均分散石墨烯的水热法制备及表征

均分散石墨烯的水热法制备及表征*
臧传亮,杨 娟,孙 磊,赵 南,程晓农
(江苏大学材料科学与工程学院,镇江212013
)摘要  以氧化石墨烯为原料、水合肼为还原剂,采用水热法制备均分散石墨烯,以X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、傅里叶红外(FT-IR)、热重(TG)等分析方法研究所得石墨烯的物相、形貌及组成;为了测试电学性能,利用所得石墨烯分散性良好的特点,采用真空抽滤法制得石墨烯薄膜,以SEM观察薄膜的断面及表面形貌,采用四探针测试仪测试石墨烯薄膜的电阻,并与氧化石墨烯薄膜及经氢气还原后的石墨烯薄膜电阻进行对比。结果显示,
水热过程将氧化石墨烯中大部分含氧官能团还原,石墨烯薄膜电学性能优异,经氢气还原后石墨烯薄膜的平均方块电阻为21.5Ω
/□。关键词  水热法 氧化石墨烯 均分散石墨烯 薄膜
Synthesis and Characterization of Monodispersed Grap
hene viaHy
drothermal MethodZANG Chuanliang,YANG Juan,SUN Lei,ZHAO Nan,CHENG Xiaonong
(School of Materials Science and Engineering,Jiangsu University,Zhenjiang 
212013)Abstract  Monodispersed graphene in de-ionized water was prepared without any dispersant via hydrothermalmethod using graphene oxide(GO)sheets as precursor and hydrazine hydrate as reductant.The structure,morphologyand composition of the products were characterized by X-ray diffraction(XRD),scanning electron microscopy(SEM),transmission electron microscopy(TEM),thermo-gravimetric analysis(TG)and Fourier transform infrared absorbancespectroscopy(FT-IR).To examine the electrical properties of obtained graphene,thin film
s were prepared by vacuum-filtration method and the square resistance was tested by Four-point probe.Results showed that most of the oxygen-containing groups were reduced in the hydrothermal process.The average sheet resistance of the graphene film,whichwas annealed in hydrogen atmosp
here was 21.5Ω/□.Key 
words  hydrothermal method,graphene oxide,monodispersed graphene,film *国家自然科学基金(
50902061);江苏省六大人才高峰(2009年) 臧传亮:1983年生,硕士研究生,研究方向为石墨烯及其复合材料 E-mail:zangchuanliang
1985@163.com0 引言
石墨烯(GE)由于具有优异的力学、电学性能,在药物载体、超级电容器、锂电池、传感器等方面拥有广阔的应用前
景[1-3]
,因而备受瞩目。大块导电石墨烯薄膜的制备和电学
性能研究是石墨烯由实验研究走向实际应用的有效途径。
许多科研团队正致力于此方面的研究[4,5]
,Shujun Wang等
利用转印法获得透明导电石墨烯薄膜,热处理后薄膜的方阻
低于2000Ω
/□,且波长为500nm时透光率高于80%[6]
。旋涂或喷涂氧化石墨分散液并进行相应的后续处理,也可以获得几纳米厚的连续透明导电石墨烯涂层[7,8]
,Goki 
Eda等采用真空抽滤法获得了氧化石墨烯薄膜,波长为500nm时其透光率仍高于85%
[9]
。上述方法中真空抽滤法较其它方法成
