半导体装置以及制造半导体装置的方法与流程

1.本公开大体上涉及电子装置，且更明确地说涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。

背景技术：

2.先前的半导体封装和形成半导体封装的方法是不适当的，例如从而使得成本过多、可靠性降低、性能相对较低或封装尺寸过大。通过比较这类方法与本公开内容且参考图式，所属领域的技术人员将显而易见常规和传统方法的其它限制和缺点。

技术实现要素：

3.在一实例中，一种半导体装置包括具有引线的衬底，所述引线包括引线端子、引线阶梯和引线偏移件，所述引线偏移件在引线阶梯之间延伸，使得至少一些引线阶梯驻留在不同平面上。第一电子组件耦合到第一引线阶梯侧，且包括第一电子组件第一侧和与第一电子组件第一侧相对的第一电子组件第二侧。第二电子组件耦合到第二引线阶梯侧，且包括第二电子组件第一侧和与第二电子组件第一侧相对的第二电子组件第二侧。密封物密封第一电子组件、第二电子组件和衬底的部分。引线端子从密封物的第一侧暴露。在半导体装置中，所述第一电子组件第一侧从所述密封物的第二侧暴露。在半导体装置中，所述第一引线阶梯侧为第一引线阶梯的顶侧；且所述第二引线阶梯侧为不同于所述第一引线阶梯的第二引线阶梯的底侧。半导体装置进一步包含：第三电子组件，其耦合到第三引线阶梯侧，其中：所述第三电子组件插入在所述第一电子组件与所述第二电子组件之间；且所述密封物密封所述第三半导体组件。在半导体装置中，每一引线包含连续件；且所述引线阶梯平行于彼此延伸。在半导体装置中，所述引线偏移件相对于所述引线阶梯成角度地布置；且所述角度中的一些为向下角度，使得朝向所述电子组件向内安置的所述引线阶梯中的一些低于从所述电子组件向外安置的其它引线阶梯。在半导体装置中，所述引线偏移件相对于所述引线阶梯成角度地布置；且所述角度为向上角度，使得朝向所述电子组件向内安置的所述引线阶梯高于从电子组件向外安置的所述引线阶梯。在半导体装置中，所述引线阶梯包含不同长度。在半导体装置中，所述引线端子从最外部引线阶梯的底侧向下延伸。在半导体装置中，所述引线包括第一引线；所述第一引线包含：第一引线端子；第一引线阶梯，其耦合到所述第一引线端子且位于第一平面上；第一引线偏移件，其耦合到所述第一引线阶梯；第二引线阶梯，其耦合到所述第一引线偏移件且位于所述第一平面上方的第二平面上；第二引线偏移件，其耦合到所述第二引线阶梯；以及第三引线阶梯，其耦合到所述第二引线偏移件且位于所述第二平面下方的第三平面上；且所述第一电子组件所耦合的所述第一引线阶梯侧为所述第二引线阶梯的顶侧。在半导体装置中，所述引线包括第二引线；所述第二引线包含：第二引线端子；第四引线阶梯，其耦合到所述第二引线端子且位于所述第一平面上；第三引线偏移件，其耦合到所述第四引线阶梯；第五引线阶梯，其耦合到所述第三引线偏移件且位于所述第二平面上；第四引线偏移件，其耦合到所述第五引线阶梯；以及第六引线阶
梯，其耦合到所述第四引线偏移件且位于所述第三平面上；且所述第二电子组件所耦合的所述第二引线阶梯侧为所述第六引线阶梯的顶侧。在半导体装置中，所述衬底包含桨叶，所述桨叶具有桨叶顶侧、与所述桨叶顶侧相对的桨叶底侧和具有延伸端子的桨叶延伸部；所述第一电子组件耦合到所述桨叶顶侧；所述第二电子组件耦合到所述桨叶底侧；且所述延伸端子从所述密封物的所述第一侧暴露。
4.在一实例中，半导体装置包括具有第一引线和第二引线的衬底。第一引线包括：第一引线端子；第一引线阶梯，其耦合到第一引线端子且驻留在第一平面上；第一引线偏移件，其耦合到第一引线阶梯；第二引线阶梯，其耦合到第一引线偏移件且驻留在不同于第一平面的第二平面上；第二引线偏移件，其耦合到第二引线阶梯；和第三引线阶梯，其耦合到第二引线偏移件且驻留在不同于第二平面的第三平面上。第二引线包括：第二引线端子；第四引线阶梯，其耦合到第二引线端子且驻留在第四平面上；第三引线偏移件，其耦合到第四引线阶梯；第五引线阶梯，其耦合到第三引线偏移件且驻留在不同于第四平面的第五平面上；第四引线偏移件，其耦合到第五引线阶梯；和第六引线阶梯，其耦合到第四引线偏移件且驻留在不同于第五平面的第六平面上。第一电子组件耦合到第一引线。第二电子组件耦合到第二引线。密封物密封第一电子组件、第二电子组件和衬底的部分。第一引线端子和第二引线端子从密封物的第一侧暴露。在半导体装置中，所述第三平面在所述第二平面下方；所述第六平面在所述第五平面下方；所述第一电子组件耦合到所述第二引线阶梯的顶侧；且所述第二电子组件耦合到所述第六引线阶梯的顶侧。在半导体装置中，所述第三平面在所述第二平面上方；所述第六平面在所述第五平面上方；所述第一电子组件耦合到所述第三引线阶梯的顶侧；且所述第二电子组件耦合到所述第五引线阶梯或所述第六引线阶梯中的一个的底侧。半导体装置进一步包含：第三电子组件，其耦合到所述第一引线或所述第二引线中的一或多个。
5.在一实例中，一种制造半导体装置的方法包括提供具有引线的衬底。引线包括引线端子、引线阶梯和引线偏移件，所述引线偏移件在引线阶梯之间延伸，使得至少一些引线阶梯驻留在不同平面上。方法包括将第一电子组件耦合到第一引线阶梯侧。第一电子组件包括第一电子组件第一侧和与第一电子组件第一侧相对的第一电子组件第二侧。方法包括将第二电子组件耦合到第二引线阶梯侧。第二电子组件包括第二电子组件第一侧和与第二电子组件第一侧相对的第二电子组件第二侧。方法包括提供密封第一电子组件、第二电子组件和衬底的部分的密封物，其中引线端子从密封物的第一侧暴露。在方法中，提供所述衬底包含提供桨叶，所述桨叶具有桨叶顶侧、与所述桨叶顶侧相对的桨叶底侧和具有延伸端子的桨叶延伸部；耦合所述第一电子组件包含将所述第一电子组件耦合到所述桨叶顶侧；且耦合所述第二电子组件包含将所述第二电子装置耦合到所述桨叶底侧。在方法中，提供所述密封物包含：密封所述桨叶且从暴露所述密封物的所述第一侧暴露所述延伸端子，以及从所述密封物暴露所述第一电子组件第一侧或所述第二电子组件第二侧中的一或多个。方法进一步包含：将第三电子组件耦合到第三引线阶梯侧，其中：提供所述密封物包含密封所述第三电子组件。
附图说明
6.图1a展示实例半导体装置的横截面图。
7.图1b展示实例半导体装置的立体图。
8.图1c展示实例半导体装置的仰视图。
9.图1d展示实例半导体装置的透明立体透明视图。
10.图2a、2b、2c、2d和2e展示用于制造实例半导体装置的实例方法的横截面图。
11.图3a、3b和3c展示实例半导体装置的横截面图。
