发光元件以及显示装置的制作方法

1.本发明涉及发光元件以及显示装置。

背景技术：

2.近年来，开发了各种平板显示器，特别是具备qled (quantum dot light emitting diode：量子点发光二极管)或oled (organic dot light emitting diode：有机发光二极管)作为电致发光元件的显示装置受到关注。
3.专利文献1涉及使用了含有量子点的发光层的垂直共振型的表面发射激光器。现有技术文献专利文献
4.专利文献1：日本国公开专利公报“2006-229194号公报(2006年8 月31日公开)”

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题
5.1个量子点的发光线宽非常窄。另一方面，多个量子点的发光线宽度由于粒度以及组成比等的分散而变得比1个量子点的发光线宽更宽。包含量子点的发光元件通常包含多个量子点。
6.因此，在包含量子点的现有的发光元件中存在发光线宽较宽的问题。
7.为了解决该问题，专利文献1使用激光的原理，即感应发射和谐振。
8.本发明是鉴于上述问题点而完成的，其目的在于，使用其它方法使包含量子点的发光元件的发光线宽窄带化。用于解决技术问题的技术方案
9.为了解决上述问题，本发明的一方式涉及的发光元件构成为包括：反射电极；透明电极；发光层，设于所述反射电极和所述透明电极之间，且包含量子点；以及选择性反射层，其相对于所述透明电极设置在所述发光层的相反侧，并具有反射率比其他波段高的反射波段，所述选择性反射层的反射波段的长波长端的波长是：在所述量子点的电场发光的发光光谱比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长短的波长侧，相比所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处的波长为长波长；且在所述量子点的电场发光的发光光谱比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长长的波长侧，相比所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处的波长为短波长。
10.为了解决上述问题，本发明的一方式涉及的发光元件构成为包括：第一透明电极；第二透明电极；发光层，设置于所述第一透明电极与所述第二透明电极之间，并包含量子点；第一选择性反射层，具有相对于所述第一透明电极设置在所述发光层的相反侧且反射率比其他波段高的反射波段；以及第二选择性反射层，相对于所述第二透明电极设置在所述发光层的相反侧且具有反射率比其他波段高的反射波段，所述第一选择性反射层的反射波段的长波长端的波长是：在所述量子点的电场发光的发光光谱比所述量子点的电场发光
的发光光谱的峰值波长短的波长侧，相比所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处的波长为长波长；且在所述量子点的电场发光的发光光谱比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长长的波长侧，相比所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处的波长为短波长；所述第二选择性反射层的反射波段的长波长端的波长是：在所述量子点的电场发光的发光光谱比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长短的波长侧，相比所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处的波长为长波长；且在所述量子点的电场发光的发光光谱比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长长的波长侧，相比所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处的波长为短波长。有益效果
11.根据本发明的一方式所涉及的发光元件，能够使含有量子点的发光层的发光线宽窄带化。
附图说明
12.图1是示出显示装置的制造方法的一个例子的流程图。图2是示出显示装置的显示区域的构成的剖视图。图3是表示本发明的实施方式1的显示装置中的发光元件层的概略构成的剖视图。图4是表示图3所示的蓝像素中在发光元件层的反射和透射的概略剖视图。图5是示出上侧表示基于比较例的发光元件层的电场发光的发光光谱的曲线图，下侧表示基于来自图4所示的发光元件层的一例的电场发光的发光光谱的曲线图。图6是示出上侧表示比较例的发光元件层的基于电场发光的发光光谱的曲线图，下侧表示基于来自图4所示的发光元件层5的另一个例子的基于电场发光的发光光谱的曲线图。图7是表示图3所示的选择性反射层为电介质多层膜时的一例的概略构成的剖视图。图8是示出本发明的实施方式1的一变形例所涉及的发光元件层的概略构成的一个例子的剖视图。图9是示出本发明的实施方式1的另一变形例所涉及的发光元件层的概略构成的一个例子的剖视图。图10是表示本发明的实施方式2的显示装置中的发光元件层的概略构成的剖视图。图11是示出本发明的实施方式2的一变形例所涉及的发光元件层的概略构成的一个例子的剖视图。图12是示出显示装置的显示区域的构成的另一例的剖视图。图13是表示本发明的实施方式3的显示装置中的发光元件层的概略构成的剖视图。图14是表示图13所示的蓝像素中在发光元件层的反射和透射的概略剖视图。图15是表示本发明的实施方式4的显示装置中的发光元件层的概略构成的剖视图。
具体实施方式
13.[实施方式1]以下，参照附图详细地说明本发明的一实施方式。但是，附图所示的形状、尺寸以及相对配置等不过是示例，本发明的范围不应理解为限定于此。
[0014]
本发明实施方式1的显示装置2为单面发光型。
[0015]
(显示装置的制造方法及构成)在下文中，“同层”指的是在同一工序(成膜工序)中由同一材料形成的，“下层”指的是在比比较对象层更前面的工序中形成的层，“上层”指的是在比比较对象层更后面的工序中形成的。
[0016]
图1是表示显示装置的制造方法的一个例子的流程图。图2 是示出显示装置2的显示区域的构成的一例的概略剖视图。
[0017]
当制造柔性显示装置时，如图1以及图2所示，首先，在透光性的支承基板(例如，母玻璃)上形成树脂层12(步骤s1)。接着，形成阻挡层3(步骤s2)。接着，形成薄膜晶体管层4(tft层)(步骤 s3)。接着，形成顶发射型的发光元件层5(步骤s4)。接着，形成密封层6(步骤s5)。接着，在密封层6上贴附上表面膜(步骤s6)。
[0018]
接着，利用激光的照射等将支承基板从树脂层12剥离(步骤 s7)。接着，在密封层12的下表面粘贴下表面膜10(步骤s8)。接着，将包含下表面膜10、树脂层12、阻挡层3、薄膜晶体管层4、发光元件层5、密封膜6的层叠体切割以获得多个单片(步骤s9)。接着，在获得的单片上贴附功能膜39(步骤s10)。接着，将电子电路基板 (例如，ic芯片和fpc)安装在形成有多个子像素的显示区域的外侧(非显示区域、边框区域)的一部分(端子部)上(步骤s11)。另外，步骤s1～s11由显示装置制造装置(包括执行步骤s1至s5的每个工序的成膜装置)执行。
[0019]
作为树脂层12的材料，例如可举出聚酰亚胺等。可以用两层树脂膜(例如，聚酰亚胺膜)和夹在其间的无机绝缘膜代替树脂层12的部分。
[0020]
阻挡层3是防止水、氧气等异物侵入薄膜晶体管层4和发光元件层5的层，例如可以由通过cvd(chemical vapor deposition，化学气相沉积)法形成的氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、或这些层的层叠膜构成。
[0021]
