实验报告 85
PB073210178 冯晨
【芯棒实验目的】
1、了解磁阻效应的基本原理及测量磁阻效应的方法；
3、画出锑化铟传感器电阻变化与磁感应强度的关系曲线，并进行相应的曲线和直线拟合；
【实验原理】
磁阻效应是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。和霍尔效应一样，磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到的洛仑兹力而产生的。若外加磁场与外加电场垂直，
称为横向磁阻效应；若外加磁场与外加电场平行，称为纵向磁阻效应。磁阻效应还与样品的形状有关，不同几何形状的样品，在同样大小的磁场作用下，其电阻不同，该效应称为几何磁阻效应。由于半导体的电阻率随磁场的增加而增加，有人又把该磁阻效应称为物理磁阻效应。目前，磁阻效应广泛应用于磁传感、磁力计、电子罗盘、位置和角度传感器、车辆探测、GPS导航、仪器仪表、磁存储（磁卡、硬盘）等领域。
一定条件下，导电材料的电阻值R随磁感应强度B变化规律称为磁阻效应。如图1所示，当半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受洛仑兹力的作用，发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍尔电场。如果霍尔电场作用和某一速度的载流子的洛仑兹力作用刚好抵消，则小于此速度的电子将沿霍尔电场作用的方向偏转，而大于此速度的电子则沿相反方向偏转，因而沿外加电场方向运动的载流子数量将减少，即沿电场方向的电流密度减小，电阻增大，也就是由于磁场的存在，增加了电阻，此现象称为磁阻效应。如果将图1中UH短路，磁阻效应更明显。因为在上述的情况里，磁场与外加电场垂直，所以该磁阻效应称为横向磁阻效应。
当磁感应强度平行于电流时，是纵向情况。若载流子的有效质量和弛豫时间与移动方向无
关，纵向磁感应强度不引起载流子漂移运动的偏转，因而没有纵向霍尔效应的磁阻。而对于载流子的有效质量和弛豫时间与移动方向有关的情形，若作用力的方向不在载流子的有效质量和弛豫时间的主轴方向上，此时，载流子的加速度和漂移移动方向与作用力的方向不相同，也可引起载流子漂移运动的偏转现象，其结果总是导致样品的纵向电流减小电阻增加。在磁感应强度与电流方向平行情况下所引起的电阻增加的效应，被称为纵向磁阻效应。
通常以电阻率的相对改变量来表示磁阻的大小，即用Δρ/ρ（0）表示。其中ρ（0）为零磁场时的电阻率，设磁电阻电阻值在磁感受应强度为B的磁场的电阻率为ρ（B），则Δρ=ρ（B）－ρ（0）。由于磁阻传感器电阻的相对变化率ΔR/ R（0）正比于Δρ/ρ（0），这里ΔR=R（B）－R（0）。因此也可以用磁阻传感器电阻的相对改变量ΔR/ R（0）来表示磁阻效应的大小。
测量磁电阻电阻值R与磁感应强度B的关系实验装置及线路如图2所示。尽管不同的磁阻装置有不同的灵敏度，但其电阻的相对变化率ΔR/ R（0）与外磁场的关系都是相似的。实验证明，磁阻效应对外加磁场的极性不灵敏，就是正负磁场的相应相同。一般情况下外加磁场较弱时，电阻相对变化率ΔR/ R（0）正比于磁感应强度B的二次方；随磁场的加强，ΔR/
R（0）与磁感应强度B呈线性函数关系；当外加磁场超过特定值时，ΔR/ R（0）与磁感应强度B的响应会趋于饱和。
另外，ΔR/ R（0）对总磁场的方向很灵敏，总磁场为外磁场与内磁场之和，而内磁场与磁阻薄膜的性质和几何形状有关。
图1 磁阻效应黑猎蝽 图2 测量磁电阻实验装置
【实验仪器】
实验采用DH4510磁阻效应实验仪，研究锑化铟（InSb）磁阻传感器的磁阻特性，图3为该仪器示意图
图3（a） 磁阻效应信号号源面板图
DH4510磁阻实验仪由信号源和测试架两部分组成。实验仪包括双路可调直流恒流源、电流表、数字式磁场强度计（毫特计）和磁阻电压转换测量表（毫