12.图4a展示实例半导体装置的横截面图。
13.图4b展示实例半导体装置的立体图。
14.图4c展示实例半导体装置的仰视图。
15.图4d展示实例半导体装置的透明立体图。
16.图4e、4f和4g展示用于制造实例半导体装置的实例方法的横截面图。
17.图4h和4i展示实例半导体装置的横截面图。
18.图5a展示实例半导体装置的横截面图。
19.图5b展示实例半导体装置的立体图。
20.图5c展示实例半导体装置的仰视图。
21.图5d展示实例半导体装置的透明立体图。
22.图5e和5f展示用于制造实例半导体装置的实例方法的横截面图。
23.图5g和5h展示分别沿着图5d的参考线a和参考线b的实例半导体装置的横截面图。
具体实施方式
24.以下论述提供半导体装置的各种实例和制造半导体装置的方法。这类实例是非限制性的，且所附权利要求书的范围不应限于公开的特定实例。在以下论述中，术语“实例”和“例如”是非限制性的。
25.图式说明一般构造方式，且可能省略熟知特征和技术的描述和细节以避免不必要地混淆本公开。另外，绘制图式中的元件未必按比例绘制。举例来说，图式中的一些元件的尺寸可能相对于其它元件放大，以帮助改进对本公开中所论述的实例的理解。不同图式中的相同参考标号表示相同元件。
26.术语“或”意谓由“或”连接的列表中的项目中的任何一或多个。作为实例，“x或y”意谓三元素集合{(x),(y),(x,y)}中的任一元素。作为另一实例，“x、y或z”意谓七元素集合{(x),(y),(z),(x,y),(x,z),(y,z),(x,y,z)}中的任一元素。
27.术语“包含(comprises/comprising)”和/或“包括(includes/including)”是“开放”术语，且指定所陈述特征的存在，但不排除一或多个其它特征的存在或添加。
28.本文中可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但这些元件不应受到这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件相区分。因此，例如，在不脱离本公开的教示的情况下，可将本公开中论述的第一元件称为第二元件。
29.除非另外指定，否则术语“耦合”可用于描述彼此直接接触的两个元件或描述由一或多个其它元件间接耦合的两个元件。举例来说，如果元件a耦合到元件b，那么元件a可直接接触元件b或由介入元件c间接耦合到元件b。类似地，术语“在
……
上方”或“在
……
上”可用于描述彼此直接接触的两个元件或描述由一或多个其它元件间接耦合的两个元件。
30.本公开中包括其它实例。这类实例可在图式、权利要求书和/或本公开的描述中
到。
31.图1a展示实例半导体装置10的横截面图。图1b展示半导体装置10的立体图。图1c展示半导体装置10的仰视图。图1d展示在后期制造阶段时的半导体装置10的透视透明视图。在图1a到1d中所展示的实例中，半导体装置10可包含电子组件11和12、衬底15和密封物16。
32.电子组件11和12可包含组件互连件111和121。在一些实例中，衬底15可包含或称为引线框。在图1a中所展示的实例中，电子组件11和12可耦合到衬底15的顶部和底部部分。
33.衬底15、密封物16和组件互连件111和121可保护电子组件11和12免受外部因素和/或环境暴露的影响。衬底15和组件互连件111和121可提供外部组件与电子组件11和12之间的电耦合。
34.图2a、2b、2c、2d和2e展示用于制造实例半导体装置的实例方法的横截面图。图2a到2e为沿着图1d的线a-a截取的横截面图。
35.图2a展示在早期制造阶段时的电子装置10的横截面图。在图2a中所展示的实例中，电子组件11可具备组件互连件111。电子组件11可通过组件互连件111耦合到衬底15。在图2a中所展示的实例中，电子装置10可包含或称为半导体组件、半导体裸片、半导体芯片或半导体封装。在一些实例中，电子组件11可包含专用集成电路、逻辑裸片、微控制器单元、存储器、数字信号处理器、网络处理器、电源管理单元、音频处理器、rf电路、传感器或无线基带系统片上处理器中的至少一个。在一些实例中，电子组件11的主体可具有约80μm到约250μm的厚度。
36.在一些实例中，组件互连件111可位于或设置在电子组件11的第一侧处。在一些实例中，电子组件11的第一侧可称为电子组件11的前侧或有源侧，其中可定位装置结构。组件互连件111可为电子组件11的输入、输出、信号或电源端子。组件互连件111可耦合到衬底15。在一些实例中，组件互连件111可包含或称为裸片垫或接合垫。举例来说，组件互连件111可包含导电材料，诸如金属材料、铝、铜、铝合金或铜合金。在一些实例中，组件互连件111可包含导电球/凸块，诸如焊料球/凸块、导电柱(诸如cu柱)或具有焊料尖端的导电柱(诸如cu柱)。在一些实例中，组件互连件111可具有约40μm到约160μm的宽度，或约50μm到约90μm的厚度。
37.图2b示出在后期制造阶段时的半导体装置10的横截面图。在图2b中所展示的实例中，电子组件11可耦合到衬底15。在一些实例中，可通过回焊工艺或激光辅助接合工艺来实现电子组件11与衬底15的耦合。在一些实例中，衬底15可包含或称为引线框。
38.衬底15可包含彼此间隔开的引线151和152。在一些例子中，引线151和152可称为指状物。在一些实例中，衬底15可具有约100μm到约250μm的厚度。
39.引线151可包含引线阶梯151a、151b和151c、引线偏移件151x和151y，以及引线端子151z。引线阶梯151a、151b和151c、引线偏移件151x和151y以及引线端子151z可作为相同或连续件的部分彼此整合。在一些实例中，引线阶梯151a、151b、151c、引线偏移件151x、151y或引线端子151z可通过冲压、弯曲或刻蚀界定。
40.引线阶梯151a可大体上水平或大体上平行于电子组件11的第一侧延伸。引线阶梯151a的内部末端可面朝向电子组件11，且外部末端可面远离电子组件11。引线阶梯151a可通过连接杆耦合到相邻引线阶梯151a。引线阶梯151a可为驻留在第一平面(诸如，水平平
面)上的引线阶梯的实例，如图2b中大体上说明。
