一种基于3DNAND型闪存阈值电压分布对称性的优化读参考电压感知方法

一种基于3d nand型闪存阈值电压分布对称性的优化读参考电压感知方法
技术领域
1.本发明属于固态存储的读取性能技术领域，具体地，涉及一种基于3d nand型闪存阈值电压分布对称性的优化读参考电压感知方法。

背景技术：

2.目前主流的3d nand型闪存通常支持修改读参考电压以降低存储数据中的误码，闪存通过向胞元中注入电荷实现非易失性存储，对于写操作，即向胞元中注入电荷，胞元在被注入电荷后会形成阈值电压，闪存内部电路以读参考电压(read reference voltage，rrv)将不同的阈值电压区间划分为不同状态，胞元所处状态的编码即为该胞元存储的信息，对于读操作，即识别出胞元所处的状态，进而获取相应的编码信息，擦除操作即将胞元中的电荷清零。如图1所示，是一款3比特/胞元闪存中的状态编码与其阈值电压分布的示意图。如若一胞元需要存储的信息是“101”，则闪存内部电路会向其中注入电荷并使阈值电压处于由读参考电压vc和vd划分出的c状态区间，当执行读取操作时，该胞元会被首先识别为c状态，进而输出其存储的3比特信息“101”。而当擦除操作被执行，该胞元因电荷被移除使得阈值电压降低到er态。
3.在实际的数据存储过程中，胞元中的电荷数量会发生变化，例如驻留过程中胞元中的电荷会发生缓慢的泄露，而胞元中电荷数量变化可能会导致其阈值电压的状态发生翻转，进而造成存储信息的错误。如图2所示，右边状态在数据存储过程中发生电荷泄露，导致阈值电压分布左移并超过原本状态窗的默认左边界读参考电压(default voltage，v
default
)，并导致了大量读取错误。现在主流的闪存芯片通常支持修改相邻状态间的读参考电压，如图2所示，将读参考电压修改为优化后读参考电压(opimized voltage，v
opt
)，将有效降低由阈值电压分布漂移引入的误码。

