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存储装置及其操作方法与流程

存储装置及其操作方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年10月16日提交的申请号为10-2020-0134660的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体并入本文。
技术领域
3.本公开总体涉及一种电子装置，并且更特别地，涉及一种存储装置及其操作方法。

背景技术：

4.存储装置是在诸如计算机或智能电话的主机装置的控制下存储数据的装置。存储装置可以包括用于存储数据的存储器装置和用于控制存储器装置的存储器控制器。存储器装置被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。
5.易失性存储器装置是仅当供应电力时才存储数据并且当电力供应中断时所存储的数据消失的存储器装置。易失性存储器装置可以包括静态随机存取存储器(sram)、动态随机存取存储器(dram)等。
6.非易失性存储器装置是即使当电力供应中断时数据也不会消失的存储器装置。非易失性存储器装置可以包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除rom(eerom)、闪速存储器等。

技术实现要素：

7.本公开的各个实施例提供一种执行改进的温度管理操作的存储装置以及该存储装置的操作方法。
8.根据本公开的一个方面，提供了一种存储装置，包括：存储器装置，包括温度传感器；以及存储器控制器，被配置为从存储器装置获取由温度传感器在每个温度管理周期感测的温度信息，根据温度信息来执行限制存储器装置的性能的性能限制操作，通过使用温度信息来计算温度管理周期，并且通过使用关于性能限制操作的性能历史的历史信息来更新温度管理周期。
9.根据本公开的另一方面，提供了一种操作存储装置的方法，该存储装置包括温度传感器，该方法包括：获取由温度传感器在每个温度管理周期感测的温度信息；根据温度信息来执行限制存储装置的性能的性能限制操作；通过使用温度信息来计算温度管理周期的最小周期和最大周期；并且通过使用关于性能限制操作的性能历史的历史信息、最小周期和最大周期来更新温度管理周期。
10.根据本公开的又一方面，提供了一种存储装置，包括：存储器装置，包括温度传感器；以及存储器控制器，被配置为：执行温度管理操作，该温度管理操作包括从存储器装置获取由温度传感器感测的温度信息的温度获取操作，以及根据温度信息来限制存储器装置的性能的性能限制操作，其中该存储器控制器：基于关于在该温度管理操作之前执行的第一温度管理操作的先前温度信息和关于该第一温度管理操作的时间信息，来计算每单位时
间的温度变化；基于该每单位时间的温度变化，来计算待在该温度管理操作之后执行的第二温度管理操作的第一执行时间和第二执行时间；并且通过使用温度信息、执行性能限制操作的累计次数、第一执行时间和第二执行时间，来确定第二温度管理操作的最终执行时间。
附图说明
11.现在将在下文中参照附图更充分地描述各个实施例；然而，它们可以以不同的形式实现，并且不应该被解释为限于本文所阐述的实施例。相反，提供这些实施例是为了使本公开将是彻底且完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达这些实施例的范围。
12.在附图中，为了清楚说明，可以夸大尺寸。将理解的是，当元件被称为在两个元件“之间”时，两个元件之间可以仅存在一个元件，或者也可以存在一个或多个中间元件。相同的附图标记始终指代相同的元件。
13.图1是示出根据本公开的实施例的存储装置的框图。
14.图2是示出根据本公开的实施例的存储器装置的框图。
15.图3是示出根据本公开的实施例的温度传感器的框图。
16.图4是示出根据本公开的实施例的多个温度管理操作的示图。
17.图5是示出根据本公开的实施例的温度管理操作的示图。
18.图6是示出根据本公开的实施例的存储器控制器的框图。
19.图7是示出根据本公开的实施例的多个温度范围的示图。
20.图8是示出根据本公开的实施例的存储装置的操作方法的流程图。