薄膜晶体管层4包括半导体膜15、比半导体膜15更上层的无机绝缘膜16(栅极绝缘膜)、比无机绝缘膜16更上层的栅极ge和栅极布线gh、比栅极ge和栅极布线gh更上层的无机绝缘膜18(层间绝缘膜)、比无机绝缘膜18更上层的电容电极ce、比电容电极 ce更上层的无机绝缘膜20(层间绝缘膜)、比无机绝缘膜20更上层的源极布线sh、以及比源极布线sh更上层的平坦化膜21(层间绝缘膜)。
[0022]
半导体膜15由例如低温多晶硅(ltps)或氧化物半导体(例如in-ga-zn-o系半导体)构成。在图2中，晶体管被表示为顶栅结构，但也可以是底栅结构。
[0023]
栅电极ge、栅极布线gh、电容电极ce和源极布线sh由例如包含铝、钨、钼、钽、铬、铬、钛和铜中的至少一种的金属的单层膜或层叠膜构成。
[0024]
无机绝缘膜16、18、20可以由例如通过cvd法形成的，氧化硅(sio
x
)膜、氮化硅(sin
x
)膜、氮氧化硅膜(sino)或它们的层叠膜构成。平坦化膜21能够由例如聚酰亚胺、丙烯酸等能够涂布的有机材料构成。
[0025]
发光元件层5包括比平坦化膜21更上层的阴极25(阴极，所谓的像素电极)、覆盖阴极25的边缘的绝缘性的边缘罩23、比边缘罩23更上层的el(电致发光)层即活性层24、比活性层24更上层的阳极22(阳极，所谓的共用电极)，还包括比阳极22更上层的选择性反射层40。边缘罩23例如通过在涂覆了聚酰亚胺、丙烯酸等有机材料后利用光刻进行图案化而形成。
[0026]
在每个子像素中，包含岛状的阴极25、活性层24以及阳极 22，qled即发光元件es(电致发光元件)形成于发光元件层5，用于控制发光元件es的子像素电路形成于薄膜晶体管层4。
[0027]
活性层24例如从下层侧起依次层叠电子注入层、电子传输层、包含量子点的发光层、空穴传输层、空穴注入层而构成。发光层与空穴传输层一起通过光刻法在边缘罩23的开口(每个子像素)形成岛状。其他层为岛状或整面(共用层)地形成。此外，也构成为不形成电子注入层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层中的一层以上。
[0028]
作为用于空穴注入层的材料，只要是能够使空穴向发光层内的注入稳定化的空穴注入性材料，则没有特别限定。作为空穴注入性材料，例如可列举出芳胺衍生物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、咔唑衍生物，以及聚苯胺衍生物、聚噻吩衍生物、聚亚苯基亚乙烯衍生物等导电性高分子等。另外，空穴注入层所用的材料优选为聚(3，4-乙撑二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(pedot-pss)。 pedot-pss提高通过在量子点发光层中电子与空穴复合而产生的发光的效率，因此起到改善电场发光元件的发光特性的效果。
[0029]
作为空穴传输层的构成材料，只要是能够使空穴向量子点发光层3内的传输稳定化的空穴传输性材料即可，并无特别限定。空穴传输性材料优选为空穴迁移率高的材料。而且，空穴传输性材料优选为能够防止从阴极移动过来的电子穿透的材料(电子阻挡性材料)。由此，能够提高发光层内的空穴和电子的复合效率。
[0030]
作为用于空穴传输层的材料，能够列举芳胺衍生物、蒽衍生物、咔唑衍生物、噻吩衍生物、芴衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、螺环化合物等。另外，空穴传输层所用的材料优选聚乙烯咔唑(pvk)或聚[(9，9-二辛基芴基-2，7-二基)-co-(4，4'-(n-(4-仲丁基苯基))二苯胺))](tfb)。pvk以及tfb提高通过在量子点发光层中电子与空穴复合而产生的发光的效率，因此起到改善电场发光元件的发光特性的效果。
[0031]
空穴传输层以及空穴注入层的形成方法例如可以采用蒸镀法、印刷法、喷墨法、旋涂法、流延法、浸渍法、棒涂法、刮刀涂布法、辊涂法、凹版涂布法、柔版印刷法、喷涂法、光刻法或者自组装法(交替吸附法、自组装单分子膜法)等，但不限定于此。其中，优选使用蒸镀法、旋涂法、喷墨法或光刻法。
[0032]
量子点也可以包含选自cd、s、te、se、zn、in、n、p、 as、sb、al、ga、pb、si、ge、mg以及它们的化合物中的至少一种。量子点也可以是二组分核型、三组分核型、四组分核型、核壳型或核多壳型。另外，量子点也可以包括掺杂的纳米粒子，或者也可以具备组成倾斜的结构。
[0033]
形成发光层的方法只要能够形成电致发光元件所要求的微细图案，则可以为任意方法。可以例举例如蒸镀法、印刷法、喷墨法、旋涂法、流延法、浸渍法、棒涂法、刮刀涂布法、辊涂法、凹版涂布法、柔版印刷法、喷涂法、光刻法或者自组装法(交替吸附法、自组装单分子膜法)等。其中，优选使用蒸镀法、旋涂法、喷墨法或光刻法。另外，发光层的厚度只要是能
够提供电子与空穴复合的场并表现出发光的功能的厚度即可，并无特别限定，例如可以为1nm～200nm左右。
[0034]
作为蒸镀法，可列举出例如真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等，作为真空蒸镀法的具体例，可列举出电阻加热蒸镀法、闪蒸蒸镀法、电弧蒸镀法、激光蒸镀法、高频加热蒸镀法、电子束蒸镀法等。
[0035]
在通过旋涂法、喷墨法等涂覆液的涂覆来形成发光层的情况下，作为涂覆液的溶剂，只要是能够溶解或分散发光层的构成材料，则没有特别限定，例如可列举甲苯、二甲苯、环己酮、环己醇、四氢化萘、均三甲苯、二氯甲烷、四氢呋喃、二氯乙烷、氯仿等。
[0036]
活性层24还可以在发光层与电子传输层之间具有中间层。
[0037]
阴极25是由例如ito(indiumtinoxide)与ag(银)或含ag的合金的层叠构成，或由含ag或al的材料构成从而具有光反射性的反射电极。阳极22是由ag、au、pt、ni、ir的薄膜、mgag合金的薄膜、ito、izo(indiumzincoxide)等透光性的导电材料构成的透明电极。在显示装置为底发射型而非顶发射型的情况下，下表面膜10和树脂层12具有透光性，阴极25为透明电极，阳极22为反射电极。
[0038]
选择性反射层40具有比其他频带反射率高的反射波段。详细内容后文叙述。
[0039]
在发光元件es中，空穴和电子通过阴极25和阳极22之间的驱动电流在发光层内复合，由此产生的激子从量子点的最低空轨道(lumo)或导带能级(conductionband)跃迁到最高被占轨道(homo)或价带能级(valenceband)的过程中放出光。
[0040]
密封层6具有透光性，且包含覆盖阳极22的无机密封膜26、由无机密封膜26更上层的有机缓冲膜27、比有机缓冲膜27更上层的无机密封膜28。覆盖发光元件层5的密封层6防止水、氧等异物向发光元件层5渗透。
[0041]
无机密封层26和无机密封层28均为无机绝缘膜，可以由例如通过cvd法形成的氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜、或这些层的层叠膜构成。有机缓冲膜27是具有平坦化效果的透光性有机膜，可以由例如丙烯酸等可涂布的有机材料构成。尽管有机缓冲膜27可以通过例如喷墨涂布形成，但也可以在非显示区域中设置用于阻止液滴的堤。
[0042]
下表面膜10是用于通过在剥离了支承基板后贴附于树脂层12的下表面来实现优异的柔软性的显示器件的例如pet膜。功能膜39例如具有光学补偿功能、触摸传感器功能、保护功能的至少一种。
[0043]
以上，对柔性显示装置进行了说明，但是，在制造非柔性显示装置的情况下，由于通常无需树脂层的形成、基材的更换等，例如进行s2～s5的层叠工序，其后进入步骤s9。另外，在制造非柔性的显示器件时，也可以代替形成密封层6或者在此基础上，通过密封粘接剂将具有透光性的密封构件在氮气气氛下粘接。具有透光性的密封构件能够由玻璃及塑料等制成，优选为凹形状。