技术实现要素：

4.基于以上问题，本发明提出了一种基于3d nand型闪存阈值电压分布对称性的优化读参考电压感知方法，针对小粒度的读取样本，提出的策略有效利用了阈值电压分布在优化读参考电压附近的对称性，其可以有效缓解阈值电压分布上噪声对优化读参考电压感知的影响，以较小的读取开销和复杂度实现优化读参考电压的精确感知。
5.本发明通过以下技术方案实现：
6.一种基于3d nand型闪存阈值电压分布对称性的优化读参考电压感知方法：
7.所述方法具体包括以下步骤：
8.步骤一：首先执行一对相邻状态间v
opt
的感知，设扫描范围是[v
l
,vr]，读取所述一对相邻状态在v
opt
附近的ocd曲线，将三个采样点设为一个判别组，对ocd曲线进行滑动检索；
[0009]
步骤二：对于每个判别组，在获取三个采样点的ocd值后，计算该判别组的判别式
γ，其用于衡量左右两个采样点关于中心点成中心对称的程度；
[0010]
步骤三：采用双级精度的判别组滑动扫描，先进行粗精度扫描确定v
opt
所在的offset范围，再进行细精度扫描最终得到v
opt
的offset值。
[0011]
进一步地，在步骤一中，
[0012]
每个判别组通过三次采样获取的ocd构成，分别称为ocd
left
、ocd
right
和ocdcenter，设三个采样点间的offset差值为δv，其满足：
[0013]
δv＝s
·
δv
min
#(7)
[0014]
其中，s每个判别组的左右区间包含的最小步进数量。
[0015]
进一步地，在步骤二中，
[0016]
所述判别式γ的定义如下：
[0017]
γ＝|ocd
left
+ocd
right-2
×
ocd
center
|#(8)
[0018]
在[v
l
,vr]的扫描范围内，识别出γ取最小值的组，并认为该组中中心点的offset值为v
opt
；
[0019]
即，设对某存储数据样本的滑动扫描过程中，第k个判别组γk取最小值，则该判别组的左右端点offset值分别为v
lk
和v
rk
，则该存储数据样本的v
opt
为：v
opt
＝v
lk
+δv＝v
rk-δv#(9)。
[0020]
进一步地，在步骤三中，具体包括以下步骤：
[0021]
s1、以中心对称性判别组的形式粗精度扫描优化参考电压附近的1s计数分布，每个判别组由三个大步进等间隔的采样点构成；
[0022]
s2、对每个判别组的中心对称程度做出评估，并获取中心对称程度最好的组序号，及其左端点的读参考电压偏移量；
[0023]
s3、由s2确定的读参考电压偏移量获取细精度扫描的区间；
[0024]
s4、再次以中心对称性判别组的形式细精度滑动扫描s3中确定的区间；
[0025]
s5、对每个判别组的中心对称程度做出评估，并获取中心对称程度最好的组序号；
[0026]
s6、将s5中确定的判别组的中心点读参考电压偏移量作为感知到的v
opt
。
[0027]
进一步地，在步骤三中，
[0028]
首先将判断组的左边界点分别设置成v
l
、v
l
+δv、
……
、v
r-2δv，以在粗精度上确定v
opt
所在的offset范围，则需要获取的判别组个数n1为：
[0029][0030]
进一步地，在步骤三中，
[0031]
在完成粗精度扫描后，共获取了n1个γ值，接下来进行细精度的扫描，设其中第i组的判别式γi取最小值，其左边界点的offset值是：
[0032][0033]
则可知，若在细京单独扫描中，某判别组的中心点的offset值是v
opt
，则该组的左边界点offset值的范围是将判别组以rrv偏移的最小步进δv
min
进行扫描，则细精度扫描需要进行的次数是：
[0034][0035]
在完成细精度扫描后，共获取了n2个γ值，加上粗精度扫描获取的offset在和处的两个γ值，构成一个n2+2位序列，编号为从0至n
2-1，设其中第j个的判别式γj取最小值，则细粒度扫描后得到的v
opt
的offset值为：
[0036][0037]
进一步地，在步骤三中，
[0038]
双级精度扫描过程中共执行的读取采样次数为：
