25.晶体电光效应 (1)

一、实验目的
1、测量LN晶体的半波电压
2、观察电光调制器的工作性质。
二、实验原理
电场施加在晶体上,会使晶体的折射率发生变化,这种现象称之为电光效应。下图为晶体电光调制原理示意图。
 
图中起偏器P偏振化方向平行于晶体的x轴,且与检偏器正交,波长为λ的光束沿z轴(光轴)入射,电场方向平行于x轴,x'、y'为晶体的感应轴,与x 、y轴成π/ 4角。当光束通过长为l的晶体后,偏振光x'、y'两分量间产生位相差
                                            (1)
式中n0r22d分别为晶体的O光折射率,电光系数及厚度,V为施加的直流电压。当δ=π时,施加的电压称为半波电压Vπ,因此时偏振光x'数控剪床.y'两分量间产生的光程差为λ/2。由式(1)
                                        (2)
则位相差可表为
                                (3)
偏振光x'.y'两分量复振幅可分别写为
                              (4)
通过检偏器的出射光,是此两分量在y轴上投影之和
                                                (5)
相应的输出光强I可写成
              (6)
光强透过率
由上式知透过率与电压的关系是非线性的。为了进行线性调制,在调制光路中加入一个波片,使其光轴与OP45°,则
                                      (7)
式中为V0直流偏压,Vm sinωt为交流调制信号。从上式可知,改变V0Vm ,输出特性将随之变化。当V0= Vπ/2,且Vm<<Vπ时,式(7)可近似为
                                                      (8)
TVm sinωt,此时调制器输出波形频率和调制频率相同,即线性调制。
三、实验仪器
LN晶体横向电光调制器,电光效应仪,示波器。
四、实验步骤
1、光路的调节
1.首先将起偏器P与检偏器A调节成相互垂直(即偏振方向相互正交),此时透过A的光强应为最小(如果PA都是理想的话,则应无光通过)。
2.将装有LN晶体的支架放在PA之间,调节LN支架,使LN晶体的光轴(z轴)与激光束平行。方法为:在A之后放一白纸,可看到,由于锥光干涉产生的十字阴影,使激光束处在黑十字阴影的正中时,就可以认为大体调好了。
3.调节LN晶体的感应主轴xyPA的偏振方向成45º夹角。调节方法可参考如下步骤:
首先在晶体上加上直流电压(约50V),然后使P颗粒冷却塔A向同一方向转过同样的角度,直到通过A的光强为最小时为止,记下此时PA度盘上的角度值。这时外加电压的变化不能改变透过A的光强。这样PA的方向与xy轴平行。然后当需要测量半波电压时,就使PA向同一方向转过45º,这样就调节完了。
4.将λ/4波片加入光路,在PA的方向与Xˊ和Yˊ轴平行的状态下,当晶体上不加电压时,旋转λ/4波片,使透过A的光强最小,此时波片的光轴与P平行或者成90º。记下此时波片刻度盘上的角度值。
5.当需要将调制器的工作点放在如图3中的电梯试验塔B点处,就将λ/4波片旋转45º。
2、测LN晶体的半波电压。
1)在光路调好的前提下,将光电探测器接于④→光电输入端,开关指向光功率。
2)将LN接于②→输出端。
3)打开电源开关①,则②③④数显表亮。
4)调节直流电压从0伏到约300V,每步间隔10V,记录每步光功率Io显示)及V(直流电压)数据。根据此组数据画出LN晶体Io—V曲线图,由图确定LN晶体的半波电压。
2.观察电光调制器的工作性质。
1)将②→输出端直流电压调为零,再将LN接于③→输出端。
2)将示波器连接于④→监测端,开关指向调解。
3)将λ/4波片加入光路,调节交变电压,在示波器上观察被交变电压调制的光强波形,看一看在什么情况下会发生畸变,畸变波形的特点是什么?
4)调节交变电压至一合适值,分别将工作点调到图3中的B点和抗氧化剂386O点处,在不同工作点上观察输出光强的波形。看看会发生什么现象? 智能美甲
3.语音信号传递
1)将③→输出端交流电压调为零,再将LN接于⑤→输出端。
2)将示波器连接于④→监测端,同时将开关置“解调、喇叭”位置。
3)调制信号⑤→信号源开关置“内”位置, 就可在示波器上看到语音信号的波形,同时听到语音信号。
将⑤→信号源开关置“外”位置,从⑤→外接信号端输入自备的音频信号(收音机或录音机信号)。就可在示波器上看到音频信号的波形,同时听到自备的音频信号。
五、数据表格
电压(V)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
光强Io
电压(V)
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
光强Io
电压(V)
200
210
220
230
240
250
260
270
280
290
光强Io
六、数据处理方法和要求
根据数据,以V为横坐标、Io为纵坐标作图,依次读出峰值与谷值对应的电压值V1,V2,……,则相邻值的差即为半波电压。用逐差法处理,求半波电压。
七、注意事项
1、开机、关机前及更换LN晶体所加电压时,均应将②和③中的电压调节旋纽逆时针旋到底,使②和③的数显表指示为零,避免触电。
2、连接晶体的电缆线两夹头不允许短接,避免造成仪器短路。
3220V,50Hz电源应稳定,如果有较大的波动,需配置交流稳压器及房间内不能有强空气对流,否则会引起氦氖激光器输出功率的波动,对测量半波电压不利。
八、思考题
1、从加直流电压前后屏上显现的晶体出射光强的变化,可判定晶体产生电光效应,其理由何在。
2、电光晶体调制器应满足什么条件方能使输出波形不失真。
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