[0044]
本发明的一实施方式特别涉及上述显示装置(displaydevice)的构成中的发光元件层5。
[0045]
(发光元件层的构成)图3是表示本发明实施方式1涉及的显示装置2中的发光元件层5的概略构成的剖视图。
[0046]
如图3所示，本发明的实施方式1所涉及的显示装置具备:红像素pr(发光元件)，
其包含红像素电极per；绿像素pg(发光元件)，其包含绿像素电极peg；以及蓝像素pb(发光元件)，其包含蓝像素电极peb。
[0047]
本发明的实施方式1所涉及的发光元件层5包含阴极25作为绿像素电极peg、蓝像素电极peb以及红像素电极per。阴极25是反射电极。
[0048]
发光元件层5包括覆盖阴极25的边缘的绝缘性的边缘罩23。边缘罩23是遮蔽红像素pr、绿像素pg和蓝像素pb的光的遮光体。
[0049]
发光元件层5包括作为比边缘罩23更上层的el(电致发光) 层的活性层24。
[0050]
活性层24包括电子传输层33。电子传输层33以覆盖阴极25 的方式形成。电子传输层33既可以是单层结构，也可以是多层结构。电子传输层33既可以在红像素pr、绿像素pg和蓝像素 pb各自单独形成，也可以共通地形成。在单独形成的情况下，设置于红像素pr的电子传输层33、设置于绿像素pg的电子传输层33以及设置于蓝像素pb的电子传输层33的膜厚和/或组成可以不同。活性层24也可以包含在电子传输层33与阴极25之间形成的电子注入层。
[0051]
活性层24包括在红像素pr呈岛状形成的红发光层35r。红发光层35r包括多个发红光的红量子点。基于红量子点的电致发光的发光光谱的峰值波长为600nm以上且780nm以下。另外，为了改善显示装置的颜再现区域，红像素pr的发光光谱的峰值波长优选为620nm以上且650nm以下。
[0052]
活性层24包含在绿像素pg中形成为岛状的绿发光层 35g。绿发光层35g包含多个发出绿光的绿量子点。绿量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长为500nm以上且600nm以下。另外，为了改善显示装置的颜再现区域，优选绿像素pg 的发光光谱的峰值波长为520nm以上且540nm以下。
[0053]
活性层24包含在蓝像素pb上形成为岛状的蓝发光层 35b。蓝发光层35b包括多个发出蓝光的蓝量子点。基于蓝量子点的电致发光的发光光谱的峰值波长为400nm以上且 500nm以下。另外，为了改善显示装置的颜再现区域，蓝像素pb的发光光谱的峰值波长优选为440nm以上且460nm以下。
[0054]
活性层24包含整面地形成的空穴传输层37。空穴传输层37 以覆盖绿发光层35g、红发光层35r和蓝发光层35b的方式整面地形成。不限于此，空穴传输层37可以与阳极22—体形成，也可以以分别覆盖绿发光层35g、红发光层35r和蓝发光层 35b的方式形成为岛状。另外，空穴传输层37既可以是单层结构，也可以是多层结构。活性层24可以包含形成于空穴传输层37与阳极22之间的空穴注入层。
[0055]
发光元件层5包含比活性层24更上层的阳极22。阳极22是透明电极。阳极22遍及红像素pr、绿像素pg和蓝像素pb一体地形成。不限于此，阳极22也可以在红像素pr、绿像素pg和蓝像素pb的每一个中分别形成。
[0056]
发光元件层5包含比阳极22更上层的选择性反射层40。选择性反射层40相对于阳极22设置于红发光层35r、绿发光层35g 和蓝发光层35b的相反侧。选择性反射层40遍及红像素pr、绿像素pg和蓝像素pb一体地形成。选择性反射层40具有比其他波段反射率高的反射波段。选择性反射层40构成为，当具有选择性反射层40的反射波段内所含的波长的光入射到蓝发光层35b 时，发生蓝量子点的吸收再发光。
[0057]
(发光元件层内的反射和透射)
以下，参照图4，对蓝像素pb在发光元件层5内的反射和透射进行说明。
[0058]
图4是示出图3所示的蓝像素pb中的发光元件层5中的反射和透射的概略剖视图。
[0059]
如图4中箭头a所示，从蓝发光层35b向阳极22侧射出的光中、具有选择性反射层40的反射波段所包含的波长的光被选择性反射层40反射。另一方面，如图4中箭头c所示，从蓝发光层 35b向节点22侧射出的光中、具有不包含在选择性反射层40的反射波段中的波长的光透射选择性反射层40。
[0060]
如图4中的箭头b和箭头d所示，从蓝发光层35b向阴极25 侧射出的光无论所具有的波长如何，都被阴极25反射。
[0061]
因此，具有在选择性反射层40的反射波段中所包含的波长的光(以后，“反射波段内的光”)在阴极25和选择性反射层40之间往复，反复通过蓝发光层35b。在反复通过的期间，反射波段内的光被中的蓝量子点吸收。所吸收的蓝量子点对具有所吸收的光的波长以下的波长的光进行再发光。因此，最终，反射波段内的光通过蓝量子点的吸收再发光，转换成具有比选择性反射层40的反射波段的长波长端更长波长的光。具有比反射波段的长波长端更长波长的光是具有不包含在选择性反射层40的反射波段的波长的光(以后，“反射波段外的光”)。
[0062]
因而，反射波段外的波长的光透过选择性反射层40，向发光元件层5之外放射。
[0063]
(选择性反射层的反射波段)图5是上侧表示从图4所示的发光元件层5去除了选择性反射层40的比较例所涉及的发光元件层的电场发光得到的发光光谱的曲线图，下侧表示来自图4所示的发光元件层5的一例的电场发光得到的发光光谱的曲线图。图6是上侧表示从图4所示的发光元件层5去除了选择性反射层40的比较例的发光元件层的电场发光得到的发光光谱的曲线图，下侧表示基于来自图4所示的发光元件层5的另一例的电场发光得到的发光光谱的曲线图。在图5以及图6中，纵轴是将各个峰值波长的发光强度作为一个单位而标准化的发光强度(无单位)，横轴是波长(nm)。
[0064]
如上所述，除蓝发光层35b之外的发光元件层5在反射波段内的吸收率小到可以忽略的程度。并且，发光元件层5在反射波段外的吸收率小到可以忽略的程度。因此，比较例的发光元件层的电场发光的发光光谱(图5以及图6的上侧)与蓝量子点的电场发光的发光光谱大致相同。
[0065]
如图5及图6所示，如下所述地进行规定。
·
λ0:蓝量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长。
·
δλ:蓝量子点的电场发光的发光光谱的半值宽度。
·
λ1:蓝量子点的电场发光的发光光谱在比峰值波长λ0短的波长侧，成为基于蓝量子点的电场发光的发光光谱的半峰值的波长。
·
λ2:蓝量子点的电场发光的发光光谱在比峰值波长λ0长的波长侧，成为蓝量子点的电场发光的发光光谱的半峰值的波长。
·
λ3:比波长λ1短δλ的波长。
·
λ4:比波长λ2长δλ的波长。
·
λ
s0
:发光元件层5的发光光谱的峰值波长。
·
λ
s1
:发光元件层5的发光光谱在比峰值波长λ
s0
短的波长侧，成为发光元件层5的发光光谱的半峰值的波长。
·
λ
s2
:发光元件层5的发光光谱在比峰值波长λ
s0
长的波长侧，成为发光元件层5的发光光谱的半峰值的波长。
·
λ
t1
:选择性反射层40的反射波段的短波长端的波长。
·
λ
t2
:选择性反射层40的反射波段的长波长端的波长。
[0066]
如上所述，反射波段内的光被转换为具有比反射波段的长波长端更长波长的光后，放射到发光元件层5之外。因此，如图5 及图6所示，相对于蓝量子点的电场发光的发光光谱，发光元件层5的发光光谱被窄带化为靠近长波长。
[0067]
为了促进这样的窄带化，优选发生蓝量子点的吸收再发光的概率高。因此，优选选择性反射层40的反射波段的长波长端的波长λ
t2
