IR2104s半桥驱动芯片使用经验及注意事项

IR2104s半桥驱动芯⽚使⽤经验及注意事项多次使⽤IR2104s，每次的调试都有种让⼈吐⾎的冲动。现在将使⽤过程遇到的错误给⼤家分享⼀下，⽅便⼤家到思路。

⼀.⾃举电容部分（关键）

1、听说⾃举电路必须要安装场效应管，于是我在使⽤过程中，安装了只半桥的⾼端场效应管。

结果：⾼端驱动HO⽆输出信号

正确做法：⾃举电路回路是与半桥的下场效应管构成回路的，应该安装下场效应管，保险的做法是两个场效应管都安装

方形气囊2、⾃举电容采⽤104，⾃举⼆极管采⽤SS34 ，（这两种参数是我以前⽐赛的常见参数值，很⾃信）

测试条件：1K PWM

推拉式电磁铁结果：LO 有1K的PWM ，VS 有 1K PWM，上场效应管Ugs = 2V，

反思：以前⽐赛的时候，测试使⽤的是信号发⽣器给PWM，标准频率为10K。

正确办法：把输⼊PWM的频率改为 10K 。因为⾃举电容与⾃举回路的充放电频率有关，频率越⾼，⾃

生命晶石举电容越⼩。

3、买到假芯⽚引起错误激光发射器

有⼀次测试也是⾼端引起不正常，结果换⼀块芯⽚就正常了。

4、现象：IR2104s HO端对地测试的电压为PWM（⾼电平为2倍IR2104s的VCC，低电平为0）

IR2104s LO 端对地测试的电压为PWM（⾼电平为1倍IR2104s的VCC，低电平为0）

原因：这是很明显的⾃举参数不对，你测Vgs的电压应该是接近0的电平）

5、买到假的场效应引起错误。

⼆、驱动部分（共性）

1、驱动能⼒不⾜引起带负载能⼒不⾜，且效率低下。

自动润滑系统由于IR2104s的推挽电流为130mA/270mA，在做⼤功率电源开关器件的驱动的时候，由于驱动能⼒不⾜，会导致输出带负载能⼒不⾜。

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⽬前，IR公司的IR2184的驱动电流为1.4A/1.8A，HIP4081的驱动能⼒有2.5A，TI的UCC系列有4A的驱动。

理由：由于MOSFET的G，D，S两两之间存在寄⽣电容，他们的输⼊电容、输出电容和反向传输电容公式分别为

其中：Ciss与驱动设计有关，特别是驱动电流过⼩，充电时间慢。

Coss⽤于设计软开关，可能引起电路的谐振。

Crss影响开关的上升和下降时间。

本文发布于:2024-09-21 19:27:52，感谢您对本站的认可！

标签：电容驱动引起频率场效应管

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