一种由8个MOS晶体管和2个MIM电容器构成的硅基有源寻址矩阵像素单元

专利名称:一种由8个MOS晶体管和2个MIM电容器构成的硅基有源寻址矩阵像素单元电路
专利类型:实用新型专利
发明人:代永平,刘艳艳,钱拴
申请号:CN201920986866.2
数显计数器
申请日:20190628
公开号:CN210110310U降噪咪头
公开日:
汽水热交换器
20200221
专利内容由知识产权出版社提供
卢卡纤维摘要:一种由8个MOS晶体管和2个MIM电容器构成的硅基有源寻址矩阵像素单元电路,主要由第1‑NMOS管与第1‑MIM电容器串联形成开关电容结构,第1‑PMOS管与第3‑PMOS管串联形成共漏放大器结构,且该共漏放大器的输入与开关电容形成电学串联,且该共漏放大器的输出与第
3‑NMOS管形成电学串联;同样,第2‑NMOS管与第2‑MIM电容器串联形成开关电容结构,第
2‑PMOS管与第4‑PMOS管串联形成共漏放大器结构,且该共漏放大器的输入与开关电容形成电学串联,且该共漏放大器的输出与第4‑NMOS管形成电学串联。其效果是,提供了一种由8个MOS晶体管和2个MIM电容器构成的像素单元电路,做到完全与常规5V~8V的MOS半导体芯片生产工序相匹配,另外,在单元电路中配置两个MIM电容器有利于存储一对差分模拟电平信号。
申请人:南开大学
加热膜
地址:300071 天津市南开区卫津路94号
国籍:CN
代理机构:天津耀达律师事务所
代理人:张耀
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本文发布于:2024-09-21 18:50:17,感谢您对本站的认可!

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