接近于基于蓝量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长λ0。具体而言，优选选择性反射层40反射波段的长波长端的波长λ
t2
是:(i)在比基于蓝量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长λ0短的波长侧，相比基于蓝量子点的电场发光的发光光谱的半峰值的波长λ1为长波长，且(ii)在比基于蓝量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长λ0长的波长侧，相比基于蓝量子点的电场发光的发光光谱的半峰值的波长λ2为短波长。即，优选满足λ1《λ
t2
《λ2。当设λ1＝λ
0-δλ/2，λ2＝λ0+δλ/2时，优选满足λ0‑ꢀ
δλ/2《λ
t2
《λ0+δλ/2。
[0068]
另外，为了促进这样的窄带化，优选选择性反射层40的反射波段与蓝量子点的电场发光的发光光谱的短波长侧的尾部重叠的范围宽。具体而言，选择性反射层40的反射波段的短波长端的波长λ
t1
优选为与波长λ3同等或以上的短波长。因此，优选满足λ
t1
≤λ3。
[0069]
另外，为了促进这样的窄带化，优选选择性反射层40的反射波段(λ
t1
以上λ
t2
以下)的选择性反射层40的反射率高。具体而言，反射率优选为95％以上。同时，优选蓝量子点的电致发光的发光光谱的峰值波长λ0的周边区域中的选择性反射层40的吸收率低。具体而言，优选在波长λ3以上且波长λ4以下的波长范围内的吸收率为1％以下。另外，选择性反射层40横跨红像素pr和绿像素pg而形成。因此，优选基于红量子点以及绿量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长的周边区域中选择性反射层40的吸收率也低。
[0070]
进而，如图6所示，能够使发光元件层5的发光光谱的峰值波长λ
s0
向比基于蓝量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长λ0更长波长侧漂移。这样的长波长漂移通过选择性反射层40的反射波段的长波长端的波长λ
t2
比基于蓝量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长λ0更长波长来实现。因此，优选地，满足λ0《λ
t2
《λ2即λ0《λ
t2
《λ0+δλ/2。
[0071]
这样的长波长漂移在蓝量子点的峰值波长比作为目标的蓝像素pb的峰值波长(例如，440nm以上且460nm以下)过短的情况下起到有益的效果。通过长波长漂移，能够使蓝像素pb的实际峰值波长从蓝量子点的峰值波长接近作为目标的峰值波长。由此，能够改善显示设备的颜再现区域。
[0072]
(电介质多层膜)选择性反射层40只要作为在上述那样的反射波段中反射率高的带通滤波器发挥功能，则也可以是任意的构成。选择性反射层40例如为电介质多层膜。
[0073]
图7是表示图3所示的选择性反射层40为电介质多层膜时的一例的概要构成的剖视图。
[0074]
如图7所示，当选择性反射层40为电介质多层膜时，选择性反射层40优选为介电常数互不相同的第一电介质膜41和第二电介质膜42交替层叠而成的层叠体。另外，第一电介质膜41的折射率比第二电介质膜高，最接近阳极22的电介质膜是第二电介质膜 42。
[0075]
第一电介质膜41的厚度优选为189nm以上且246nm以下，并且，第二电介质膜42的厚度优选为291nm以上且378nm以下。选择性反射层40所含的第一电介质膜41的层数和第二电介质膜 42的层数的合计为3以上。
[0076]
第一电介质膜41优选真空介电常数为4.8以上且6.0以下。例如，优选地，第一电介质膜41构成为包含氧化钛、五氧化铌、五氧化二钽中的至少一种。
[0077]
第二电介质膜42的真空介电常数优选为1.9以上且3.3以下。例如，第二电介质膜42优选包含氧化硅、氟化镁、氧化铝中的至少一种。
[0078]
(变形例1)图8是示出本实施方式1的一变形例所涉及的发光元件层5的概略构成的一个例子的剖视图。
[0079]
如图8所示，发光元件层5也可以还具备形成于选择性反射层40与阳极22之间的光致发光层45。如图8所示，光致发光层45 横跨红像素pr、绿像素pg和蓝像素pb而形成，虽然省略图示，但也可以仅形成于蓝像素pb。
[0080]
光致发光层45构成为被蓝发光层35b发出的光激发以发出与蓝发光层35b发出的光同的光。光致发光层45发出的光的波长比蓝发光层35b发出的光的波长短。
[0081]
优选光致发光层45发出的光透过选择性反射层40。因此，优选光致发光层45的发光光谱的峰值波长λ
u0
比选择性反射层40 的反射波段的长波长端的波长λ
t2
长。另外，更优选光致发光层 45的发光光谱在比峰值波长λ
u0
短的波长侧，成为光致发光层45 的发光光谱的半峰值的波长λ
u1
比选择性反射层40的反射波段的长波长端的波长λ
t2
长。因此，优选满足λ
t2
《λ
u0
，更优选满足λ
t2
《λ
u1
。
[0082]
该变形可适用于后述的实施方式2至4。
[0083]
(变形例2)图9是示出本实施方式1的另一变形例所涉及的发光元件层5 的概略构成的一个例子的剖视图。
[0084]
如图9所示，选择性反射层40也可以仅形成于蓝像素pb。
[0085]
[实施方式2]本发明的实施方式2的显示装置2是如图2所示的单面发光型。
[0086]
图10是表示本发明的实施方式2的显示装置中的发光元件层的概略构成的剖视图。
[0087]
如图10所示，本实施方式2的发光元件层5与上述实施方式 1的发光元件层5相比，除了下面的两点以外，具有相同的构成。一点在于，选择性反射层40由仅形成于红像素pr的红选择性反射层40r、仅形成于绿像素pg的绿选择性反射层40g以及仅形成于蓝像素pb的蓝选择性反射层40b构成。另一点是，边缘罩23以边缘罩23的上表面成为红选择性反射层40r、绿选择性反射层40g及蓝选择性反射层40b的上表面以上的高度的方式形成得较高。
[0088]
红选择性反射层40r构成为，当具有红选择性反射层 40r的反射波段内所包
含的波长的光入射到红发光层35r时，发生红量子点的吸收再发光。因此，与上述实施方式1中对蓝像素pb的选择性反射层40同样地，本实施方式2的红选择性反射层40r引起红像素pr的发光光谱的窄带化。
[0089]
优选红选择性反射层40r的反射波段的短波长端的波长优选为:将上述的实施方式1所涉及的选择性反射层40的反射波段的短波长端的波长λ
t1
对蓝量子点满足的优选条件替换为满足红量子点的。优选红选择性反射层40r的反射波段的长波长端的波长优选为:将上述的实施方式1所涉及的选择性反射层40的反射波段的长波长端的波长λ
t2
对蓝量子点满足的优选条件替换为满足红量子点的。
[0090]
红选择性反射层40r只要作为在上述那样的反射波段中反射率高的带通滤波器发挥功能，则可以是任意的构成，也可以是电介质多层膜。例如，当红选择性反射层40r为图7所示的电介质多层膜时，优选地，第一电介质膜41的厚度为126nm以上且 157nm以下，并且，第二电介质膜42的厚度为194nm以上且242nm 以下。
[0091]
绿选择性反射层40g构成为:当具有绿选择性反射层 40g的反射波段内所包含的波长的光入射到绿发光层35g时，发生绿量子点的吸收再发光。因此，与针对上述的实施方式1中对蓝像素pb的选择性反射层40同样地，本实施方式2的绿选择性反射层40g引起绿像素pg的发光光谱的窄带化。
[0092]
优选绿选择性反射层40g的反射波段的短波长端的波长优选为:将上述的实施方式1所涉及的选择性反射层40的反射波段的短波长端的波长λ
t1
对蓝量子点满足的优选条件替换为满足绿量子点的。优选绿选择性反射层40g的反射波段的长波长端的波长优选为:将上述的实施方式1所涉及的选择性反射层 40的反射波段的长波长端的波长λ
t2