41.引线偏移件151x可耦合到引线阶梯151a的内部末端。引线偏移件151x的外部末端可耦合到引线阶梯151a的内部末端，且引线偏移件151x可向上成角度，使得引线偏移件151x的内部末端高于引线偏移件151x的外部末端。引线偏移件151x可相对于引线阶梯151a以预定角度布置。在一些实例中，引线偏移件151x可称为引线上升部(upset)。引线阶梯151b可耦合到引线偏移件151x的内部末端。
42.引线阶梯151b可大体上水平或大体上平行于引线阶梯151a延伸。引线阶梯151b的内部末端可面朝向电子组件11，且外部末端可面远离电子组件11。引线阶梯151b可具有小于引线阶梯151a的长度的长度。引线阶梯151b可为驻留在第二平面上的引线阶梯的实例，如图2b中大体上说明，所述第二平面不同于(例如，高于)如先前所描述的第一平面。
43.引线偏移件151y可耦合到引线阶梯151b的内部末端。引线偏移件151y的外部末端可耦合到引线阶梯151b的内部末端，且引线偏移件151y可向上成角度，使得引线偏移件151y的内部末端高于引线偏移件151y的外部末端。引线偏移件151y可相对于引线阶梯151b以预定角度布置。在一些实例中，引线偏移件151y可称为引线上升部。引线阶梯151c可耦合到引线偏移件151y的内部末端。
44.引线阶梯151c可大体上水平或大体上平行于引线阶梯151a延伸。引线阶梯151c的内部末端可面朝向电子组件11，且外部末端可面远离电子组件11。引线阶梯151c可具有等于或小于引线阶梯151b的长度的长度。组件互连件111可耦合到引线阶梯151c的顶侧。引线阶梯151c可为驻留在第三平面上的引线阶梯的实例，如图2b中大体上说明，所述第三平面不同于(例如，高于)先前所描述的第二平面。根据本发明的描述，引线偏移件151x和151y配置成在引线阶梯151a、151b与151c之间延伸，使得引线阶梯驻留在不同平面上，如图2b中大体上说明。引线阶梯151c的顶侧可为引线阶梯侧，诸如第一引线阶梯侧或第二引线阶梯侧的实例。
45.在一些实例中，引线端子151z可从引线阶梯151a的底侧向下延伸，接近引线阶梯151a的外部末端。引线端子151z可具有小于引线阶梯151a的长度的长度。
46.引线152可包含引线阶梯152a、152b和152c、引线偏移件152x和152y，以及引线端子152z。引线阶梯152a、152b和152c、引线偏移件152x和152y以及引线端子152z可作为相同或连续件的部分彼此整合。在一些实例中，引线阶梯152a、152b、152c、引线偏移件152x、152y或引线端子152z可通过冲压、弯曲或刻蚀界定。
47.引线阶梯152a可大体上水平或大体上平行于电子组件11的第一侧延伸。引线阶梯152a的内部末端可面朝向电子组件11，且外部末端可面远离电子组件11。引线阶梯152a可通过连接杆耦合到相邻引线阶梯152a。引线阶梯152a可为驻留在第四平面上的引线阶梯的实例，如图2b中大体上说明。在一些实例中，第四平面与先前所描述的第一平面相同。
48.引线偏移件152x可耦合到引线阶梯152a的内部末端。引线偏移件152x的外部末端可耦合到引线阶梯152a的内部末端，且引线偏移件152x可向上成角度，使得引线偏移件152x的内部末端高于引线偏移件152x的外部末端。引线偏移件152x可相对于引线阶梯152a以预定角度布置。在一些实例中，引线偏移件152x可称为引线上升部。引线阶梯152b可耦合到引线偏移件152x的内部末端。
49.引线阶梯152b可大体上水平或大体上平行于引线阶梯152a延伸。引线阶梯152b的
内部末端可面朝向电子组件11，且外部末端可面远离电子组件11。引线阶梯152b可具有小于引线阶梯152a的长度的长度。引线阶梯152b可为驻留在第五平面上的引线阶梯的实例，如2b图中大体上说明，所述第五平面可不同于(例如，高于)第四平面。在一些实例中，第五平面可与先前所描述的第二平面相同。
50.引线偏移件152y可耦合到引线阶梯152b的内部末端。引线偏移件152y的外部末端可耦合到引线阶梯152b的内部末端，且引线偏移件152y可向上成角度，使得引线偏移件152y的内部末端高于引线偏移件152y的外部末端。引线偏移件152y可相对于引线阶梯152b以预定角度布置。在一些实例中，引线偏移件152y可称为引线上升部。引线阶梯152c可耦合到引线偏移件152y的内部末端。
51.引线阶梯152c可大体上水平或大体上平行于引线阶梯152a延伸。引线阶梯152c的内部末端可面朝向电子组件11，且外部末端可面远离电子组件11。引线阶梯152c可具有等于或小于引线阶梯152b的长度的长度。组件互连件111可耦合到引线阶梯152c的顶侧。引线阶梯152c可为驻留在不同于(例如，高于)第五平面的第六平面上的引线阶梯的实例。在一些实例中，第六平面可与先前所描述的第三平面相同。根据本发明的描述，引线偏移件152x和152y配置成在引线阶梯152a、152b与152c之间延伸，因此引线阶梯驻留在不同平面上，如图2b中大体上说明。引线阶梯152c的顶侧可为引线阶梯侧，诸如第一引线阶梯侧或第二引线阶梯侧的实例。
52.在一些实例中，引线端子152z可从引线阶梯152a的底侧向下延伸，接近引线阶梯152a的外部末端。引线端子152z可具有小于引线阶梯152a的长度的长度。
53.图2c展示在后期制造阶段时的半导体装置10的截面图。在图2c中所展示的实例中，电子组件12可耦合到衬底15。在一些实例中，电子组件12的第一侧可耦合到衬底15。在一些实例中，电子组件12的第一侧可称为电子组件12的前侧或有源侧，其中可定位装置结构。电子组件12可包含耦合到引线151和152的引线阶梯151b和152b的组件互连件121。在一些实例中，可通过回焊工艺来紧固电子组件12与衬底15的耦合。在一些实例中，电子组件12可类似于电子组件11。在一些实例中，电子组件12和电子组件11可具有不同功能性。在一些实例中，电子组件12可具有约50μm到约160μm的厚度。在一些实例中，电子组件12的大小可不同于(例如，大于)电子组件11的大小。引线阶梯152b的底侧或引线阶梯151b的底侧可为引线阶梯侧，诸如第一引线阶梯侧或第二引线阶梯侧的实例。