[0039][0040]
即：
[0041][0042]
为获取v
opt
的真值，需要用最小步进δv
min
对[v
l
,vr]全范围进行扫描，则需要的读取次数是：
[0043][0044]
一种基于3d nand型闪存阈值电压分布对称性的优化读参考电压感知装置：
[0045]
所述装置包括：感知模块、判别模块和扫描模块；
[0046]
感知模块，用于首先执行一对相邻状态间v
opt
的感知，设扫描范围是[v
l
,vr]，读取所述一对相邻状态在v
opt
附近的ocd曲线，将三个采样点设为一个判别组，对ocd曲线进行滑动检索；
[0047]
判别模块，用于对于每个判别组，在获取三个采样点的ocd值后，计算该判别组的判别式γ，其用于衡量左右两个采样点关于中心点成中心对称的程度；
[0048]
扫描模块，用于采用双级精度的判别组滑动扫描，先进行粗精度扫描确定v
opt
所在的offset范围，再进行细精度扫描最终得到v
opt
的offset值。
[0049]
一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述方法的步骤。
[0050]
一种计算机可读存储介质，用于存储计算机指令，所述计算机指令被处理器执行时实现上述方法的步骤。
[0051]
本发明有益效果
[0052]
本发明采用通过感知目标页上1s计数分布中心对称点来获取优化参考电压，可以有效克服小粒度存储样本量阈值电压分布上噪声对优化参考电压感知的影响；
[0053]
本发明采用双级精度的扫描方法，仅需要少数几次的读取采样操作，引入的读取开销较少；
[0054]
本发明对处理读取样本的操作仅包含简单的代数和逻辑判断操作，采用三个大步进等间隔的采样点作为一个判别组，对每个判别组的中心对称程度做出评估，将具有最强中心对称性的判别组的中心点作为感知到的优化读参考电压，实现复杂度较低。
附图说明
[0055]
图1为现有的3d tlc型nand闪存的阈值电压分布示意图；
[0056]
图2为通过修改相邻状态间的读参考电压以减少读取数据误码率的示意图；
[0057]
图3为通过检索目标页上1s计数变化获取tvd的示意图；
[0058]
图4为真实芯片上的ocd和tvd示例图，其中(a)为在真实芯片上获取b和c状态间的ocd曲线图，(b)为在真实芯片上获取b和c状态间的tvd曲线图；
[0059]
图5为本发明在块粒度和层粒度的tvd中，依据最小值感知到的vopt和真实vopt的对比，其中(a)为块粒度，(b)为层粒度；
[0060]
图6为本发明基于tvd/ocd对称性感知v
opt
的策略，其中(a)为tvd对称性感知v
opt
的策略，(b)为ocd对称性感知v
opt
的策略；
[0061]
图7为本发明在ocd曲线上中心对称点的感知策略；
[0062]
图8为判别组在滑动扫描过程中获取的中心对称性评估序列；
[0063]
图9为双级精度扫描的vopt感知策略；
[0064]
图10为本发明提出的优化读参考电压感知方法示意图；
[0065]
图11为本发明分别以提出的方法与传统的方法逐层感知b和c状态间vopt的试验结果。
具体实施方式
[0066]
下面将结合本发明实施例中的附图对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0067]
结合图1至图11。
[0068]
合理设置读参考电压可以有效降低阈值电压分布漂移对存储可靠性带来的隐患，下面介绍配置v
opt
的原理，设相邻的一对状态其阈值电压分布分别满足f(v)和g(v)，则优化参考电压v
opt
满足：
[0069]
f(v
opt
)＝g(v
opt
)#(1)
[0070]
为了寻到该点，需要获取两相邻状态在交叠处的分布情况，而这在数据存储过程中没有原始写入数据文件的条件下是不易获取的，鉴于v
opt
附近处，f(v)和g(v)大体呈对称镜像分布，因而可以用v'
opt
代替v
opt
，v'
opt
满足：
[0071]f′
(v
′
opt
)＝-g
′
(v
′