伏表）、控制电源等。测试架包括励磁线圈（含电磁铁）、锑化铟（InSb）磁阻传感器、GaAs霍尔传感器、转换继电器及导线等组成。仪器连接如图4所示。
【实验内容】
1、在锑化铟磁阻传感器工作电流保持不变的条件下，测量锑化铟磁阻传感器的电阻与磁感应强度的关系。作ΔR/ R（0）与B的关系曲线，并进行曲线拟合。
2、用磁阻传感器测量两个未知的磁场强度，与毫特计测得的磁场强度相比较，估算测量误差。
图3（b）磁阻效应测试架图
【实验步骤】
仪器开机前须将IM调节电位器、Is电流调节电位器逆时针方向旋到底。
1、确认接线正确完成后，打开交流电源，将信号源及测试架的切换开关都处于按上状态，这时将测试架上取出的霍尔电压信号输入到信号源，经内部处理转换成磁场强度由表头显示。
2、调节Is调节电位器让Is表头显示为1.00mA，然后调节IM，使磁场强度显示为10mT，记
下励磁电流值的大小。
3、按一下信号源及测试架上的切换开关，并保持Is表头显示应为1.00mA，测量并记录该磁场强度下对应的磁阻电压。
4、再按一下信号源及测试架上的切换开关，并调节IM调节电位器，使磁场强度显示为20mT，记下该磁场强度及对应的励磁电流值。测量并记录该磁场强度下对应的磁阻电压。
5、反复以上2~4的步骤，以10mT为步长直测到250mT，并记录于表一。
6、在B<=60mT时对ΔR/ R（0）作曲线拟合，求出R与B的关系。
7、在B>=120mT时对ΔR/ R（0）作曲线拟合，求出R与B的关系。
8、调节IM电流，使电磁铁产生两个未知的磁场强度（分别在两个区间上）。测量磁阻传感器的磁阻电压，根据求得的ΔR/ R（0）与B的关系曲线，求得磁场强度。
9、用仪器所配的毫特计测量该磁场强度，将测得的磁场强度作为准确值与磁阻传感器测得的磁场强度值与相比较，估算测量误差。
【实验表格】
表1.实验数据表 （Is=1mA）
电磁铁 | InSb | B~△R/R（0）对应关系 |
IM/mA | UR/mV | B/mT | R/Ω | △R/R（0） |
5 | 198 | 0 | 198.7 | 0 |
智能一体机20 | 200 | 10 | 200 | 0.006543 |
36 | 201.5 | 20 | 201.5 | 0.014092 |
51 | 205.3 | 带隙基准30.1 | 205.3 | 0.033216 |
66 | 207.6 | 40 | 207.6 | 0.044791 |
82 | 211.8推板炉 | 50 | 211.8 | 0.065929 | 微拟球藻
96 | 215.4 | 60.1 | 215.4 | 0.084046 |
112 | 220.6 | 70 | 220.6 | 0.110216 |
127 | 226.7 | 80 | 226.7 | 0.140916 |
143 | 233 | 90 | 233 | 0.172622 |
158 | 240.2 | 100 | 240.2 | 0.208858 |
173 | 247.9 | 110 | 247.9 | 0.247609 |
188 | 256.3 | 119.9 | 256.3 | 0.289884 |
204 | 265.2 | 130 | 265.2 | 0.334675 |
218 | 274.5 | 140 | 274.5 | 0.38148 |
234 | 284.2 | 150 | 284.2 | 0.430297 |
249 | 294.5 | 160 | 294.5 | 0.482134 |
264 | 305.2 | 170 | 305.2 | 0.535984 |
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