54.图2d展示在后期制造阶段时的半导体装置10的横截面图。在图2d中所展示的实例中，在电子组件11和12耦合到衬底15之后，密封物16可密封电子组件11、组件12和衬底15。在一些实例中，密封物16可暴露电子组件11的第二侧或电子组件12的第二侧(参见图1b和1c)。在一些实例中，密封物16的顶侧可与电子组件11的第二侧大体上共平面(参见图1b)。在一些实例中，密封物16的底侧可与电子组件12的第二侧共平面(参见图1c)。在一些实例中，第一电子组件11的第二侧和电子组件12的第二侧可称为底侧或无源侧。引线端子151z和152z的底侧可暴露于密封物16的底侧(参见图1c)。在图2d中所展示的实例中，引线阶梯151a或引线阶梯152a的外侧末端可暴露于密封物16的侧边。
55.密封物16可包含或称为模制材料、保护材料、模制化合物或树脂。在一些实例中，密封物16可包含填充物增强聚合物、聚合物复合材料、环氧树脂、聚合物复合材料、具有填充物的环氧树脂、具有填充物的环氧丙烯酸酯，或硅酮树脂。举例来说，可使用压缩模制工
艺、转移模制工艺、膜辅助模制工艺、液相密封物模制工艺、真空层压工艺或糊浆印刷工艺来提供密封物16。在一些实例中，密封物16可具有约350μm到约1000μm的厚度。
56.图2e展示在后期制造阶段时的半导体装置10的横截面图。在图2e中所展示的实例中，可通过例如锯切将衬底15单分成个别半导体装置10。在一些实例中，可使用锯切工具，诸如金刚石刀片或激光束来执行锯切。可沿着密封物16与衬底15之间的边界线(由图2e的虚线指示)进行锯切。锯切工具可沿着边界线切割密封物16与衬底15之间的部分。在单切之后，衬底15可暴露于密封物16的侧边处。所暴露部分可为引线阶梯151a、152a的外侧末端，和衬底15的引线端子151z、152z的底侧。
57.图3a、3b和3c展示实例半导体装置10或其变体的不同横截面图。
58.图3a展示沿着图1d线b截取的横截面图。在图3a中所展示的实例中，半导体装置10的电子组件11可耦合到衬底15的引线153，但无需耦合到引线154。举例来说，电子组件11可通过组件互连件111耦合到引线153的引线阶梯153c。电子组件12可耦合到引线154，但无需耦合到引线153。举例来说，电子组件12可通过组件互连件112耦合到引线154的引线阶梯154b。引线阶梯153c的顶侧可为引线阶梯侧，诸如第一引线阶梯侧或第二引线阶梯侧的实例。引线阶梯154b的底侧可为引线阶梯侧，诸如第一引线阶梯侧或第二引线阶梯侧的实例。
59.图3b展示实例半导体装置10'的横截面图。半导体装置10'的特征、元件或制造可类似于关于图2a到2e所描述的那些特征、元件或制造。在图3b中所展示的实例中，半导体装置10'可包含电子组件11和12、组件互连件111和121、衬底15，以及密封物16。衬底15的引线阶梯153a、154a的侧边和引线端子153z、154z的底侧可从密封物16暴露。在一些实例中，电子组件11的顶侧无需从密封物16的顶侧暴露，或可由密封物16覆盖。在一些实例中，电子组件12的底侧无需从密封物16的底侧暴露，或可由密封物16覆盖。引线阶梯153c的顶侧或引线阶梯154c的顶侧可为引线阶梯侧，诸如第一引线阶梯侧或第二引线阶梯侧的实例。引线阶梯153b的底侧或引线阶梯154b的底侧可为引线阶梯侧，诸如第一引线阶梯侧或第二引线阶梯侧的实例。引线阶梯152b的顶侧可为引线阶梯侧，诸如第一引线阶梯侧或第二引线阶梯侧的实例。引线阶梯152b的底侧可为引线阶梯侧，诸如第一引线阶梯侧或第二引线阶梯侧的实例。
60.图3c展示实例半导体装置10”的横截面图。半导体装置10'的特征、元件或制造可类似于关于图2a到2e所描述的那些特征、元件或制造。在图3c中所展示的实例中，半导体装置10”可包含电子组件11、电子组件12、电子组件11与12之间的电子组件13、衬底15和密封物16。电子组件13可类似于电子组件11或电子组件12。组件互连件131可将电子组件13耦合到衬底15，例如耦合到引线阶梯153c。
61.在一些实例中，电子组件11可耦合到引线153，但无需耦合到引线154。电子组件11可通过组件互连件111耦合到引线153的引线阶梯153c。在一些实例中，电子组件12可耦合到引线154，但无需耦合到引线153。电子组件12可通过组件互连件121耦合到引线154的引线阶梯154b。电子组件13可安置在衬底15与电子组件12之间。在一些实例中，电子组件13可通过组件互连件131耦合到引线阶梯153c，但无需耦合到引线阶梯154c。在一些实例中，电子组件13可经由组件互连件131耦合到电子组件11，所述两个电子互连件均在引线阶梯153c处耦合到引线153。
62.在一些实例中，电子组件11的顶侧或电子组件12的底侧可从密封物16暴露。在一
些实例中，电子组件11的顶侧或电子组件12的底侧可由密封物16覆盖。密封物16可在电子组件13与电子组件12之间延伸，或可在电子组件13与电子组件11之间延伸。引线阶梯153c的顶侧可为引线阶梯侧，诸如第一引线阶梯侧或第二引线阶梯侧的实例。引线阶梯153c的底侧可为引线阶梯侧，诸如第一引线阶梯侧或第二引线阶梯侧的实例。引线阶梯154b的底侧可为引线阶梯侧，诸如第一引线阶梯侧或第二引线阶梯侧的实例。
63.图4a展示实例半导体装置20的横截面图。图4b展示实例半导体装置20的立体图。图4c展示实例半导体装置20的仰视图。图4d展示实例半导体装置20的透明立体图。半导体装置20的特征、元件或制造可类似于本公开的其它半导体装置或工艺(诸如图1到2的半导体装置10)的对应特征、元件或制造。
64.在图4a到4d中所展示的实例中，半导体装置20可包含电子组件11和12、衬底25和密封物16。电子组件11和12可分别包含组件互连件111和121。在一些实例中，衬底25可类似于衬底15。电子组件11和12可耦合到衬底25的顶侧和底侧。
65.衬底25和密封物16可保护电子组件11和12免于外部因素和/或环境暴露的影响。衬底25和组件互连件111和121可提供外部组件与电子组件11和12之间的电耦合。
66.图4e、4f和4g关于图4d的线a展示用于制造实例半导体装置20的实例方法的横截面图。
67.图4e展示在早期制造阶段时的电子装置20的横截面图。在图4e中所展示的实例中，电子组件11可通过互连件111耦合到衬底25。在一些实例中，可通过回焊工艺来实现电子组件11与衬底25的耦合。在一些实例中，衬底25可包含或称为引线框。
68.在图4e中所展示的实例中，衬底25可包含彼此相对安置的引线251和252。在一些实例中，引线251和252可具有彼此类似的形状。衬底25可包含引线251与引线252之间的桨叶(paddle)259。
