第一篇：电子材料知识点总结刮刮卡制作
电子材料知识点总结
1什么是电子材料？
电子材料是特指适合于电子学这一范围使用的材料，它是电子工业和电子科学技术发展的物质基础。
2电子材料的选用原则
1.根据元器件性能参数2.根据元器件结构特点3.根据元器件工艺特点4.按已知定律或法则5.按经济原则 3霍尔效应 定义1：在物质中任何一点产生的感应电场强度与电流密度和磁感应强度之矢量积成正比的现象。定义2：通过电流的半导体在垂直电流方向的磁场作用下，在与电流和磁场垂直的方向上形成电荷积累和出现电势差的现象。 4电容器电介质材料的要求？ 1.介电常数ε尽可能的大2.损耗角正切tanδ尽可能的小3.具有高的绝缘电阻值，并保证电阻在
不同温度和频率下稳定，避免因杂质分解或材料老化引起绝缘阻值下降；4.具有高的击穿强度。5.要求电容器介质的性能在不同的温度、湿度等环境条件及不同的频率、电压等工作条件下保持长期稳定。 5电极材料的要求？
要求制造电极的材料有足够的电导率、热导率和高温硬度，电极的结构必须有足够的强度和刚度，以及充分冷却的条件。此外，电极与工件间的接触电阻应足够低，以防止工件表面熔化或电极与工件表面之间的合金化。
混合罐7表征无机介电常数特性的主要参数有哪些（限写三项）？ 介电常数除了与材料有关以外，还与温度和电场频率有关。
干燥气体通常是良好的绝缘体，但当气体中存在自由带电粒子时，它就变为电的导体。这时如在气体中安置两个电极并加上电压，就有电流通过气体，这个现象称为气体放电。
气体放电有多种多样的形式。主要的形式有辉光放电、电弧放电、电晕放电、火花放电、介质阻挡放电等。
二.描述气体击穿后的放电现象
辉光放电：整个空间发光，电流密度小；低气压、电源功率小； 电弧放电：放电通道和电极的温度都很高，电流密度大，电路有短路特征；电源功率大
火花放电：有收细的发光放电通道、贯穿两极的断续的明亮火花；大气压下、电源功率小电晕放电：紧贴尖电极周围有一层晕光；极不均匀场
托玛琳活水杯刷状放电：从电晕放电电极中伸出许多较明亮的细放电通道；极不均匀场 三．压电材料的四个重要参数并解释其含义？
1.介质损耗：是判断材料性能好坏，选择材料和制作器件的重要依据2.机械品质因数：反映压电振子在谐振时的损耗程度3.机械耦合系数：是衡量压电体的机电能量转换能力的一个重要参数4.频率常数N：是指振子的谐振频率fr与主振动方向尺寸（或直径）的乘积。
四．经半导体化后的半导体陶瓷的电性能与一般绝缘电子瓷和半导体单晶的性能差别主要体现在那两个方面？：
1.半导体的晶粒电阻率要比其他电子陶瓷低的多，而且可以在约10个数量级范围内变化。2.半导瓷的晶粒间界上多数存在一定的界面势垒层，并由此产生各种各样的势垒效应。与
半导体单晶不同，由于半导体陶瓷一般为多相结构，其主要相虽为半导体，但晶界层则可以是半导体或绝缘体。
五．防止滑石的老化措施有哪些？
1.在瓷料配方中加入形成玻璃的成分，以生成粘度大而数量足够多的玻璃相（一般为20%左右），玻璃相把晶粒紧紧包裹。2.控制晶粒的大小3.必须严防游离石英的混入。 六．BaTio3半导体陶瓷的ptc效应的内部机理？
在居里温度以下，BaTio3产生自发极化，表面电荷密度被极化强度的垂直分量所补偿。使有效Ns大幅度下降，势垒；Φ0值也随之大幅下降，材料的电阻率很低。而在居里点温度以上，自发极化消失，有效Ns增多，Φ0增高，电阻率急剧提升，产生PTC效应。 晶体结构及其特征: 晶体以其内部原子、离子、分子在空间作三维周期性的规则排列为其最基本的结构特征。 铁电体:某些晶体在一定的温度范围内具有自发极化，而且其自发极化方向可以因外电场方向的反向而反向，晶体的这种性质称为铁电性，具有铁电性的晶体称为铁电体。 铁磁体:具有铁磁性的物质被称为铁磁体。
铁磁性:物质中相邻原子或离子的磁矩由于它们的相互作用而在某些区域中大致按同一方向排列，当所施加的磁场强度增大时，这些区域的合磁矩定向排列程度会随之增加到某一极限值的现象。
外用贴剂磁滞回线 :在磁场中，铁磁体的磁感应强度与磁场强度的关系可用曲线来表示，当磁化磁场作周期的变化时，铁磁体中的磁感应强度与磁场强度的关系是一条闭合线，这条闭合线叫做磁滞回线
1 什么是压电效应：由于机械力的作用而激起的晶体表面电荷现象压电体的特征：不导电其结构还必须要有正电荷和负电荷的质点压电晶体特性的晶体（列举5种）:水晶、钛酸钡、铌酸锂、钽酸锂、镓酸锂 、锗酸锂。
什么是半导体陶瓷：就是使用陶瓷工艺制成具有半导体特性的材料。如何使陶瓷半导体化:是指在陶瓷禁带中形成施主或受主附加能级，该附加能级的产生主要有两个途径：不含杂的氧化物主要通过化学计量比偏离来形成，含杂的氧化物是由异价杂质元素的代价换来形成。 固溶体:是由两种或两种以上的元素或化合物半导体相互溶合而成的材料。
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无限固溶体的形成条件:1.晶体结构相同2.原子尺寸因素：⊿r<15%有利于形成溶解度较大的固溶体，而⊿r>=15%时，⊿r越大，溶解度于小3.化学亲和力（电负性因素）：合金组元间电负性差越大，倾向于生成化合物不利于形成固溶体4.原子价因素：溶质的原子价越高，溶解度越小。
P-n结的形成机理: 在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内电子很多而空穴很少，而P型区内空穴很多电子很少，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差别。这样，电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。于是，有一些电子要从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子,N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，就形成了PN结。
6晶体中那些缺陷影响材料的导电性？这些缺陷产生的原因是什么？ 晶体结构缺陷的种类繁多有点、线、面、体等四类结构缺陷。
1 点缺陷1.1 晶格位置缺陷：这类缺陷的形成主要受温度影响。 1.2 组成缺陷：主要取决于
溶解度和掺杂量。1.3电荷缺陷：由于热能和其他能量传递激发电子跃迁，产生空穴和电子形成附加电场引起周期势场的畸变，造成晶体的不完整性。1.4 心：由透明晶体中点缺陷、点缺陷对或点缺陷捕获电子或空穴而构成的一种缺陷。2 线缺陷：指二维尺度很小而第三为尺度很大的缺陷。3 面缺陷3.1晶界：亚晶界主要是由位错组成。3.2 孪晶界面：两个或两个以上的同种晶体，彼此之间的层错按一定的对称关系相互联系而形成的复合晶体3.3平移界面：界面两侧晶体以某一特征的非点阵平移相联系的称为平移界面，包括堆垛层错、反向畴界和结晶切变面，其中，结晶切变面可以概括的理解为一种特殊的反向畴界4 体缺陷：体缺陷是由热运动造成的一种半微观缺陷。
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