21.图9是示出根据本公开的另一实施例的存储器控制器的框图。
22.图10是示出根据本公开的实施例的存储块的示图。
23.图11是示出根据本公开的实施例的存储卡系统的示图。
24.图12是示出根据本公开的实施例的固态驱动器(ssd)的示图。
25.图13是示出根据本公开的实施例的用户系统的示图。
具体实施方式
26.本文中所公开的特定结构或功能描述仅是说明性的，以用于描述根据本公开的实施例的目的。根据本公开的实施例可以以各种形式实施，并且不能被解释为限于本文所阐述的实施例。
27.图1是示出根据本公开的实施例的存储装置的框图。
28.参照图1，存储装置1000可以包括存储器装置100和存储器控制器200。
29.存储装置1000可以是用于在诸如以下的主机2000的控制下存储数据的装置：移动电话、智能电话、mp3播放器、膝上型计算机、台式计算机、游戏机、显示装置、平板pc或者车载信息娱乐系统。
30.可以根据作为与主机2000的通信方案的主机接口，将存储装置1000制造为各种类型的存储装置中的任意一种。例如，存储装置1000可以利用诸如以下的各种类型的存储装置中的任意一种来实施：固态驱动器(ssd)、多媒体卡(mmc)、嵌入式mmc(emmc)、缩小尺寸的mmc(rs-mmc)、微型mmc(micro-mmc)、安全数字(sd)卡、迷你sd卡、微型sd卡、通用串行总线
(usb)存储装置、通用闪存(ufs)装置、紧凑型闪存(cf)卡、智能媒体卡(smc)、记忆棒等。
31.存储装置1000可以被实施为各种类型的封装类型中的任意一种。例如，存储装置1000可以被实施为诸如以下的各种类型的封装类型中的任意一种：堆叠封装(pop)、系统级封装(sip)、片上系统(soc)、多芯片封装(mcp)、板上芯片(cob)、晶圆级制造封装(wfp)和晶圆级堆叠封装(wsp)。
32.存储器装置100可以存储数据或使用所存储的数据。存储器装置100在存储器控制器200的控制下操作。而且，存储器装置100可以包括多个存储器管芯，并且多个存储器管芯中的每一个可以包括存储器单元阵列，存储器单元阵列包括用于存储数据的多个存储器单元。
33.存储器单元中的每一个可以被配置为存储一个数据位的单层单元(slc)、存储两个数据位的多层单元(mlc)、存储三个数据位的三层单元(tlc)或存储四个数据位的四层单元(qlc)。
34.存储器单元阵列可以包括多个存储块。每个存储块可以包括多个存储器单元，并且一个存储块可以包括多个页面。页面可以是用于将数据存储在存储器装置100中或读取存储在存储器装置100中的数据的单位。
35.存储器装置100可以被实施为双倍数据速率同步动态随机存取存储器(ddr sdram)、第四代低功耗双倍数据速率(lpddr4)sdram、图形双倍数据速率(gddr)sram、低功耗ddr(lpddr)、rambus动态随机存取存储器(rdram)、nand闪速存储器、垂直nand闪速存储器、nor闪速存储器、电阻随机存取存储器(rram)、相变随机存取存储器(pram)、磁阻随机存取存储器(mram)、铁电随机存取存储器(fram)、自旋转移扭矩随机存取存储器(stt-ram)等。在本说明书中，为了便于描述，描述了存储器装置100是nand闪速存储器的情况。
36.存储器装置100可以从存储器控制器200接收命令和地址。存储器装置100可以访问存储器单元阵列中的、由所接收的地址选择的区域。当存储器装置100访问所选择的区域时，这可表示存储器装置100对所选择的区域执行与所接收的命令相对应的操作。例如，存储器装置100可以执行写入操作(编程操作)、读取操作和擦除操作。编程操作可以是存储器装置100将数据记录在由地址选择的区域中的操作。读取操作可表示存储器装置100从由地址选择的区域中读取数据的操作。擦除操作可表示存储器装置100擦除存储在由地址选择的区域中的数据的操作。
37.根据本公开的实施例，存储器装置100可以包括温度传感器140。而且，存储器装置100可以响应于在每个温度管理周期从存储器控制器200接收的温度信息请求，将由温度传感器140感测的温度信息传输到存储器控制器200。温度信息可以是与由温度传感器140感测的温度相对应的代码code。具体地，温度传感器140可以被实施为数字温度感测电路，以将所感测的温度转换为作为数字信号的代码code，然后输出代码code。也就是说，温度传感器140可以输出与温度相对应的代码，并且将所输出的代码传输到存储器装置100或存储器控制器200。