69.引线251可包含引线阶梯151a和151b、引线偏移件151x和引线端子151z。引线阶梯151a和151b、引线偏移件151x和引线端子151z可作为相同或连续件的部分彼此整合。在一些实例中，引线251的不同特征可通过冲压、弯曲或刻蚀界定。
70.引线阶梯151a可大体上水平或大体上平行于电子组件11的第一侧延伸。引线阶梯151a的内部末端可面朝向电子组件11，且外部末端可面远离电子组件11。引线阶梯151a可通过连接杆耦合到相邻引线阶梯151a。
71.引线偏移件151x可耦合到引线阶梯151a的内部末端。引线偏移件151x的外部末端可耦合到引线阶梯151a的内部末端，且引线偏移件151x可向上成角度，使得引线偏移件151x的内部末端高于引线偏移件151x的外部末端。引线偏移件151x可相对于引线阶梯151a以预定角度布置。在一些实例中，引线偏移件151x可称为引线上升部。引线阶梯151b可耦合到引线偏移件151x的内部末端。
72.引线阶梯151b可大体上水平或大体上平行于引线阶梯151a延伸。引线阶梯151b的内部末端可面朝向电子组件11，且外部末端可面远离电子组件11。引线阶梯151b可具有小于引线阶梯151a的长度的长度。电子组件11的组件互连件111可耦合到引线阶梯151b的顶侧。
73.在一些实例中，引线端子151z可从引线阶梯151a的底侧向下延伸，接近引线阶梯151a的外部末端。引线端子151z可具有小于引线阶梯151a的长度的长度。
74.引线252可包含引线阶梯152a、152b、引线偏移件152x和引线端子152z。引线阶梯152a、152b、引线偏移件152x和引线端子152z可作为相同或连续件的部分彼此整合。在一些实例中，引线阶梯152a、152b、引线偏移件152x或引线端子152z可通过冲压、弯曲或刻蚀界定。
75.引线阶梯152a可大体上水平或大体上平行于电子组件11的第一侧延伸。引线阶梯152a的内部末端可面朝向电子组件11，且外部末端可面远离电子组件11。引线阶梯152a可通过连接杆耦合到相邻引线阶梯152a。
76.引线偏移件152x可耦合到引线阶梯152a的内部末端。引线偏移件152x的外部末端可耦合到引线阶梯152a的内部末端，且引线偏移件152x可向上成角度，使得引线偏移件152x的内部末端高于引线偏移件152x的外部末端。引线偏移件152x可相对于引线阶梯152a以预定角度布置。在一些实例中，引线偏移件152x可称为引线上升部。引线阶梯152b可耦合到引线偏移件152x的内部末端。
77.引线阶梯152b可大体上水平或大体上平行于引线阶梯152a延伸。引线阶梯152b的内部末端可面朝向电子组件11，且外部末端可面远离电子组件11。引线阶梯152b可具有小于引线阶梯152a的长度的长度。组件互连件111可耦合到引线阶梯152b的顶侧。
78.在一些实例中，引线端子152z可从引线阶梯152a的底侧向下延伸，接近引线阶梯152a的外部末端。引线端子152z可具有小于引线阶梯152a的长度的长度。
79.在一些实例中，可通过冲压或刻蚀部分衬底25来提供桨叶259。在一些实例中，桨叶259可与引线阶梯151b和152b大体上共平面。在一些实施方案中，桨叶259可包含接地平面。电子组件11的组件互连件111可耦合到桨叶259的顶侧。桨叶259可包含用于接地的延伸部2591(参见图4d)。在一些实例中，延伸部2591可称为连接杆或指状物。延伸部2591可布置成与引线(图4e的251和252；图4h的253和254)间隔开。在一些实例中，桨叶259可按矩形形状设置，且延伸部2591可耦合到桨叶259的顶点。
80.图4f展示在后期制造阶段时的半导体装置20的横截面图。在图4f中所展示的实例中，电子组件12可耦合到衬底25的底侧和桨叶259的底侧。电子组件12可包含组件互连件121。组件互连件121可耦合到引线251、252的引线阶梯151b、152b，或耦合到桨叶259。在一些实例中，电子组件12的底侧可与引线端子151z、152z的底侧共平面。在一些实例中，可通过回焊工艺来实现电子组件12与衬底25的耦合。在一些实例中，电子组件12可类似于电子组件11。在其它实例中，电子组件11和12可具有不同功能性。在一些实例中，电子组件11可经由相应组件互连件111、121耦合到电子组件12，所述组件互连件在引线阶梯151b处耦合到引线251，或在引线阶梯152b处耦合到引线252。引线阶梯151b的顶侧可为引线阶梯侧，诸如第一引线阶梯侧或第二引线阶梯侧的实例。引线阶梯151b的底侧可为引线阶梯侧，诸如第一引线阶梯侧或第二引线阶梯侧的实例。引线阶梯152b的顶侧可为引线阶梯侧，诸如第一引线阶梯侧或第二引线阶梯侧的实例。引线阶梯152b的底侧可为引线阶梯侧，诸如第一引线阶梯侧或第二引线阶梯侧的实例。
81.图4g展示在后期制造阶段时的半导体装置20的横截面图。在图4g中所展示的实例中，在电子组件11和12耦合到衬底25之后，密封物16可密封电子组件11和12以及衬底25。此后，可通过锯切或单切将衬底25分离成个别半导体装置20。图4g的制造阶段可类似于针对图2d和2e的制造阶段所描述的制造阶段。在图4g中所展示的实例中，密封物16可暴露电子
组件11的顶侧和电子组件12的底侧(参见图4b和4c)。在一些实例中，密封物16的顶侧可与电子组件11的顶侧大体上共平面(参见图4b)。在一些实例中，密封物16的底侧可与电子组件12的底侧共平面(参见图4c)。引线端子151z、152z的底侧可暴露于密封物16的底侧处(参见图4c)。在单切之后，引线阶梯151a、152a的外侧末端可暴露于密封物16的侧边处。
82.图4h展示沿着图4d线b截取的横截面图。如图4h图中所见，电子组件11可耦合到引线253和桨叶259，但无需耦合到引线254。在一些实例中，电子组件11可通过组件互连件111耦合到引线253的引线阶梯153b和桨叶259。电子组件12可耦合到引线254和桨叶259，但无需耦合到引线253。在一些实例中，电子组件12可通过互连件121耦合到引线254的引线阶梯154b和桨叶259。
83.图4i展示沿着图4d线c截取的横截面图。如图4i中所展示，电子组件11和12可耦合到桨叶259。在一些实例中，电子组件11可通过组件互连件111耦合到桨叶259，且电子组件12可通过组件互连件121耦合到桨叶259。