对蓝量子点满足的优选条件替换为满足绿量子点的。
[0093]
绿选择性反射层40g只要作为在上述那样的反射波段中反射率高的带通滤波器发挥功能，则可以是任意的构成，也可以是电介质多层膜。例如，当绿选择性反射层40g为图7所示的电介质多层膜时，优选地，第一电介质膜41的厚度为157nm以上且 189nm以下，并且，第二电介质膜42的厚度为242nm以上且291nm 以下。
[0094]
蓝选择性反射层40b构成为，当具有蓝选择性反射层40b的反射波段内包含的波长的光入射到蓝发光层35b时，发生蓝量子点的吸收再发光。因此，与上述实施方式1中的针对蓝像素pb的选择性反射层40同样地，本实施方式2的蓝选择性反射层40b引起蓝像素pb的发光光谱的窄带化。
[0095]
蓝选择性反射层40b的反射波段的短波长端的波长优选同样地满足上述的实施方式1所涉及的选择性反射层40的反射波段的短波长端的波长λt1关于蓝量子点满足的优选条件。蓝选择性反射层40b的反射波段的长波长端的波长优选同样地满足上述的实施方式1所涉及的选择性反射层40的反射波段的长波长端的波长λt2关于蓝量子点满足的优选条件。
[0096]
蓝选择性反射层40b只要作为在上述那样的反射波段中反射率高的带通滤波器发挥功能，则可以是任意的构成，也可以是电介质多层膜。例如，当蓝选择性反射层40b是图7所示的电介质多层膜时，优选地，第一电介质膜41的厚度在189nm以上且 246nm以下，并且，第二电介质膜42的厚度在291nm以上且378nm 以下。
[0097]
随着边缘罩23变高，阳极22分别在红像素pr、绿像素 pg和蓝像素pb上形
成。另外，红像素pr的阳极22被边缘罩23 包围，绿像素pg的阳极22和蓝像素pb的阳极22也被边缘罩23 包围。因此，能够防止被选择性反射层40反射的光通过阴极25向相邻像素泄漏。另外，红像素pr的红选择性反射层40r被边缘罩23包围，绿像素pg的绿选择性反射层40g和蓝像素pb的蓝选择性反射层40b也被边缘罩23包围。因此，能够防止被选择性反射层40反射的光通过选择性反射层40向相邻像素泄漏。
[0098]
(变形例3)图11是示出本实施方式2的一变形例所涉及的发光元件层5的概略构成的一个例子的剖视图。
[0099]
如图11所示，也可以仅形成蓝选择性反射层40b，不形成红选择性反射层40r和绿选择性反射层40g。在该情况下，位于红像素pr与绿像素pg之间的边缘罩23也可以以边缘罩23 的上表面成为阴极25的下表面以下的高度的方式形成得较低。
[0100]
[实施方式3]本发明实施方式3的显示装置2是两面发光型。
[0101]
图12是示出显示装置2的显示区域的构成的另一例的概略剖视图。
[0102]
在上述实施方式1中，对单面发光型的显示器件进行了说明，但在制造两面发光型的显示器件的情况下，阴极25(第一透明电极)和阳极22(第二透明电极)两者为透明电极，下表面膜10和树脂层12为透光性。而且，如图12所示，发光元件层5包括阴极25、边缘罩23、活性层24和阳极22，还包括比阴极25更下层的第一选择性反射层44和比阳极22更上层的第二选择性反射层46。第一选择性反射层44及第二选择性反射层46具有反射率比其他波段高的反射波段。详细内容后文叙述。
[0103]
图13是表示本发明的实施方式3的显示装置中的发光元件层的概略构成的剖视图。
[0104]
如图13所示，本实施方式3的发光元件层5与上述实施方式 1的发光元件层5相比，除了下面的两点以外，具有相同的构成。一点是阴极25(第一透明电极)和阳极22(第二透明电极)两者为透明电极。另一点是包含阴极25下层的第一选择性反射层44和阳极 22上层的第二选择性反射层46。
[0105]
优选第一选择性反射层44和第二选择性反射层46的光学特性相同，以使显示器件的发光特性在两面同等。光学特性包含反射波段的短波长端的波长及长波长端的波长。
[0106]
第一选择性反射层44相对于阴极25设置于红发光层35r、绿发光层35g和蓝发光层35b的相反侧。第一选择性反射层44 横跨红像素pr、绿像素pg和蓝像素pb一体地形成。第一选择性反射层44具有反射率比其他波段高的反射波段。第一选择性反射层44构成为，当第一选择性反射层44的反射波段内所包含的波长入射到蓝发光层35b时，发生蓝量子点的吸收再发光。
[0107]
第二选择性反射层46相对于阳极22设置于红发光层35r、绿发光层35g和蓝发光层35b的相反侧。第二选择性反射层46 横跨红像素pr、绿像素pg和蓝像素pb一体地形成。第二选择性反射层46具有反射率比其他波段高的反射波段。第二选择性反射层46构成为，当第二选择性反射层46的反射波段内所包含的波长入射到蓝发光层35b时，发生蓝量子点的吸收再发光。
[0108]
因此，与上述实施方式1中对蓝像素pb的选择性反射层 40同样地，本实施方式3
的第一选择性反射层44和第二选择性反射层46引起蓝像素pb的发光光谱的窄带化。
[0109]
第一选择性反射层44的反射波段的短波长端的波长优选同样地满足上述的实施方式1所涉及的选择性反射层40的反射波段的短波长端的波长λ
t1
关于蓝量子点满足的优选条件。第一选择性反射层44的反射波段的长波长端的波长优选同样地满足上述的实施方式1所涉及的选择性反射层40的反射波段的长波长端的波长λ
t2
关于蓝量子点满足的优选条件。
[0110]
第二选择性反射层46的反射波段的短波长端的波长优选同样地满足上述的实施方式1所涉及的选择性反射层40的反射波段的短波长端的波长λ
t1
关于蓝量子点而满足的条件。第二选择性反射层46的反射波段的长波长端的波长优选同样地满足上述的实施方式1所涉及的选择性反射层40的反射波段的长波长端的波长λ
t2
关于蓝量子点满足的优选条件。
[0111]
第一选择性反射层44及第二选择性反射层46只要作为在上述那样的反射波段中反射率高的带通滤波器发挥功能，则可以是任意的构成，也可以是电介质多层膜。
[0112]
(发光元件层内的反射和透射)以下，参照图14，对第一选择性反射层44和第二选择性反射层46的光学特性相同时的蓝像素pb在发光元件层5内的反射和透射进行说明。
[0113]
图14是示出图13所示的蓝像素pb中的发光元件层5中的反射和透射的概略剖视图。
[0114]
如图14中的箭头a所示，从蓝发光层35b向节点22侧射出的光中、具有第二选择性反射层46的反射波段所包含的波长的光由第二选择性反射层46反射。另一方面，如图14中箭头c所示，从蓝发光层35b向节点22侧射出的光中、具有不包含在第二选择性反射层46的反射波段中的波长的光透射第二选择性反射层 46。
[0115]
如图14中的箭头b所示，从蓝发光层35b向阴极25侧射出的光中、具有第一选择性反射层44的反射波段所包含的波长的光被第一选择性反射层44反射。另一方面，如图14中箭头d所示，从蓝发光层35b向阴极25侧射出的光中、具有不包含于第一选择性反射层44的反射波段的波长的光透过第一选择性反射层44。
[0116]
因此，第一选择性反射层44及第二选择性反射层46的反射波段所含的波长光(以后，“反射波段内的光”)在第一选择性反射层44和第二选择性反射层46之间往复，反复通过蓝发光层35b。在反复通过的期间，反射波段内的波长的光被其中的蓝量子点吸收。所吸收的蓝量子点对具有所吸收的光的波长以下的波长的光进行再发光。因此，最终，反射波段内的光通过蓝量子点的吸收再发光，转换成具有比反射波段的长波长端更长波长的光。具有比反射波段的长波长端更长波长的光是具有不包含在第一选择性反射层44以及第二选择性反射层46的反射波段的波长的光(以后，“反射波段外的光”)。
[0117]
因而，反射波段外的波长的光透过第一选择性反射层44和第二选择性反射层46，向发光元件层5之外放射。
[0118]
[实施方式4]本发明实施方式4的显示装置2为图12所示的单面发光型。
[0119]