opt
)#(2)
[0072]
即两个分布导数互为相反数的点，其同样满足：
[0073]
(f(v
′
opt
)+g(v
′
opt
))
′
＝0#(3)
[0074]
设h(v)＝f(v)+g(v)，即h(v)为相邻状态叠加后的分布，可知v'
opt
满足：
[0075]h′
(v
′
opt
)＝0#(4)
[0076]
即v'
opt
为h(v)中导数为0的点，同样是h(v)在v
opt
附近处的最小值点，而h(v)在数据存储过程中是很容易获取的，其也称为阈值电压分布(thresholdvoltage distribution，tvd)下面介绍其获取方式。
[0077]
目标页：现在主流的3d nand闪存芯片用格雷码对每个状态进行编码，即每对相邻
状态的编码间仅相差一个比特，目标页即该不同编码位所在的页类型，如图3所示，当修改某一对相邻状态的间的rrv并执行两次读取操作时，两次读取数据间会发生一定数量的状态翻转，其类型是y
→
x，具体来说，在rrv偏移区间内的胞元，在第一次读取时会被识别为y态，而在第二次读取中会被识别为x态，理论上可以认为，对于这两个状态编码相同的位所在的页类型，其上1s计数不会发生变化，而在目标页上则会发生与状态翻转相同数量的比特翻转。举例来说，假设相邻的状态是b(001)和c(101)，第一次读取后将b和c间的rrv向右偏移并执行第二次读取，则两次数据间对比可检索到一定量的c
→
b的状态翻转，对于低页和中页，其上的1s计数理论上不会发生变化，因为c
→
b在低页和中页上导致的比特翻转类型分别是1
→
1和0
→
0，而在高页上将检索到1s数量的减少，因为c
→
b在高页上导致的比特翻转类型是1
→
0，综上，在理论上可以认为，只要检索出rrv修改后目标页上1s计数的变化，即可获取该修改区间内相邻状态的叠加胞元数量。
[0078]
为获取一对相邻状态在交叠处的tvd，需要执行的操作是连续修改其间的rrv并统计目标页上的1s计数变化，在扫描操作执行完成后，可以获取扫描范围内的1s计数分布(ones count distribution，ocd)，按照式(5)或式(6)将ocd逐项做差，即可获得两状态叠加后的tvd，式(5)、(6)中v是用于扫描的rrv偏移量值(offset)，δv
min
是闪存内部电路偏移rrv的最小步进值，具体选用哪个式子取决于扫描过程中目标页上1s计数的变化方式。如从左向右扫描a、b两状态间的tvd(1s递增)，则选择式(5)，如从左向右扫描b、c两状态间的tvd(1s递减)，则选择式(6)。
[0079]
tvd(v)＝ocd(v+δv
min
)-ocd(v)#(5)
[0080]
tvd(v)＝ocd(v)-ocd(v+δv
min
)#(6)
[0081]
图4(a)、(b)分别是在真实芯片上获取b和c状态间的ocd和tvd曲线，该存储样本预先经历了5k次的磨损操作和常温下1年的驻留损失，写入数据为随机模式。
[0082]
对于块粒度的读取样本(块是闪存读写擦的最小单元)，其tvd上噪声较弱，体现为相对平滑的曲线，如图5(a)所示，因此，此时可以直接获取曲线上最小值点来感知v
opt
，在图5(a)中，真实的v
opt
是左偏22个δv
min
处，通过检索tvd最小值获取的v
opt
是左偏21个δv
min
处，二者是比较接近的，而对于层粒度的读取样本(层是闪存3d闪存工艺中的堆叠的基础物理单元，一个块由若干层堆叠而成)，其tvd上会体现出很强的噪声，如图5(b)所示，是一个层的tvd扫描结果，此时若通过获取获取曲线上最小值点来感知v
opt
，则局部的噪声可能会对v
opt
的感知引入较大误差，在图5(b)中，真实的v
opt
是左偏23个δv
min
处，通过检索tvd最小值获取的v
opt
是左偏15个δv
min
处，二者之间存在较大误差。
[0083]
由上述可知，对于小样本的读取量，由于tvd上的噪声较大，因而采样点若只包含一个δv
min
区间内的tvd，则噪声可能对v
opt
的感知造成很大影响，本方法提出的解决思路是，对读取样本的处理中，采样点应包含多个δv