本低、工艺简便,获得的石墨烯薄膜的厚度、尺寸可控且便于后续加工,是制备大块石墨烯薄膜的有效方法。
本实验利用氧化石墨烯可以被水合肼还原的特点,采用水热法制备水溶液中均分散石墨烯,通过真空抽滤分散石墨
烯的方法制备薄膜,并在氢气气氛中对薄膜进行还原处理,考察还原前后薄膜方块电阻的变化。
钢钙板1 实验
1.1 水分散石墨烯的制备
采用Hummers法制备前驱体氧化石墨(GO)
[10,11]
,并超声分散获得氧化石墨烯。取16mL质量浓度为0.094mg
/mL的氧化石墨烯溶液与10μL水合肼混合,超声振荡40min后倒入带有聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜中,于90℃保温2h后自然冷却,即可获得均分散石墨烯(GE)
。1.2 薄膜的制备和热处理
采用Wigg
ens公司生产的ChemVak真空过滤泵和Mil-lip
ore公司生产的孔径25nm、直径47mm滤膜,分别将30mL氧化石墨烯和30mL均分散石墨烯抽滤成膜,于真空40℃烘干,并将后者进行氢气气氛热处理。处理条件为:氢气与氩气流量分别为1.75L/min和3L/min,反应温度由40℃经
285min升到600℃,保温2h后自然冷却至室温,
产物标记为·401·材料导报  2
011年11月第25卷专辑18
H-GE。
1.3 分析测试
采用Rigaku D/max2500型X射线衍射仪测定样品的物相结构,辐射源采用Cu Kα(λ=0.15418nm),以7(°)/min速度连续扫描;采用JEM-2100型透射电子显微镜(电压为20kV)和XL-30ESEM型扫描电子显微镜(电压为20kV)观察样品形貌;采用WQF-400N型傅里叶变换红外光谱仪检测GO与GE中官能团的变化,使用KBr压片法,
扫描波数为400~4000cm-1;采用德国NETZSCH STA 449C型综合热分析仪在氮气气氛下对所获得粉体样品进行热重分析,升温速率为10℃/min,测定温度范围为室温至400℃;采用RTS-
9型四探针测试仪测试薄膜室温方块电阻。2 结果与讨论
2.1 XRD分析
对原料鳞片石墨,抽滤所得GO、GE和H-GE薄膜进行
XRD检测,
结果如图1所示
。图1 鳞片石墨、GO、GE、H-GE的XRD图谱Fig
.1 XRD patterns of graphite,GO,GE and H-GE鳞片石墨的图谱中2θ=26.51°处狭窄、强烈的衍射峰和2θ=5
4.65°处的狭窄衍射峰分别对应于石墨晶体的(002)晶面和(004)晶面,由布拉格公式计算可知晶面间距d(002)=
0.33nm,
d(004)=0.17nm。GO图谱中石墨衍射峰前移到2θ=1
0.52°处,其对应的晶面间距d=0.83nm,层间距的扩大是由氧化性基团的插入引起的,由此说明鳞片石墨在强氧化剂作用下被氧化,在22~27°之间出现了宽化的氧化基团的衍射峰。GE的图谱与GO有明显差异,2θ=10.51°处未见衍射峰,而在2θ=26.51°左右出现了与鳞片石墨衍射图谱相似的衍射峰,且有宽化现象。H-GE图谱只在26.13°处出现衍射峰,由此说明水合肼和氢气均对氧化石墨中的部分官能团起到还原作用,在抽滤制膜过程中,石墨烯片层重新堆积,生成了类似石墨的物相结构。
2.2 TEM与HRTEM分析
采用XRD表征产物的组成,利用TEM进一步检测所得产物的形貌特征。GO和GE的TEM检测
结果如图2所示
图2 GO、GE的透射电镜图和GE的高分辨透射电镜图Fig.2 TEM image of GO,GE and HRTEM image of GE从GO的透射电镜照片(见图2(a))可知,虽然氧化石墨烯边缘单片层结构清晰可见,但仍有堆积存在,估计堆积层数大于5层;由图2(a)插图可见氧化石墨悬浮液为亮红棕透明液体,呈均分散状无不溶物质,且可稳定存在1年以上不沉降。图2(b)清晰地展现了水分散石墨烯的形貌,石墨烯片层状结构清晰可见,
片层以褶皱状态存在并未完全铺展开。褶皱可以降低单层石墨烯的表面能,增加其稳定性,阻止形貌由二维向三维转变,是二维石墨烯存在的必要条
件[12]
;由图2(b
)插图可见以水合肼为还原剂,水热法所得石墨烯在水中呈黑且均匀分散,
颜的变化说明还原过程中含氧基团减少。本实验中在无任何分散剂存在下所得石墨烯悬浮液可稳定保持1月不沉降,
其原因可能与水热反应过程中的高温、高压环境有关。获得的石墨烯局部表现出单晶
特性,晶格条纹及衍射花样如图2(c
)所示。2.3 傅里叶红外(FT-