图15是表示本发明的实施方式4的显示装置中的发光元件层的概略构成的剖视图。
[0120]
如图13所示，本实施方式4的发光元件层5与上述实施方式 2的发光元件层5相比，除了下面的两点以外，具有相同的构成。一点是阴极25(第一透明电极)和阳极22(第二透明电极)两者为透明电极。另一点是包含阴极25下层的第一选择性反射层44和阳极 22上层的第二选择性反射层46。
[0121]
第一选择性反射层44由仅形成于红像素pr的红第一选择性反射层44r、仅形成于绿像素pg的绿第一选择性反射层 44g以及仅形成于蓝像素pb的蓝第一选择性反射层44b构成。
[0122]
第二选择性反射层46由仅形成于红像素pr的红第二选择性反射层46r、仅形成于绿像素pg的绿第二选择性反射层 44g以及仅形成于蓝像素pb的蓝第二选择性反射层46b构成。
[0123]
红第一选择性反射层44r具有反射率比其他波段高的反射波段。红第一选择性反射层44r构成为，当具有红第一选择性反射层44r的反射波段内所包含的波长的光入射到红发光层 35r时，发生红量子点的吸收再发光。红第二选择性反射层 46r具有反射率比其他波段高的反射波段。红第二选择性反射层46r构成为，当具有红第二选择性反射层46r的反射波段内所包含的波长的光入射到红发光层35r时，发生红量子点的吸收再发光。因此，与上述实施方式3中对蓝像素pb的第一选择性反射层44及第二选择性反射层46同样地，本实施方式4的第一选择性反射层44r和第二选择性反射层46r引起蓝像素pb的发光光谱的窄带化。
[0124]
绿第一选择性反射层44g具有反射率比其他波段高的反射波段。绿第一选择性反射层44g构成为:当具有绿第一选择性反射层44g的反射波段内所包含的波长的光入射到绿发光层 35g时，发生绿量子点的吸收再发光。绿第二选择性反射层 46g具有反射率比其他波段高的反射波段。绿第二选择性反射层46g构成为:当具有绿第二选择性反射层46g的反射波段内所包含的波长的光入射到绿发光层35g时，发生绿量子点的吸收再发光。因此，与上述实施方式3中对蓝像素pb的第一选择性反射层44及第二选择性反射层46同样地，本实施方式4的绿第一选择性反射层44g和绿第二选择性反射层46g引起绿像素pg的发光光谱的窄带化。
[0125]
蓝第一选择性反射层44b具有反射率比其他波段高的反射波段。蓝第一选择性反射层44b构成为，当具有蓝第一选择性反射层44b的反射波段内包含的波长的光入射到蓝发光层 35b时，发生蓝量子点的吸收再发光。蓝第二选择性反射层 46b具有反射率比其他波段高的反射波段。蓝第二选择性反射层46b构成为，当具有蓝第二选择性反射层46b的反射波段内包含的波长的光入射到蓝发光层35b时，发生蓝量子点的吸收再发光。因此，与上述实施方式3中对蓝像素pb的第一选择性反射层44及第二选择性反射层46同样地，本实施方式4的蓝第一选择性反射层44b和蓝第二选择性反射层46b引起蓝像素 pb的发光光谱的窄带化。
[0126]
因此，优选红第一选择性反射层44r和红第二选择性反射层46r的光学特性相同。红第一选择性反射层44r和红第二选择性反射层46r的反射波段的短波长端的波长优选同样地满足上述的实施方式2所涉及的红选择性反射层40r的反射波段的短波长端的波长对蓝量子点满足的优选条件。红第一选择性反射层44r和红第二选择性反射层46r的反射波段的长波长端的波长优选同样地满足上述的实施方式2所涉及的红选择
性反射层40r的反射波段的长波长端的波长对蓝量子点满足的优选条件。
[0127]
另外，优选绿第一选择性反射层44g和绿第二选择性反射层46g的光学特性相同。绿第一选择性反射层44g和绿第二选择性反射层46g的反射波段的短波长端的波长优选同样地满足上述的实施方式2所涉及绿选择性反射层40g的反射波段的短波长端的波长对绿量子点满足的优选条件。绿第一选择性反射层44g和绿第二选择性反射层46g的反射波段的长波长端的波长优选同样地满足上述的实施方式2所涉及的绿选择性反射层40g的反射波段的长波长端的波长对绿量子点满足的优选条件。
[0128]
此外，优选蓝第一选择性反射层44b和蓝第二选择性反射层46b的光学特性相同。蓝第一选择性反射层44b和蓝第二选择性反射层46b的反射波段的短波长端的波长优选同样地满足上述的实施方式1所涉及的选择性反射层40的反射波段的短波长端的波长λ
t1
对蓝量子点满足的优选条件。蓝第一选择性反射层44b和蓝第二选择性反射层46b的反射波段的长波长端的波长优选同样地满足上述的实施方式1所涉及的选择性反射层40 的反射波段的长波长端的波长λ
t2
对蓝量子点满足的优选条件。
[0129]
红第一选择性反射层44r、红第二选择性反射层46r、绿第一选择性反射层44g、绿第二选择性反射层46g、蓝第一选择性反射层44b以及蓝第二选择性反射层46b只要作为在上述那样的反射波段中反射率高的带通滤波器发挥功能，则可以是任意的构成，也可以是电介质多层膜。
[0130]
[总结]本发明的方式1涉及的发光元件构成为包括:反射电极；透明电极；发光层，设于所述反射电极和所述透明电极之间，且包含量子点；以及选择性反射层，其相对于所述透明电极设置在所述发光层的相反侧，并具有反射率比其他波段高的反射波段，所述选择性反射层的反射波段的长波长端的波长是:在所述量子点的电场发光的发光光谱比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长短的波长侧，相比所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处的波长为长波长；且在所述量子点的电场发光的发光光谱比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长长的波长侧，相比所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处的波长为短波长。
[0131]
本发明的方式2涉及的发光元件在上述方式1涉及的构成中，也可以构成为所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长为λ0，半值宽度为δλ，所述选择性反射层的反射波段从波长λ
t1
至波长λ
t2
，λ
t1
《λ
t2
，并满足λ
0-δλ/2《λ
t2
《λ0+δλ/2。
[0132]
本发明的方式3涉及的发光元件在上述方式1或2涉及的构成中，也可以构成为所述选择性反射层的反射波段的长波长侧的波长相比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长为长波长。
[0133]
本发明的方式4涉及的发光元件在上述方式1至3中任一方式涉及的构成中，也可以构成为所述选择性反射层的反射波段的短波长端的波长在所述量子点的电场发光的发光光谱比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长短的波长侧，与所述量子点的电场发光的发光光谱成为半峰值处的波长相比，是所述量子点的电场发光形成的发光光谱的半值宽度以上的短波长。
[0134]
本发明的方式5涉及的发光元件在上述方式1至4中任一方式涉及的构成中，也可以构成为所述选择性反射层在反射波段中的反射率为95％以上。
[0135]
本发明的方式6涉及的发光元件在上述方式1至5中任一方式涉及的构成中，也可以构成为所述选择性反射层在(i)波长和 (ii)波长之间的吸收率在1％以下，所述(i)波长是在所述量子点的电场发光的发光光谱比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长短的波长侧，比成为所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处的波长短了由所述量子点的电场发光产生的光谱的半值宽度的短波长，所述(ii)波长是在所述量子点的电场发光的发光光谱比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长长的波长侧，比成为所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处的波长长了由所述量子点的电场发光产生的光谱的半值宽度的长波长。
