封装之一，形状与DIP相同，但引脚中心距(1.778mm)小于DIP(2.54 mm)，
因而得此称呼。引脚数从14到90。也有称为SH－DIP 的。材料有陶瓷和塑料两种。
56、SH－DIP(shrink dual in-line packag e)
同SDIP。部分半导体厂家采用的名称。
57、SIL(single in-line)
SIP 的别称(见SIP)。欧洲半导体厂家多采用S IL 这个名称。
58、SIMM(single in-line memory module)
单列存贮器组件。只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件。通常指插入插座的组件。标准SIMM有中心距为2.54mm 的30 电极和中心距为1.27mm 的72 电极两种规格。在印刷基板的单面或双面装有用SO J 封装的1 兆位及4 兆位DRAM的SIMM已经在个人计算机、工作站等设备中获得广泛应用。至少有30～40％的DRAM都装配在SI MM 里。
59、SIP(single in-line packag e)
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