晶体的电光效应—泡克尔斯效应

晶体电光效应—泡克尔斯效应
基本定义
某些各向同性的透明物质在电场作用下显示出光学各向异性,物质的折射率因外加电场而发生变化的现象为电光效应。电光效应包括泡克耳斯(Pockels)效应和克尔(Kerr)效应。电光效应是指某些各向同性的透明物质在电场作用下显示出光学各向异性的效应。泡克耳斯效应是指光介质在恒定或交变电场下产生光的双折射效应,这是一种线性电-光效应,其折射率的改变和所加电场的大小成正比。德国物理学家弗里德里斯·泡克耳斯于1893年研究发现的。但这种效应只存在缺少反演对称性的晶体中,例如铌酸锂(LiNbO3),钽酸锂(LiTaO3),硼酸钡(BBO),和砷化镓(GaAs)等,或存在其它非中心对称的介质,例如在电场极化高分子和玻璃中出现。电场极化高分子中含有特别设计的有机分子,它们具有比高非线性晶体高10倍的非线系数。泡克耳斯效应克尔效应的区别在于:泡克耳斯效应是与电场大小成正比,而克尔效应则是与电场大小的平方成比例的。
实验原理
某些晶体在外加电场中随着电场强度E的改变晶体折射率会发生改变门槛记这种现象称为电光效应一次电光效应只存在于不具有对称中心的晶体中二次电光效应则可能存在与任何物质中一次效应要比二次效应显著电光效应根据施加的电场方向与通光方向相对关系可分为总想电光效应和横向电光效应。利用纵向电光效应的调制,叫做纵向电光效应调制;利用横向电光效应的调制,叫做横向电光效应调制。晶体的一次电光效应分为纵向电光效应和横向电光效应两种。把加在晶体上的电场方向与光在晶体中的传播方向平行时产生的电光效应,成为纵向电光效应,通常以KDP类型晶体为代表。加在晶体上的电场方向与光在晶体里传播方向垂直时产生的电光效应,称为横向电光效应,以LiNbO3晶体简称LN晶体为代表家居智能系统>三基光源。
贴片式称重料位计
锰铁合金在本实验中,只研究LN晶体的横向电光效应调制性质,采用对LN晶体横向施加电场的方式来研究其电光效应。
实验总结
电光调制是利用晶体的双折射现象将入射的线偏振光分解成o光和n光,利用晶体的电光效应有电信号改变晶体的折射率,从而控制两个振动分量形成的相差ζ,再利用光的相干原智能装备与系统
理两束光叠加,从而实现光强度的调制。
生活应用
利用电光效应可以制作电光调制器,电光开关,电光光偏转器等,可用于光闸,激光器的Q开关和光波调制,并在高速摄影,光速测量,光通信和激光测距等激光技术中获得了重要应用.当加在晶体上的电场方向与通光方向平行,称为纵向电光调制(也称为纵向运用);当通光方向与所加电场方向相垂直,称为横向电光调制(也称为横向运用).利用电光效应可以实现对光波的振幅调制和位相调制

本文发布于:2024-09-22 22:26:23,感谢您对本站的认可!

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