[0136]
本发明的方式7涉及的发光元件在上述方式1至6中任一方式涉及的构成中，也可以构成为所述选择性反射层是电介质多层膜，所述电介质多层膜是第一电介质膜和第二电介质膜的层叠体，所述第二电介质膜的介电常数与所述第一电介质膜不同。
[0137]
本发明的方式8涉及的发光元件在上述方式7涉及的构成中，也可以构成为所述第一电介质膜构成为包含氧化钛、五氧化铌、五氧化二钽中的至少一种。
[0138]
本发明的方式9涉及的发光元件在上述方式7或8涉及的构成中，也可以构成为所述第一电介质膜的介电常数为4.8以上且 6.0以下。
[0139]
本发明的方式10涉及的发光元件在上述方式7至9中任一方式涉及的构成中，也可以构成为所述第二电介质膜包含氧化硅、氟化镁、氧化铝中的至少一种。
[0140]
本发明的方式11涉及的发光元件在上述方式7至10中任一方式涉及的构成中，也可以构成为所述第一电介质膜的介电常数为1.9以上且3.3以下。
[0141]
本发明的方式12涉及的发光元件在上述方式7至11中任一方式涉及的构成中，也可以构成为所述电介质多层膜所包含的电介质膜中，离所述透明电极最近的电介质膜是所述第二电介质膜。
[0142]
本发明的方式13涉及的发光元件在上述方式7至12中任一方式涉及的构成中，也可以构成为所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长为400nm以上且500nm以下，所述第一电介质膜的厚度为126nm以上且157nm以下，所述第二电介质膜的厚度为 194nm以上且242nm以下。
[0143]
本发明的方式14涉及的发光元件在上述方式7至12中任一方式涉及的构成中，也可以构成为所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长为500nm以上且600nm以下，所述第一电介质膜的厚度为157nm以上且189nm以下，所述第二电介质膜的厚度为 242nm以上且291nm以下。
[0144]
本发明的方式15涉及的发光元件在上述方式7至12中任一方式涉及的构成中，也可以构成为所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长为600nm以上且780nm以下，所述第一电介质膜的厚度为189nm以上且246nm以下，所述第二电介质膜的厚度为 291nm以上且378nm以下。
[0145]
本发明的方式16涉及的发光元件在上述方式7至15中任一方式涉及的构成中，也可以构成为所述电介质多层膜包含的所述第一电介质膜的层数和所述第二电介质膜的层数的总和为3以上。
[0146]
本发明的方式17涉及的发光元件在上述方式1至16中任一方式涉及的构成中，也可以构成为还包括设置在所述选择性反射层与所述透明电极之间的光致发光层，所述光致
发光层构成为被所述发光层发出的光激发以发出与所述发光层发出的光相同颜的光。
[0147]
本发明的方式18涉及的显示装置构成为包括透明电极、反射电极以及发光层的发光元件作为红像素，包括透明电极、反射电极以及发光层的发光元件作为绿像素，包括上述方式1至 17中任一方式所述的发光元件作为蓝像素，所述蓝像素的所述选择性反射层遍及所述红像素、所述绿像素以及所述蓝像素地形成。
[0148]
本发明的方式19涉及的显示装置构成为包括透明电极、反射电极以及发光层的发光元件作为红像素，包括透明电极、反射电极以及发光层的发光元件作为绿像素，包括上述方式1至 17中任一方式所述的发光元件作为蓝像素，所述蓝像素的所述选择性反射层仅在所述蓝像素上形成。
[0149]
本发明的方式20涉及的显示装置构成为包括上述方式1至 17中任一方式所述的发光元件作为蓝像素，包括上述方式1至 17中任一方式所述的发光元件作为红像素，包括上述方式1至 17中任一方式所述的发光元件作为绿像素。
[0150]
本发明的方式21涉及的显示装置在上述方式18或19涉及的构成中，也可以构成为所述蓝像素的所述透明电极与所述红像素及所述绿像素的所述透明电极一体地形成。
[0151]
本发明涉及的方式22的显示装置在上述方式19或20涉及的构成中，也可以构成为所述蓝像素的所述透明电极与所述红像素及所述绿像素的所述透明电极单独地形成。
[0152]
本发明的方式23的显示装置在上述方式22的构成中，也可以构成为所述蓝像素的所述透明电极被遮蔽所述蓝像素的光的遮光体包围。
[0153]
本发明的方式24的显示装置在上述方式23的构成中，也可以构成为所述蓝像素的所述选择性反射层被所述遮光体包围。
[0154]
本发明的方式25涉及的发光元件构成为包括:第一透明电极；第二透明电极；发光层，设置于所述第一透明电极与所述第二透明电极之间，并包含量子点；第一选择性反射层，具有相对于所述第一透明电极设置在所述发光层的相反侧且反射率比其他波段高的反射波段；以及第二选择性反射层，相对于所述第二透明电极设置在所述发光层的相反侧且具有反射率比其他波段高的反射波段，所述第一选择性反射层的反射波段的长波长端的波长是:在所述量子点的电场发光的发光光谱比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长短的波长侧，相比所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处的波长为长波长；且在所述量子点的电场发光的发光光谱比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长长的波长侧，相比所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处的波长为短波长；所述第二选择性反射层的反射波段的长波长端的波长是:在所述量子点的电场发光的发光光谱比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长短的波长侧，相比所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处的波长为长波长；且在所述量子点的电场发光的发光光谱比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长长的波长侧，相比所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处的波长为短波长。
[0155]
本发明不限于上述各实施方式，能在权利要求所示的范围中进行各种变更，将不同的实施方式中分别公开的技术手段适当组合得到的实施方式也包含于本发明的技术范围。而且，能够通过组合各实施方式分别公开的技术方法来形成新的技术特征。
附图标记说明
[0156]
22 阳极(透明电极、第二透明电极)23 边缘罩(遮光体)25 阴极(反射电极、第一透明电极)35b 蓝发光层35g 绿发光层35r 红发光层40 选择性反射层(电介质多层膜)40b 蓝选择性反射层(电介质多层膜)40g 绿选择性反射层(电介质多层膜)40r 红选择性反射层(电介质多层膜)41 第一电介质膜42 第二电介质膜pr 红像素(发光元件)pg 绿像素(发光元件)pb 蓝像素(发光元件)44 第一选择性反射层44b 蓝第一选择性反射层44g 绿第一选择性反射层44r 红第一选择性反射层45 光致发光层46 第二选择性反射层46b 蓝第二选择性反射层46g 绿第二选择性反射层46r 红第二选择性反射层。