min
区间内的tvd，这样可以在一定程度下减轻局部噪声的影响，此外，在对闪存进行读取的过程中，获取到的原始信息是ocd，tvd需要通过ocd两个连续样本点间差值获取，这会引入额外的读取开销，并提升了样本处理的复杂度，因而，本发明提出了一种基于ocd的v
opt
感知方法。
[0084]
如图5所示，传统的v
opt
感知方法基于获取tvd的最小值点，本发明提出的感知方法则是基于tvd在v
opt
附近处的对称性，如图6(a)所示，tvd在v
opt
处附近区间大体关于呈镜像对称，由式(5)、(6)可知，ocd在v
opt
处附近区间大体呈中心对称，因此，v
opt
的感知问题转化
为对ocd曲线的中心对称点的感知问题。
[0085]
一种基于3d nand型闪存阈值电压分布对称性的优化读参考电压感知方法：
[0086]
所述方法具体包括以下步骤：
[0087]
步骤一：首先执行一对相邻状态间v
opt
的感知，设扫描范围是[v
l
,vr]，读取所述一对相邻状态在v
opt
附近的ocd曲线，将三个采样点设为一个判别组，对ocd曲线进行滑动检索；
[0088]
步骤二：对于每个判别组，在获取三个采样点的ocd值后，计算该判别组的判别式γ，其用于衡量左右两个采样点关于中心点成中心对称的程度；
[0089]
步骤三：采用双级精度的判别组滑动扫描，先进行粗精度扫描确定v
opt
所在的offset范围，再进行细精度扫描最终得到v
opt
的offset值。
[0090]
首先，可以用大步进初步确定v
opt
处于红虚线划定的区间，之后再次小步进对该区间进行逐点扫描，确定v
opt
处于蓝虚线划定的区间，这样可以避免会上虚线划定区间内以小步进扫描造成的读取开销，同时不损失本发明对v
opt
的感知精度。
[0091]
在步骤一中，
[0092]
每个判别组通过三次采样获取的ocd构成，分别称为ocd
left
、ocd
right
和ocdcenter，设三个采样点间的offset差值为δv，其满足：
[0093]
δv＝s
·
δv
min
#(7)
[0094]
其中，s每个判别组的左右区间包含的最小步进数量。本实施例中s取值为16。
[0095]
在步骤二中，
[0096]
所述判别式γ的定义如下：
[0097]
γ＝|ocd
left
+ocd
right-2
×
ocd
center
|#(8)
[0098]
在[v
l
,vr]的扫描范围内，识别出γ取最小值的组，并认为该组中中心点的offset值为v
opt
；
[0099]
即，设对某存储数据样本的滑动扫描过程中，第k个判别组γk取最小值，则该判别组的左右端点offset值分别为v
lk
和v
rk
，则该存储数据样本的v
opt
为：
[0100]vopt
＝v
lk
+δv＝v
rk-δv#(9)。
[0101]
此外，γ在v
opt
附近呈现出良好的光滑性，如图8所示，γ的分布曲线上不存在明显的噪声，仅在，这源于每个γ是32个δv
min
区间内tvd的综合处理结果，其有效缓解了δv
min
区间内tvd的局部噪声对v
opt
感知的影响。
[0102]
综上，提出的感知方法可以有效克服小粒度存储样本中tvd上噪声大的问题，然而若对v
opt
附近进行逐点扫描，尽管可以获取精确的v
opt
，但也引入了较大的读取延迟；
[0103]
为了进一步降低感知方法的读取开销，本发明采用了双级精度的判别组滑动扫描设计，其大致原理如图9所示。
[0104]
在步骤三中，具体包括以下步骤：
[0105]
s1、以中心对称性判别组的形式粗精度扫描优化参考电压附近的1s计数分布，每个判别组由三个大步进等间隔的采样点构成；
[0106]
s2、对每个判别组的中心对称程度做出评估，并获取中心对称程度最好的组序号，及其左端点的读参考电压偏移量；
[0107]
s3、由s2确定的读参考电压偏移量获取细精度扫描的区间；
[0108]
s4、再次以中心对称性判别组的形式细精度滑动扫描s3中确定的区间；
[0109]
