的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应。实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下，器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平；在2Mrad（SiO2）的辐照下仍能正常工作。研究证实了无论哪种栅结构，对于背栅，PG均为最劣偏置，其次是OFF偏置，而ON偏置下器件受辐照的影响最小；而对于正栅，ON 均为最劣偏置。通过拟合计算出了绝缘埋层（BOX，即埋氧）中的饱和净正电荷密度N o t和空穴俘获分数α。图5表3参7 TN386.1，TM914.42007040913 C dTe/C dS太阳电池I-V，C-V特性研究/杨学文，郑家贵，张静全，冯良桓，蔡伟，蔡亚平，李卫，黎兵，雷智，武莉莉(四川大学材料科学系)//物理学报.―2006，55（5）.―2504～2507. 测量了CdTe太阳电池器件从50kHz至1MHz频率范围的电容-电压特性，计算了吸收层的载流子浓度和空间电荷区的位置，电容-电压特性测试结果出现两个峰，峰特征与测试频率有关，用多结模型进行模拟分析，解释了实验结果。测量了电池从220K至300K的变温暗电流-电压特性，得出电池的反向暗饱和电流密度J0和二级管理想因子A，分析了J0，A随测量温度的变化，并讨论了电池器件的电流特性。图7表0参10
TN386.1，TN305.22007040914表面预处理对H f O2栅介质M O S器件漏电特性的影响/许胜国，徐静平，李艳萍，陈卫兵，季峰(华中科技大学电子科学与技术系)//微电子学.―2006，36（4）.―441～445.
采用反应磁控溅射方法，在Si衬底上制备了不同表面预处理和不同后退火处理的HfO2栅介质MOS电容。测量了器件的C-V和I-V特性，并进行了高场应力实验。器件的界面特性和栅极漏电机理分析表明，界面态和氧化物陷阱是引起大的栅极漏电流的主要因素。采用新颖的O2＋CHCl3（TCE）表面预处理工艺，可以显著降低界面态和氧化物陷阱密度，从而大大减小栅极漏电流和SILC效应。图6表3参18机器码注册码
TN386.1，TU5282007040915超深亚微米PM O SFET的自愈合效应/李晶，刘红侠，郝跃(西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室)//物理学报.―2006，55（5）.―2508～2512.
主要研究负栅压偏置不稳定性（negati ve bias t emperat ure instability，NBTI）效应中的自愈合效应，研究了器件阈值电压随着恢复时间和应力时间的恢复规律。研究表明器件的退化可以恢复是由于NBTI应力后界面态被氢钝化。图8表0参8
TN386.52007040916可见光对G aN基紫外焦平面读出电路的影响/贾寒昕，徐运华，亢勇，李向阳(中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室)//半导体光电.―2006，27（4）.―402～405.GaN材料对可见光是透明的，而Si材料可以吸收可见光。在面阵GaN基紫外焦平面中，GaN探测器与Si读出电路通过铟柱倒焊互连，可见光可穿过GaN材料而被Si材料吸收。研究了可见光对于GaN
基紫外焦平面读出电路影响的机制，并提出了通过在电路中覆盖铝层的方法减小可见光的影响，最后用实验证实了该方法对于抑制可见光干扰的影响的有效性。图8表0参5
TN386.52007040917平列式线阵彩C C D摄像机的彩偏移与校正/陈文涛，刘永贵，曹晓莉(重庆工商大学计算机科学与信息工程学院)//半导体光电.―2006，27（4）.―478～480.