技术特征：

1.一种发光元件，其特征在于，包括:反射电极；透明电极；发光层，设于所述反射电极和所述透明电极之间，且包含量子点；以及选择性反射层，其相对于所述透明电极设置在所述发光层的相反侧，并具有反射率比其他波段高的反射波段，所述选择性反射层的反射波段的长波长端的波长是:在所述量子点的电场发光的发光光谱比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长短的波长侧，相比所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处的波长为长波长；且在所述量子点的电场发光的发光光谱比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长长的波长侧，相比所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处的波长为短波长。2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长为λ0，半值宽度为δλ，所述选择性反射层的反射波段从波长λ
t1
至波长λ
t2
，λ
t1
<λ
t2
，并满足λ
0-δλ/2<λ
t2
<λ0+δλ/2
。
3.根据权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，所述选择性反射层的反射波段的长波长侧的波长相比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长为长波长。4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述选择性反射层的反射波段的短波长端的波长在所述量子点的电场发光的发光光谱比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长短的波长侧，与所述量子点的电场发光的发光光谱成为半峰值处的波长相比，是所述量子点的电场发光形成的发光光谱的半值宽度以上的短波长。5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述选择性反射层在反射波段中的反射率为95％以上。6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述选择性反射层在(i)波长和(ii)波长之间的吸收率在1％以下，所述(i)波长是在所述量子点的电场发光的发光光谱比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长短的波长侧，比成为所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处的波长短了由所述量子点的电场发光产生的光谱的半值宽度的短波长，所述(ii)波长是在所述量子点的电场发光的发光光谱比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长长的波长侧，比成为所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处的波长长了由所述量子点的电场发光产生的光谱的半值宽度的长波长。7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述选择性反射层是电介质多层膜，所述电介质多层膜是第一电介质膜和第二电介质膜的层叠体，所述第二电介质膜的介电常数与所述第一电介质膜不同。8.根据权利要求7所述的发光元件，其特征在于，所述第一电介质膜构成为包含氧化钛、五氧化铌、五氧化二钽中的至少一种。9.根据权利要求7或8所述的发光元件，其特征在于，所述第一电介质膜的介电常数为4.8以上且6.0以下。10.根据权利要求7至9中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述第二电介质膜包含
氧化硅、氟化镁、氧化铝中的至少一种。11.根据权利要求7至10中的任一项所述的发光元件，其特征在于，所述第一电介质膜的介电常数为1.9以上且3.3以下。12.根据权利要求7至11中的任一项所述的发光元件，其特征在于，所述电介质多层膜所包含的电介质膜中，离所述透明电极最近的电介质膜是所述第二电介质膜。13.根据权利要求7至12中的任一项所述的发光元件，其特征在于，所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长为400nm以上且500nm以下，所述第一电介质膜的厚度为126nm以上且157nm以下，所述第二电介质膜的厚度为194nm以上且242nm以下。14.根据权利要求7至12中的任一项所述的发光元件，其特征在于，所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长为500nm以上且600nm以下，所述第一电介质膜的厚度为157nm以上且189nm以下，所述第二电介质膜的厚度为242nm以上且291nm以下。15.根据权利要求7至12中的任一项所述的发光元件，其特征在于，所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长为600nm以上且780nm以下，所述第一电介质膜的厚度为189nm以上且246nm以下，所述第二电介质膜的厚度为291nm以上且378nm以下。16.根据权利要求7至15中的任一项所述的发光元件，其特征在于，所述电介质多层膜包含的所述第一电介质膜的层数和所述第二电介质膜的层数的总和为3以上。17.根据权利要求1至16中的任一项所述的发光元件，其特征在于，还包括设置在所述选择性反射层与所述透明电极之间的光致发光层，所述光致发光层构成为被所述发光层发出的光激发以发出与所述发光层发出的光相同颜的光。18.一种显示装置，其特征在于，包括透明电极、反射电极以及发光层的发光元件作为红像素，包括透明电极、反射电极以及发光层的发光元件作为绿像素，包括权利要求1至17中任一项所述的发光元件作为蓝像素，所述蓝像素的所述选择性反射层遍及所述红像素、所述绿像素以及所述蓝像素地形成。19.一种显示装置，其特征在于，包括透明电极、反射电极以及发光层的发光元件作为红像素，包括透明电极、反射电极以及发光层的发光元件作为绿像素，包括权利要求1至17中任一项所述的发光元件蓝像素，所述蓝像素的所述选择性反射层仅在所述蓝像素上形成。20.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至17中任一项所述的发光元件作为蓝像素，包括权利要求1至17中任一项所述的发光元件作为红像素，包括权利要求1至17中任一项所述的发光元件作为绿像素。21.根据权利要求18或19所述的显示装置，其特征在于，所述蓝像素的所述透明电极
与所述红像素及所述绿像素的所述透明电极一体地形成。22.根据权利要求19或20所述的显示装置，其特征在于，所述蓝像素的所述透明电极与所述红像素及所述绿像素的所述透明电极单独地形成。23.根据权利要求22所述的显示装置，其特征在于，所述蓝像素的所述透明电极被遮蔽所述蓝像素的光的遮光体包围。24.根据权利要求23所述的显示装置，其特征在于，所述蓝像素的所述选择性反射层被所述遮光体包围。25.一种发光元件，其特征在于，包括：第一透明电极；第二透明电极；发光层，设置于所述第一透明电极与所述第二透明电极之间，并包含量子点；第一选择性反射层，具有相对于所述第一透明电极设置在所述发光层的相反侧且反射率比其他波段高的反射波段；以及第二选择性反射层，相对于所述第二透明电极设置在所述发光层的相反侧且具有反射率比其他波段高的反射波段，所述第一选择性反射层的反射波段的长波长端的波长是：在所述量子点的电场发光的发光光谱比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长短的波长侧，相比所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处的波长为长波长；且在所述量子点的电场发光的发光光谱比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长长的波长侧，相比所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处的波长为短波长；所述第二选择性反射层的反射波段的长波长端的波长是：在所述量子点的电场发光的发光光谱比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长短的波长侧，相比所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处的波长为长波长；且在所述量子点的电场发光的发光光谱比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长长的波长侧，相比所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处的波长为短波长。

技术总结

发光元件包括:反射电极；透明电极；发光层，设于所述反射电极和所述透明电极之间，且包含量子点；以及选择性反射层，其相对于所述透明电极设置在所述发光层的相反侧，并具有反射率比其他波段高的反射波段，所述选择性反射层的反射波段的长波长端的波长(λ

技术研发人员：

北野圭辅 山本真树

受保护的技术使用者：

夏普株式会社

技术研发日：

2020.03.26

技术公布日：

2022/11/3