s5、对每个判别组的中心对称程度做出评估，并获取中心对称程度最好的组序号；
[0110]
s6、将s5中确定的判别组的中心点读参考电压偏移量作为感知到的v
opt
优化读参考电压。
[0111]
在步骤三中，
[0112]
对双级精度感知方法做以详细说明，首先将判断组的左边界点分别设置成v
l
、v
l
+δv、
……
、v
r-2δv，以在粗精度上确定v
opt
所在的offset范围，则需要获取的判别组个数n1为：
[0113][0114]
在完成粗精度扫描后，共获取了n1个γ值，接下来进行细精度的扫描，设其中第i组的判别式γi取最小值，其左边界点的offset值是：
[0115][0116]
则可知，若在细京单独扫描中，某判别组的中心点的offset值是v
opt
，则该组的左边界点offset值的范围是将判别组以rrv偏移的最小步进δv
min
进行扫描，则细精度扫描需要进行的次数是：
[0117][0118]
在完成细精度扫描后，共获取了n2个γ值，加上粗精度扫描获取的offset在和处的两个γ值，构成一个n2+2位序列，编号为从0至n
2-1，设其中第j个的判别式γj取最小值，则细粒度扫描后得到的v
opt
的offset值为：
[0119][0120]
双级精度扫描过程中共执行的读取采样次数为：
[0121][0122]
即：
[0123][0124]
为获取v
opt
的真值，需要用最小步进δv
min
对[v
l
,vr]全范围进行扫描，则需要的读取次数是：
[0125][0126]
在本次试验中，l取96个最小步进δv
min
，s的值为16，将其分别带入式(15)和式(16)，则可知提出的感知方法和标准感知方法的读取次数分别是38和97次，即读取开销降低了约61％。此外由上述描述可以看出，提出的方法对样本的处理过程仅包含简单的代数和逻辑判断操作，因而更方便于在实际场景下的使用。
[0127]
综上，图10展示了提出的基于阈值电压分布对称性的双级精度优化读参考电压感
知方法示意图：
[0128]
一种基于3d nand型闪存阈值电压分布对称性的优化读参考电压感知装置，其特征在于：
[0129]
所述装置包括：感知模块、判别模块和扫描模块；
[0130]
感知模块，用于首先执行一对相邻状态间v
opt
的感知，设扫描范围是[v
l
,vr]，读取所述一对相邻状态在v
opt
附近的ocd曲线，将三个采样点设为一个判别组，对ocd曲线进行滑动检索；
[0131]
判别模块，用于对于每个判别组，在获取三个采样点的ocd值后，计算该判别组的判别式γ，其用于衡量左右两个采样点关于中心点成中心对称的程度；
[0132]
扫描模块，用于采用双级精度的判别组滑动扫描，先进行粗精度扫描确定v
opt
所在的offset范围，再进行细精度扫描最终得到v
opt
的offset值。
[0133]
一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述方法的步骤。
[0134]
一种计算机可读存储介质，用于存储计算机指令，所述计算机指令被处理器执行时实现上述方法的步骤。
[0135]
提出的优化读参考电压感知效果验证：
[0136]
图11是按照三种方法逐层检索的b和c状态间的vopt，黑曲线为vopt真实值，蓝曲线是如图5所示传统方法中基于tvd最小值点感知到的vopt，红曲线是如图6所示本发明中基于ocd中心对称性感知到的vopt，可以看出，本发明的方法和真实值之间的误差是在可接受的范围内的，其均方根误差(rmse)为0.9158，传统方法与真值间存在较大的误差，其均方根误差(rmse)为3.1367，此外，如上所述，本发明的方法相对传统方法仅需更小的读取开销且对样本处理的复杂度也更低，综上，基于真实芯片的试验结果验证了提出的vopt感知策略的有效性。
[0137]
以上对本发明所提出的一种基于3d nand型闪存阈值电压分布对称性的优化读参考电压感知方法，进行了详细介绍，对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

