MIS分裂栅GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法[发明专利]

专利名称:MIS分裂栅GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法
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专利类型:发明专利
发明人:汪洋,苏雪冰,杨帅康,杨红姣,邓志勤
申请号:CN202110695398.5
感应门制作申请日:20210623
公开号:CN113410297B消防电动开窗机
公开日:
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20220517
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明公开了一种MIS分裂栅GaN基高电子迁移率晶体管,包括从下而上依次层叠的硅衬底、AIN成核层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层,AlGaN势垒层中设有凹槽,凹槽的槽底和槽壁上设有栅介质层,栅介质层底部对称设有两个栅极,靠近漏极的栅设有栅场板,两个栅极之间设有阻挡层,AlGaN势垒层上表面两侧分别设有源极和漏极,源极上设有源场板,源极和漏极之间设有钝化层。本发明的第二AlGaN势垒层和AlGaN缓冲层具有相同的铝组分,完全耗尽第一AlGaN势垒层与第二AlGaN势垒层之间的极化电荷,且凹槽栅底部正处于第二AlGaN势垒层之中,进而降低因刻蚀因素对器件阈值电压稳定性的影响。
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申请人:湘潭大学
地址:411105 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘卢家滩27号
鸟笼灯国籍:CN

本文发布于:2024-09-23 23:33:38,感谢您对本站的认可!

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标签:设有   势垒   源极   漏极
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