84.衬底25可包含桨叶259和各自分别具有延伸端子2591z和2592z的延伸部2591和2592。在一些实例中，延伸部2591和2592可称为连接杆或指状物。延伸部2591和2592可类似于引线251、252、253和254，但耦合到桨叶259。桨叶259以及延伸部2591和2592可作为相同或连续件的部分彼此整合。在一些实例中，桨叶259可安置在电子组件11与电子组件12之间，且可与电子组件11和12平行。延伸部2591可耦合到桨叶259的一端，且延伸部2592可耦合到桨叶259的另一端。延伸部2591和2592的顶侧可安置成低于桨叶259。在一些实例中，延伸部2591和延伸部2592可彼此对称。延伸端子2591z可设置在延伸部2591下，且延伸端子2592z可设置在延伸部2592下。延伸端子2591z和2592z的底侧可暴露于密封物16的底侧处。延伸端子2591z和2592z的外侧末端可暴露于密封物16的侧边处。
85.图5a展示实例半导体装置30的横截面图。图5b展示实例半导体装置30的立体图。图5c展示实例半导体装置30的仰视图。图5d展示实例半导体装置30的透明立体图。半导体装置30的特征、元件或制造可类似于本公开的其它半导体装置或工艺(诸如图1到4的半导体装置10或20)的对应特征、元件或制造。
86.在图5a到5d中所展示的实例中，半导体装置30可包含电子组件11和12、衬底35和密封物16。电子组件11和12可分别包含组件互连件111和121。在一些实例中，衬底35可类似于衬底15或25。电子组件11和12可耦合到衬底35的顶侧。
87.衬底35和密封物16可保护电子组件11和12免于外部因素和/或环境暴露的影响。衬底35和组件互连件111和121可提供外部组件与电子组件11和12之间的电耦合。
88.图5e、5f、5g和5h关于图5d的线a(用于图5e、5f和5g)且关于图5d的线b(用于图5h)展示用于制造实例半导体装置30的实例方法的横截面图。
89.图5e展示在早期制造阶段时的电子装置30的横截面图。在图5e中所展示的实例中，具有组件互连件121的电子组件12可耦合到衬底35。在一些实例中，可通过回焊工艺来实现电子组件12与衬底35的耦合。在一些实例中，衬底35可包含或称为引线框。在一些实例中，引线351或引线352的顶侧的一部分可高于电子组件12的底侧。
90.在图5e中所展示的实例中，衬底25可包含彼此相对安置的引线351和352。引线351和352可具有彼此类似的形状。
91.引线351可包含引线阶梯151a、151b和351c、引线偏移件151x和351y，以及引线端
子151z。引线阶梯151a、151b和351c、引线偏移件151x和351y以及引线端子151z可作为相同或连续件的部分彼此整合。在一些实例中，引线阶梯151a、151b、351c、引线偏移件151x、351y或引线端子351z可通过冲压、弯曲或刻蚀界定。
92.引线阶梯151a可大体上水平或大体上平行于电子组件11的第一侧延伸。引线阶梯151a的内部末端可面朝向电子组件11，且外部末端可面远离电子组件11。引线阶梯151a可通过连接杆耦合到相邻引线阶梯151a。引线阶梯151a可为驻留在第一平面(诸如，水平平面)上的引线阶梯的实例，如图5e中大体上说明。
93.引线偏移件151x可耦合到引线阶梯151a的内部末端。引线偏移件151x的外部末端可耦合到引线阶梯151a的内部末端，且引线偏移件151x可向上成角度，使得引线偏移件151x的内部末端高于引线偏移件151x的外部末端。引线偏移件151x可相对于引线阶梯151a以预定角度布置。在一些实例中，引线偏移件151x可称为引线上升部。
94.引线阶梯151b可耦合到引线偏移件151x的内部末端。引线阶梯151b可大体上水平或大体上平行于引线阶梯151a延伸。引线阶梯151b的内部末端可面朝向电子组件11，且外部末端可面远离电子组件11。引线阶梯151b可具有小于引线阶梯151a的长度的长度。引线阶梯151b可为驻留在第二平面上的引线阶梯的实例，如图5e中大体上说明，所述第二平面不同于(例如，高于)如先前所描述的第一平面。
95.引线偏移件351y可耦合到引线阶梯151b的内部末端。引线偏移件351y的外部末端可耦合到引线阶梯151b的内部末端，且引线偏移件351y可向下成角度，使得引线偏移件351y的内部末端低于引线偏移件351y的外部末端。引线偏移件351y可相对于引线阶梯151b以预定角度布置。在一些实例中，引线偏移件351y可称为引线下凹部(downset)。
96.引线阶梯351c可耦合到引线偏移件351y的内部末端。引线阶梯351c可大体上水平或大体上平行于引线阶梯151a延伸。引线阶梯351c的内部末端可面朝向电子组件11，且外部末端可面远离电子组件11。引线阶梯351c可具有等于或小于引线阶梯151b的长度的长度。组件互连件111可耦合到引线阶梯351c的顶侧。引线阶梯351c可为驻留在第三平面上的引线阶梯的实例，如图5e中大体上说明，所述第三平面不同于(例如，高于)先前所描述的第二平面。在实例中，第三平面可与第一平面相同。
97.在一些实例中，引线端子151z可从引线阶梯151a的底侧向下延伸，接近引线阶梯151a的外部末端。引线端子151z可具有小于引线阶梯151a的长度的长度。
98.引线352可包含引线阶梯152a、152b和352c、引线偏移件152x和352y，以及引线端子152z。引线阶梯152a、152b和352c、引线偏移件152x和352y以及引线端子152z可作为相同或连续件的部分彼此整合。在一些实例中，引线阶梯152a、152b、352c、引线偏移件152x、152y或引线端子352z可通过冲压、弯曲或刻蚀界定。
99.引线阶梯152a可大体上水平或大体上平行于电子组件11的第一侧延伸。引线阶梯152a的内部末端可面朝向电子组件11，且外部末端可面远离电子组件11。引线阶梯152a可通过连接杆耦合到相邻引线阶梯152a。引线阶梯152a可为驻留在第四平面(诸如，水平平面)上的引线阶梯的实例，如图5e中大体上说明。在一些实例中，第四平面可与第一平面相同。
100.引线偏移件152x可耦合到引线阶梯152a的内部末端。引线偏移件152x的外部末端可耦合到引线阶梯152a的内部末端，且引线偏移件152x可向上成角度，使得引线偏移件
152x的内部末端高于引线偏移件152x的外部末端。引线偏移件152x可相对于引线阶梯152a以预定角度布置。在一些实例中，引线偏移件152x可称为引线上升部。