技术特征：

1.一种基于3d nand型闪存阈值电压分布对称性的优化读参考电压感知方法，其特征在于：所述方法具体包括以下步骤：步骤一：首先执行一对相邻状态间v
opt
的感知，设扫描范围是[v
l
,v
r
]，读取所述一对相邻状态在v
opt
附近的ocd曲线，将三个采样点设为一个判别组，对ocd曲线进行滑动检索；步骤二：对于每个判别组，在获取三个采样点的ocd值后，计算该判别组的判别式γ，其用于衡量左右两个采样点关于中心点成中心对称的程度；步骤三：采用双级精度的判别组滑动扫描，先进行粗精度扫描确定v
opt
所在的offset范围，再进行细精度扫描最终得到v
opt
的offset值。2.根据权利要求1所述方法，其特征在于：在步骤一中，每个判别组通过三次采样获取的ocd构成，分别称为ocd
left
、ocd
right
和ocdcenter，设三个采样点间的offset差值为δv，其满足：δv＝s
·
δv
min
#(7)其中，s每个判别组的左右区间包含的最小步进数量。3.根据权利要求2所述方法，其特征在于：在步骤二中，所述判别式γ的定义如下：γ＝|ocd
left
+ocd
right-2
×
ocd
center
|#(8)在[v
l
,v
r
]的扫描范围内，识别出γ取最小值的组，并认为该组中中心点的offset值为v
opt
；即，设对某存储数据样本的滑动扫描过程中，第k个判别组γ
k
取最小值，则该判别组的左右端点offset值分别为v
lk
和v
rk
，则该存储数据样本的v
opt
为：v
opt
＝v
lk
+δv＝v
rk-δv#(9)。4.根据权利要求3所述方法，其特征在于：在步骤三中，具体包括以下步骤：s1、以中心对称性判别组的形式粗精度扫描优化参考电压附近的1s计数分布，每个判别组由三个大步进等间隔的采样点构成；s2、对每个判别组的中心对称程度做出评估，并获取中心对称程度最好的组序号，及其左端点的读参考电压偏移量；s3、由s2确定的读参考电压偏移量获取细精度扫描的区间；s4、再次以中心对称性判别组的形式细精度滑动扫描s3中确定的区间；s5、对每个判别组的中心对称程度做出评估，并获取中心对称程度最好的组序号；s6、将s5中确定的判别组的中心点读参考电压偏移量作为感知到的v
opt
。5.根据权利要求4所述方法，其特征在于：在步骤三中，首先将判断组的左边界点分别设置成v
l
、v
l
+δv、
……
、v
r-2δv，以在粗精度上确定v
opt
所在的offset范围，则需要获取的判别组个数n1为：6.根据权利要求5所述方法，其特征在于：在步骤三中，在完成粗精度扫描后，共获取了n1个γ值，接下来进行细精度的扫描，设其中第i组的判
别式γ
i
取最小值，其左边界点的offset值是：则可知，若在细精度扫描中，某判别组的中心点的offset值是v
opt
，则该组的左边界点offset值的范围是将判别组以rrv偏移的最小步进δv
min
进行扫描，则细精度扫描需要进行的次数是：在完成细精度扫描后，共获取了n2个γ值，加上粗精度扫描获取的offset在和处的两个γ值，构成一个n2+2位序列，编号为从0至n
2-1，设其中第j个的判别式γ
j
取最小值，则细粒度扫描后得到的v
opt
的offset值为：7.根据权利要求6所述方法，其特征在于：在步骤三中，双级精度扫描过程中共执行的读取采样次数为：即：为获取v
opt
的真值，需要用最小步进δv
min
对[v
l
,v
r
]全范围进行扫描，则需要的读取次数是：8.一种基于3d nand型闪存阈值电压分布对称性的优化读参考电压感知装置，其特征在于：所述装置包括：感知模块、判别模块和扫描模块；感知模块，用于首先执行一对相邻状态间v
opt
的感知，设扫描范围是[v
l
,v
r
]，读取所述一对相邻状态在v
opt
附近的ocd曲线，将三个采样点设为一个判别组，对ocd曲线进行滑动检索；判别模块，用于对于每个判别组，在获取三个采样点的ocd值后，计算该判别组的判别式γ，其用于衡量左右两个采样点关于中心点成中心对称的程度；扫描模块，用于采用双级精度的判别组滑动扫描，先进行粗精度扫描确定v
opt
所在的offset范围，再进行细精度扫描最终得到v
opt
的offset值。9.一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至7中任意一项所述方法的步骤。10.一种计算机可读存储介质，用于存储计算机指令，其特征在于，所述计算机指令被处理器执行时实现权利要求1至7中任意一项所述方法的步骤。

技术总结

本发明提出了一种基于3DNAND型闪存阈值电压分布对称性的优化读参考电压感知方法，首先执行一对相邻状态间V

技术研发人员：

魏德宝 吴艳 朴哲龙 乔立岩 冯骅 彭喜元

受保护的技术使用者：

哈尔滨工业大学

技术研发日：

2022.05.20

技术公布日：

2022/9/19