38.而且，温度传感器140可以响应于从存储器装置100或存储器控制器200传输的命令(例如，温度信息请求)来感测存储器装置100或存储装置1000的温度，并且输出与所感测的温度相对应的温度信息。可选地，温度传感器140可以执行以下操作：感测存储器装置100或存储装置1000的温度并且根据恒定时间，而不管从存储器装置100或存储器控制器200传
输的命令，来输出温度信息。具体地，温度传感器140可以根据恒定周期来执行感测温度并且输出温度信息的操作，并且存储器装置100可以存储从温度传感器140输出的温度信息。当存储器装置100从存储器控制器200接收到温度信息请求时，存储器装置100可以将所存储的温度信息传输到存储器控制器200。
39.存储器控制器200可以控制存储装置1000的全部操作。当向存储装置1000供应电力时，存储器控制器200可以运行固件(fw)。fw可以包括接收从主机2000输入的请求或向主机2000输出响应的主机接口层(hil)、管理主机2000的接口和存储器装置100的接口之间的操作的闪存转换层(ftl)、以及向存储器装置100提供命令或从存储器装置100接收响应的闪存接口层(fil)。
40.存储器控制器200可以从主机2000接收数据和逻辑地址(la)，并且将la转换成物理地址(pa)，该pa表示包括存储器装置100中的、待存储数据的存储器单元的地址。la可以是逻辑块地址(lba)，并且pa可以是物理块地址(pba)。
41.存储器控制器200可以响应于来自主机2000的请求，控制存储器装置100以执行编程操作、读取操作、擦除操作等。在编程操作中，存储器控制器200可以向存储器装置100提供编程命令、pba和数据。在读取操作中，存储器控制器200可以向存储器装置100提供读取命令和pba。在擦除操作中，存储器控制器200可以向存储器装置100提供擦除命令和pba。
42.存储器控制器200可以控制存储器装置100以自主地执行编程操作、读取操作或擦除操作，而不管来自主机2000的任何请求。例如，存储器控制器200可以控制存储器装置100以执行编程操作、读取操作或擦除操作，以用于执行诸如损耗均衡、垃圾收集或读取回收的后台操作。
43.主机2000可以使用诸如以下的各种通信接口中的至少一种与存储装置1000通信：通用串行总线(usb)、串行at附件(sata)、高速芯片间(hsic)、小型计算机系统接口(scsi)、火线、外围组件互连(pci)、高速pci(pcie)、高速非易失性存储器(nvme)、通用闪存(ufs)、安全数字(sd)、多媒体卡(mmc)、嵌入式mmc(emmc)、双列直插式存储器模块(dimm)、寄存式dimm(rdimm)和低负载dimm(lrdimm)。
44.此外，尽管在图1中示出了温度传感器140包括在存储器装置100中的情况，但是这仅仅是本公开的实施例，并且温度传感器140可以以下形式来实施：将温度传感器140附接到存储器装置的外部，或者将温度传感器140实施为单独的电子装置。
45.图2是示出根据本公开的实施例的存储器装置的框图。
46.参照图2，存储器装置100可以包括存储器单元阵列110、外围电路120、控制逻辑130和温度传感器140。
47.存储器单元阵列110包括多个存储块blk1至blkz。多个存储块blk1至blkz通过行线rl连接到行解码器121。行线rl可以包括至少一个源极选择线、多个字线和至少一个漏极选择线。多个存储块blk1至blkz通过位线bl1至bln连接到页面缓冲器组123。多个存储块blk1至blkz中的每一个包括多个存储器单元。在实施例中，多个存储器单元可以是非易失性存储器单元。连接到相同字线的存储器单元可以被定义为一个页面。因此，一个存储块可以包括多个页面。
48.存储器单元阵列110中包括的存储器单元中的每一个可以被配置为存储一个数据位的单层单元(slc)、存储两个数据位的多层单元(mlc)、存储三个数据位的三层单元(tlc)