101.引线阶梯152b可耦合到引线偏移件152x的内部末端。引线阶梯152b可大体上水平或大体上平行于引线阶梯152a延伸。引线阶梯152b的内部末端可面朝向电子组件11，且外部末端可面远离电子组件11。引线阶梯152b可具有小于引线阶梯152a的长度的长度。引线阶梯152b可为驻留在第五平面上的引线阶梯的实例，如图5e中大体上说明，所述第五平面不同于(例如，高于)如先前所描述的第四平面。在一些实例中，第五平面可与第三平面相同。
102.引线偏移件352y可耦合到引线阶梯152b的内部末端。引线偏移件352y的外部末端可耦合到引线阶梯152b的内部末端，且引线偏移件352y可向下成角度，使得引线偏移件352y的内部末端低于引线偏移件352y的外部末端。引线偏移件352y可相对于引线阶梯152b以预定角度布置。在一些实例中，引线偏移件352y可称为引线下凹部。
103.引线阶梯352c可耦合到引线偏移件352y的内部末端。引线阶梯352c可大体上水平或大体上平行于引线阶梯152a延伸。引线阶梯352c的内部末端可面朝向电子组件11，且外部末端可面远离电子组件11。引线阶梯352c可具有等于或小于引线阶梯152b的长度的长度。组件互连件111可耦合到引线阶梯352c的顶侧。引线阶梯352c可为驻留在第六平面上的引线阶梯的实例，如图5e中大体上说明，所述第六平面不同于(例如，高于)如先前所描述的第五平面。在一些实例中，第六平面可与第三平面相同。
104.在一些实例中，引线端子152z可从引线阶梯152a的底侧向下延伸，接近引线阶梯152a的外部末端。引线端子152z可具有小于引线阶梯152a的长度的长度。
105.图5f展示在后期制造阶段时的半导体装置30的横截面图。在图5f中所展示的实例中，电子组件11可定位在电子组件12上方且耦合到衬底35。在一些实例中，电子组件11可耦合到引线阶梯151b和152b的顶侧。在一些横截面中，电子组件11可具有比电子组件12大的宽度。在一些实例中，电子组件11和电子组件12可耦合。在一些实例中，电子组件11可经由耦合到引线351或引线352的相应组件互连件111和121耦合到电子组件12。引线阶梯151b的顶侧可为引线阶梯侧，诸如第一引线阶梯侧或第二引线阶梯侧的实例。引线阶梯351c的顶侧可为引线阶梯侧，例如第一引线阶梯侧或第二引线阶梯侧的实例。引线阶梯152b的顶侧可为引线阶梯侧，诸如第一引线阶梯侧或第二引线阶梯侧的实例。引线阶梯352c的顶侧可为引线阶梯侧，诸如第一引线阶梯侧或第二引线阶梯侧的实例。
106.图5g展示在后期制造阶段时的半导体装置30的横截面图。在图5g中所展示的实例中，在电子组件11和12耦合到衬底35之后，密封物16可密封电子组件11和12以及衬底25。衬底35和密封物16可单切成界定个别半导体装置30。图5g的制造阶段可类似于图2d到2e的制造阶段。在一些实例中，电子组件11的顶侧可从密封物16暴露(参见图5b)。在一些实例中，电子组件11的顶侧可由密封物16覆盖。在一些实例中，密封物16可填充电子组件11与电子组件12之间的空间。引线端子151z和152z的底侧可从密封物16的底侧暴露(参见图5c)。引线端子151z、152z的底侧可暴露于密封物16的底侧处(参见图5c)。在单切之后，引线阶梯151a、152a的外侧末端可暴露于密封物16的侧边处。
107.图5h展示沿着图5d线b截取的横截面图。如图5h图中所见，电子组件11可耦合到引线354，但无需耦合到引线353。在一些实例中，电子组件11可通过组件互连件111耦合到引
线354的引线阶梯154b。电子组件12可耦合到引线353，但无需耦合到引线354。在一些实例中，电子组件12可通过互连件121耦合到引线353的引线阶梯353c。
108.本公开包括参考某些实例，然而，所属领域的技术人员应理解，可在不脱离本公开的范围的情况下作出各种改变且可取代等效物。举例来说，可使用额外的引线阶梯和引线偏移件。另外，可以在不脱离本公开的范围的情况下对所公开实例作出修改。因此，希望本公开不限于所公开的实例，而是本公开将包括属于所附权利要求书的范围内的所有实例。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：衬底，其包含引线，所述引线包含：引线端子；引线阶梯；以及引线偏移件，其在所述引线阶梯之间延伸，使得至少一些引线阶梯位于不同平面上；第一电子组件，其耦合到第一引线阶梯侧，所述第一电子组件包含：第一电子组件第一侧；以及第一电子组件第二侧，其与所述第一电子组件第一侧相对；第二电子组件，其耦合到第二引线阶梯侧，所述第二电子组件包含：第二电子组件第一侧；以及第二电子组件第二侧，其与所述第二电子组件第一侧相对；以及密封物，其密封所述第一电子组件、所述第二电子组件和所述衬底的部分，其中：所述引线端子从所述密封物的第一侧暴露。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第一电子组件第一侧从所述密封物的第二侧暴露。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第一引线阶梯侧为第一引线阶梯的顶侧；且所述第二引线阶梯侧为不同于所述第一引线阶梯的第二引线阶梯的底侧。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包含：第三电子组件，其耦合到第三引线阶梯侧，其中：所述第三电子组件插入在所述第一电子组件与所述第二电子组件之间；且所述密封物密封所述第三半导体组件。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：每一所述引线包含连续件；且所述引线阶梯平行于彼此延伸。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述引线偏移件相对于所述引线阶梯成角度地布置；且所述角度中的一些为向下角度，使得朝向所述电子组件向内安置的所述引线阶梯中的一些低于从所述电子组件向外安置的其它所述引线阶梯。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述引线偏移件相对于所述引线阶梯成角度地布置；且所述角度为向上角度，使得朝向所述电子组件向内安置的所述引线阶梯高于从电子组件向外安置的所述引线阶梯。