分析了平列式彩线阵CCD摄像机彩偏移现象产生的原因。计算了摄像机在实际在线检测情形下的彩偏移量。提出了彩偏移的校正方法，并对彩偏移的实际样本图像进行了校正。图3表0参7
TN386.52007040918 C C D相机的锁相设计/乔建社，周旭东(重庆光电技术研究所)//半导体光电.―2006，27（4）.―475～477. 介绍了锁相环的基本原理和工作过程，利用CXD2463R的外同步功能，运用分解设计的思想设计CCD相机的锁相环，给出CCD相机的锁相环原理图。叙述了有源低通滤波和压控晶体振荡器工作原理，提出了降低CCD相机锁相环噪声的一些措施。图5表0参0
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TN386.52007040919 C C D减薄技术研究/钟四成，邓艳红，陈于伟，汪凌(重庆光电技术研究所)//半导体光电.―2006，27（3）.―297～299.
废橡胶炼油正面照射的CCD在蓝光、紫外光区和在微光条件下的响应率低，从而作为主探测器在天文观测和空间
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导航等领域中的应用受到限制。通过减薄CCD采用背面照射，能大幅度提高其量子效率。研究了一种新的化学／机械减薄技术，采用这种技术可使减薄后CCD器件厚度小于20μm，其量子效率由正面入射时的40％左右提高到背面入射时的80％左右。图2表0参5
TN3932007040920基于虚拟骨干网的M A N ETs地址分配方法/郑敏，勾学荣，李新，丁炜(北京邮电大学宽带通信网络实验室)//北京邮电大学学报.―2006，29（4）.―111～114.
针对无线自组网（MANETs）的地址自动配置问题，在分析虚拟骨干网技术以及预分配（PA）算法的基础上，提出了基于虚拟骨干网的IPv6地址自动配置方法。在骨干节点范围内执行P A算法选择子网标识（ID）；叶子节点根据ID完成自身配置，整个配置过程开销小、时延小，地址结构分层，非常适合基于虚拟骨干网的MANETs。最后采用NS-2仿真验证了算法的性能。图6表0参5
8、微电子学、集成电路
卷烟器TN42007040921 65nm芯片设计和制造中的几个问题/翁寿松(无锡市罗特电子有限公司)//微纳电子技术.―2006，43（7）.―319～322.
65nm芯片的设计需要采用可制造性设计（DFM）、多种分析方法和团队通力合作的精神；65nm芯片制造工艺需采用193nm浸入式光刻技术、等效离子掺杂技术、原子层沉积技术、低应力CMP工艺及无损伤清洗技术；65nm芯片制造设备需要全自动化和布局微型化等。图0表0参8
TN42007040922 R F M EM S开关在牺牲层工艺上的改进/蔡描，郭兴龙，刘蕾，陈瑾瑾，赖宗声(华东师范大学微电子电路与系统研究所)//传感器与微系统.―2006，25（7）.―40～42.
通过对传统的RF MEMS开关采取在信号线上电镀桥墩、改进桥梁的形状以及在桥背面设计接触点的新颖方法，使得RF MEMS开关的下拉电压减小、开关时间缩短和可靠性提高。在工艺上，特别采用了对聚酰亚胺牺牲层进行全刻蚀和半刻蚀的改进加工流程来实现桥背面的接触点。测试结果表明：开关的下拉电压为28V，最低开关时间为0．8μs，开关寿命达7×105次，0～10GHz的插入损耗在0～0．5dB，隔离度为35～45dB。图4表0参8
TN42007040923高分辨率双快门模式C M O S图像传感器控制电路的设计与仿真/张弛，于世洁，尤政(清华大学精密仪器与机械学系)//通信学报.―2006，27（8）.―155～159.
主要介绍了一种可用于空间信息获取的高分辨率双快门模式CMOS图像传感器，分析比较了该CMOS图像传感器卷帘式和同步式两种快门模式的工作原理和特点，设计了两种快门模式的时序控制电路并进行了仿真和验证，结果表明了控制电路设计的正确性，并可适用于空间微纳型卫星的成像系统。图11表0参8
TN42007040924 I C设计流程自动化环境的研究/袁博浒(武汉邮电科学研究院)//光通信研究.―2006，（4）.―40～43.
随着半导体工艺技术的快速发展、集成电路（IC）规模越来越大、复杂
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