或存储四个数据位的四层单元(qlc)。
49.外围电路120可以被配置为在控制逻辑130的控制下，对存储器单元阵列110中的所选择的区域执行编程操作、读取操作或擦除操作。也就是说，外围电路120可以在控制逻辑130的控制下驱动存储器单元阵列110。例如，外围电路120可以在控制逻辑130的控制下向行线rl和位线bl1至bln施加各种工作电压或释放所施加的电压。
50.具体地，外围电路120可以包括行解码器121、电压生成器122、页面缓冲器组123、列解码器124、输入/输出电路125和感测电路126。
51.行解码器121可以通过行线rl连接到存储器单元阵列110。行线rl可以包括至少一个源极选择线、多个字线和至少一个漏极选择线。在实施例中，字线可以包括普通字线和虚设字线。在实施例中，行线rl可以进一步包括管道选择线。
52.行解码器121可以在控制逻辑130的控制下操作。行解码器121可以从控制逻辑130接收行地址radd。具体地，行解码器121可以对行地址radd进行解码。行解码器121根据经解码的地址来选择存储块blk1至blkz之中的至少一个存储块。而且，行解码器121可以根据经解码的地址来选择所选择的存储块中的至少一个字线，以将由电压生成器122生成的电压施加到该至少一个字线wl。
53.例如，在编程操作中，行解码器121可以将编程电压施加到所选择的字线，并且将电平低于编程电压的电平的编程通过电压施加到未选择的字线。在编程验证操作中，行解码器121可以将验证电压施加到所选择的字线，并且将高于验证电压的验证通过电压施加到未选择的字线。在读取操作中，行解码器121可以将读取电压施加到所选择的字线，并且将高于读取电压的读取通过电压施加到未选择的字线。
54.在实施例中，可以以存储块为单位执行存储器装置100的擦除操作。在擦除操作中，行解码器121可以根据经解码的地址选择一个存储块。在擦除操作中，行解码器121可以将接地电压施加到与所选择的存储块连接的字线。
55.电压生成器122可以在控制逻辑130的控制下操作。具体地，电压生成器122可以在控制逻辑130的控制下，通过使用供应给存储器装置100的外部电源电压来生成多个电压。例如，电压生成器122可以在控制逻辑130的控制下，生成编程电压、验证电压、通过电压、读取电压、擦除电压等。也就是说，电压生成器122可以响应于操作信号opsig而生成在编程操作、读取操作和擦除操作中使用的各种工作电压vop。
56.在实施例中，电压生成器122可以通过调节外部电源电压来生成内部电源电压。由电压生成器122生成的内部电源电压可以用作存储器单元阵列110的操作电压。
57.在实施例中，电压生成器122可以通过使用外部电源电压或内部电源电压来生成多个电压。例如，电压生成器122可以包括用于接收内部电源电压的多个泵浦电容器，并且在控制逻辑130的控制下通过选择性地激活多个泵浦电容器来生成多个电压。另外，多个所生成的电压可以通过行解码器121而供应给存储器单元阵列110。
58.页面缓冲器组123可以包括第一至第n页面缓冲器pb1至pbn。第一至第n页面缓冲器pb1至pbn可以分别通过第一至第n位线bl1至bln连接到存储器单元阵列110。而且，第一至第n位线bl1至bln可以在控制逻辑130的控制下操作。具体地，第一至第n位线bl1至bln可以响应于页面缓冲器控制信号pbsignals而操作。例如，在读取操作或验证操作中，第一至第n页面缓冲器pb1至pbn可以临时存储通过第一至第n位线bl1至bln接收的数据，或感测位
线bl1至bln的电压或电流。
59.具体地，在编程操作中，当将编程电压施加到所选择的字线时，第一至第n页面缓冲器pb1至pbn可以通过第一至第n位线bl1至bln来将通过输入/输出电路125接收的数据data传送到所选择的存储器单元。可以根据所传送的数据data对所选择的页面中的存储器单元进行编程。连接到被施加编程允许电压(例如，接地电压)的位线的存储器单元可以具有增加的阈值电压。连接到被施加编程禁止电压(例如，电源电压)的位线的存储器单元的阈值电压可以被保持。
60.在编程验证操作中，第一至第n页面缓冲器pb1至pbn可以通过第一至第n位线bl1至bln而从所选择的存储器单元读取页面数据。