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述引线阶梯包含不同长度。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述引线端子从最外部引线阶梯的底侧向下延伸。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述引线包括第一引线；所述第一引线包含：第一引线端子；第一引线阶梯，其耦合到所述第一引线端子且位于第一平面上；第一引线偏移件，其耦合到所述第一引线阶梯；第二引线阶梯，其耦合到所述第一引线偏移件且位于所述第一平面上方的第二平面上；第二引线偏移件，其耦合到所述第二引线阶梯；以及第三引线阶梯，其耦合到所述第二引线偏移件且位于所述第二平面下方的第三平面上；且所述第一电子组件所耦合的所述第一引线阶梯侧为所述第二引线阶梯的顶侧。11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于：所述引线包括第二引线；所述第二引线包含：第二引线端子；第四引线阶梯，其耦合到所述第二引线端子且位于所述第一平面上；第三引线偏移件，其耦合到所述第四引线阶梯；第五引线阶梯，其耦合到所述第三引线偏移件且位于所述第二平面上；第四引线偏移件，其耦合到所述第五引线阶梯；以及第六引线阶梯，其耦合到所述第四引线偏移件且位于所述第三平面上；且所述第二电子组件所耦合的所述第二引线阶梯侧为所述第六引线阶梯的顶侧。12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述衬底包含桨叶，所述桨叶具有桨叶顶侧、与所述桨叶顶侧相对的桨叶底侧和具有延伸端子的桨叶延伸部；所述第一电子组件耦合到所述桨叶顶侧；所述第二电子组件耦合到所述桨叶底侧；且所述延伸端子从所述密封物的所述第一侧暴露。13.一种半导体装置，其特征在于，包含：衬底，其包含第一引线和第二引线，其中：所述第一引线包含：第一引线端子；第一引线阶梯，其耦合到所述第一引线端子且位于第一平面上；第一引线偏移件，其耦合到所述第一引线阶梯；第二引线阶梯，其耦合到所述第一引线偏移件且位于不同于所述第一平面的第二平面上；第二引线偏移件，其耦合到所述第二引线阶梯；以及第三引线阶梯，其耦合到所述第二引线偏移件且位于不同于所述第二平面的第三平面上；所述第二引线包含：
第二引线端子；第四引线阶梯，其耦合到所述第二引线端子且位于第四平面上；第三引线偏移件，其耦合到所述第四引线阶梯；第五引线阶梯，其耦合到所述第三引线偏移件且位于不同于所述第四平面的第五平面上；第四引线偏移件，其耦合到所述第五引线阶梯；以及第六引线阶梯，其耦合到所述第四引线偏移件且位于不同于所述第五平面的第六平面上；第一电子组件，其耦合到所述第一引线；第二电子组件，其耦合到所述第二引线；以及密封物，其密封所述第一电子组件、所述第二电子组件和所述衬底的部分，其中：所述第一引线端子和所述第二引线端子从所述密封物的第一侧暴露。14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于：所述第三平面在所述第二平面下方；所述第六平面在所述第五平面下方；所述第一电子组件耦合到所述第二引线阶梯的顶侧；且所述第二电子组件耦合到所述第六引线阶梯的顶侧。15.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于：所述第三平面在所述第二平面上方；所述第六平面在所述第五平面上方；所述第一电子组件耦合到所述第三引线阶梯的顶侧；且所述第二电子组件耦合到所述第五引线阶梯或所述第六引线阶梯中的一个的底侧。16.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，进一步包含：第三电子组件，其耦合到所述第一引线或所述第二引线中的一或多个。17.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：提供包含引线的衬底，所述引线包含：引线端子；引线阶梯；以及引线偏移件，其在所述引线阶梯之间延伸，使得至少一些所述引线阶梯位于不同平面上；将第一电子组件耦合到第一引线阶梯侧，所述第一电子组件包含：第一电子组件第一侧；以及第一电子组件第二侧，其与所述第一电子组件第一侧相对；将第二电子组件耦合到第二引线阶梯侧，所述第二电子组件包含：第二电子组件第一侧；以及第二电子组件第二侧，其与所述第二电子组件第一侧相对；提供密封所述第一电子组件、所述第二电子组件和所述衬底的部分的密封物，其中：所述引线端子从所述密封物的第一侧暴露。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于：提供所述衬底包含提供桨叶，所述桨叶具有桨叶顶侧、与所述桨叶顶侧相对的桨叶底侧和具有延伸端子的桨叶延伸部；耦合所述第一电子组件包含将所述第一电子组件耦合到所述桨叶顶侧；且耦合所述第二电子组件包含将所述第二电子装置耦合到所述桨叶底侧。19.根据权利要求17所述的方法，其特征在于：提供所述密封物包含：密封所述桨叶且从暴露所述密封物的所述第一侧暴露所述延伸端子，以及从所述密封物暴露所述第一电子组件第一侧或所述第二电子组件第二侧中的一或多个。20.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，进一步包含：将第三电子组件耦合到第三引线阶梯侧，其中：提供所述密封物包含密封所述第三电子组件。

技术总结

半导体装置以及制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种半导体装置包括具有引线的衬底，引线包括引线端子、引线阶梯和引线偏移件，引线偏移件在引线阶梯之间延伸，使得至少一些引线阶梯驻留在不同平面上。第一电子组件耦合到第一引线阶梯侧，且包括第一电子组件第一侧和与第一电子组件第一侧相对的第一电子组件第二侧。第二电子组件耦合到第二引线阶梯侧，且包括第二电子组件第一侧和与第二电子组件第一侧相对的第二电子组件第二侧。密封物密封第一电子组件、第二电子组件和衬底的部分。引线端子从密封物的第一侧暴露。线端子从密封物的第一侧暴露。线端子从密封物的第一侧暴露。

技术研发人员：

贝俊明 邱黄俊 李胜吴

受保护的技术使用者：

安靠科技新加坡控股私人有限公司

技术研发日：

2022.05.18

技术公布日：

2022/11/24