2020 年中国光伏技术发展报告——晶体硅太阳电池研究进展（6）

等离子In 、Sn 中和

衬底ITO 靶

a. 磁控溅射信息提取>家用供暖系统

系统中断控制器

b. RPD

等离子

衬底

等离子

ITO 源

波束控制器

图42 2种沉积TCO 薄膜的技术原理图

Fig. 42 Schematic diagram of two technologies for

depositing TCO thin films

RPD 设备更像一种热蒸发设备，因此制备ITO 膜具有更高的结晶度，可以在保持高透光性的同时具有更好的导电性。日本住友公司于年将中国区域的RPD 设备制造和销售权转让给捷佳伟创公司。

RPD 设备具有以下优点：①离子能量较低，而且衬底与等离子体分开，因此对硅片的轰击损伤较小；②使用该种设备可以对IWO(氧化铟氧

无线图像传输43 捷佳伟创公司开发的更高产能的RPD

Fig. 43 RPD equipment with higher capacity developed by

合成绝缘子Shenzhen S.C

制备TCO膜的另一项技术关键是薄膜材料。

电子倾斜仪表20 各种

Table 20 Comparison of performance of various TCO coating equipment

本文发布于:2024-09-23 11:14:32，感谢您对本站的认可！

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