IR)分析采用FT-IR检测GO和GE中官能团的变化。样品经烘干、研磨后进行红外测试,结果如图3所示。GO红外图谱中3450cm-1、1650cm-1处为吸附水振动峰,表明氧化石墨烯由石墨的不亲油、不亲水变为具有强烈的吸水性;1100cm-1处为烷氧基(C-O)键伸缩振动峰,1400cm-1处为羟基变形振动峰,1720cm-1处为C=O键特征峰,1250cm-1处为环氧基(C-O-C)特征振动峰,此结果与文献[13]的报道基本相同。GE的图谱中3450cm-1处的吸附水振动峰依然存在但强度
尼龙纤维植绒拭子
明显减弱,C-O键伸缩振动峰、羟基变形振动峰、C=O键特征峰、环氧基特征振动峰基本消失,但羟基变形振动峰依然存在,表明水合肼能够还原氧化石墨烯中绝大部分的基团,但对羟基的还原能力较弱。
2.4 热重(TG)
分析氧化石墨烯经水合肼还原前后官能团的变化在热重分
·
501·均分散石墨烯的水热法制备及表征/臧传亮等
析中也有所反映。GE和GO样品经真空40℃、10h烘干后研磨成粉,在氮气气氛、10℃/min条件下进行热分析,结果如图4所示
热重曲线表明GE比GO的热稳定性强,
主要原因是GO含有热稳定性较低的含氧官能团,
而还原石墨烯中官能团较少。在100~400℃官能团分解导致GO失重速率较快,质量损失严重(~40%)。与GO相比,石墨烯GE在100~400℃温度区间内质量损失较小(
低于5%)但仍有损失,说明GO中的绝大部分官能团被水合肼还原,
但并未完全还原,仍有少数官能团存在。热重分析表现出的GE官能团的变化与XRD和FT-
IR结果相符。2.5 电学性能
鉴于石墨烯导电性能优良,采用四探针测量GO、GE、H-
GE薄膜的导电性能。图5为GE薄膜断面和表面的SEM
照片。图5(a)中石墨烯片层间结构清晰可见,其中石墨烯片层呈弯曲状相互叠加,
片层间存在空隙,整体薄膜厚度d约为6.76μ
m。石墨烯薄膜表面较平整,局部呈波浪状起伏(见图5(b)),可能是由于水分散石墨烯在抽滤过程中片层取向不同以及烘干过程中水分蒸发所致。对所得薄膜进行电学性能测试,
平均方块电阻如表1所示。表1 GO、GE、H-GE薄膜的平均方块电阻
Table 1 The average sq
uare resistance of the GO,GE,H-GE 
films样品
GO 
GE H-GE平均方块电阻/(Ω
/□)~2×1
06 
90 
21.5
  由表1可知,
GE薄膜方块电阻与GO薄膜相比降低了大约4个数量级,其主要原因是水合肼将氧化石墨烯中的绝大部分不导电的含氧官能团还原,
这与前述实验结果相符;H-GE与GE薄膜相比,方块电阻率降低了约3/4,为21.5Ω
/□,
表明氢气还原处理可以进一步降低石墨烯的电阻率。3 结论
2-氯-5-氯甲基噻唑在合适浓度、温度条件下以氧化石墨烯和水合肼为原料,采用水热法在无任何分散剂条件下可以获得均分散石墨烯。水合肼可以将氧化石墨烯中的绝大多数含氧官能团还原,但仍有部分官能团残留,如羟基等。石墨烯薄膜经氢气还原后电阻率大幅度降低,30mL分散石墨烯抽滤膜经氢气气氛600℃处理后,平均方块电阻降低到21.5Ω地区搜索
/□。参考文献
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·601·材料导报  2
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2.4 碳纳米管的透射电镜分析
图6为羟基化的碳纳米管经表面活性剂修饰前后的透射电镜照片。从图6(a)、(b)中可以看到,未经修饰的碳纳米管大量团聚,相互缠绕在一起;而从图6(c)、(d)中可以明显看到,
经表面活性剂修饰的碳纳米管则分散得比较好,因此能更有效地分散在溶液中
图6 碳纳米管的电镜照片Fig.6 TEM imag
es of CNTs3 结论
(1
)羟基化的碳纳米管在溶液中的分散性优于不含活性基团的碳纳米管。
(2)羟基化的碳纳米管悬浊液在静置312h后其沉降趋
于稳定,并维持质量浓度在0.25~0.32g/L之间,而经表面活性剂修饰后羟基化的碳纳米管在溶剂中的悬浮性更佳。因此多壁碳纳米管在含表面活性剂Trition X-100溶液中的分散性更好。
(3
)溶剂的选择也会影响碳纳米管悬浊液分散过程,其中以无水乙醇与水的混合溶液作为溶剂能获得相对最好的分散效果。
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1791(上接第106页)
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011·材料导报  2
011年11月第25卷专辑18

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