61.在读取操作中，在列解码器124的控制下，第一至第n页面缓冲器pb1至pbn可以通过第一至第n位线bl1至bln而从所选择的页面中的存储器单元读取数据data，并且将所读取的数据data输出到输入/输出电路125。
62.在擦除操作中，第一至第n页面缓冲器pb1至pbn可以使第一至第n位线bl1至bln浮置。
63.列解码器124可以响应于列地址cadd而在输入/输出电路125和页面缓冲器组123之间通信数据。例如，列解码器124可以通过数据线dl与第一至第n页面缓冲器pb1至pbn通信数据，或者通过列线cl与输入/输出电路125通信数据。
64.输入/输出电路125可以将从存储器控制器200接收的命令cmd和地址add传送到控制逻辑130，或者与列解码器124交换数据data。
65.在读取操作或验证操作中，感测电路126可以响应于允许位vrybit信号而生成参考电流，并且通过比较从页面缓冲器组123接收的感测电压vpb和由参考电流生成的参考电压来输出通过信号pass或失败信号fail。
66.控制逻辑130可以通过响应于命令cmd和地址addr而输出操作信号opsig、行地址radd、页面缓冲器控制信号pbsignals和允许位vrybit来控制外围电路120。而且，控制逻辑130可以响应于通过信号pass或失败信号fail来确定验证操作已经通过还是已经失败。而且，控制逻辑130可以控制页面缓冲器组123以将包括通过信号pass或失败信号fail的验证信息临时存储在页面缓冲器组123中。具体地，控制逻辑130可以响应于通过信号pass或失败信号fail来确定存储器单元的编程状态。例如，当存储器单元作为三层单元(tlc)操作时，控制逻辑130可以确定存储器单元的编程状态是否是擦除状态e或第一编程状态p1至第七编程状态p7中的一个。
67.根据本公开的实施例，控制逻辑130可以响应于从存储器控制器200接收的温度信息请求来控制温度传感器140的操作。温度传感器140可以响应于从控制逻辑130提供的温度传感器控制信号dtssig，输出与所感测的温度相对应的温度信息temp。可以在每个预定周期，将温度传感器控制信号dtssig传输到温度传感器140。例如，可以在存储器控制器200的每个温度管理周期生成温度传感器控制信号dtssig，以传输到温度传感器140。
68.此外，尽管在图2中示出了温度传感器140位于存储器装置100的内部的情况，但是温度传感器140可以以温度传感器140位于存储器装置100的外部的形式来实施。将参照图3详细描述温度传感器140的配置和操作。
69.图3是示出根据本公开的实施例的温度传感器的框图。
70.参照图3，温度传感器140可以包括温度电压生成器141和温度代码生成器143。温度传感器140可以响应于温度传感器控制信号dtssig而输出与所感测的温度相对应的温度信息temp。可以在每个预定周期生成温度传感器控制信号dtssig。
71.温度电压生成器141可以响应于所接收的温度传感器控制信号dtssig而生成温度电压和参考电压。具体地，通过使用从图2所示的电压生成器122接收的电压，温度电压生成器141可以生成温度电压vctat和参考电压vref，其中温度电压vctat具有根据温度而确定的电压电平，并且参考电压vref具有不管温度变化的恒定电平。
72.具体地，由温度电压生成器141生成的温度电压vctat是与温度相对应的电压，并且可以是电压电平根据温度变化而增加或减少的电压。温度电压生成器141可以包括阈值电压根据温度变化而变化的晶体管或电阻值根据温度变化而变化的电阻器。而且，温度电压生成器141可以通过使用阈值电压根据温度变化而变化的晶体管或电阻值根据温度变化而变化的电阻器来生成温度电压vctat。
73.由温度电压生成器141生成的参考电压vref可以是不管温度变化而具有恒定电压电平的电压。具体地，参考电压vref可以包括作为相对较高电压的vref+和作为相对较低电压的vref-。另外，温度电压生成器141可以以包括带隙电压生成电路或维德拉(widlar)电压生成电路的形式来实施，这使得电压具有不管温度变化的恒定电位。
74.温度代码生成器143可以基于从温度电压生成器141接收的温度电压vctat和参考电压vref来生成代码code。温度电压vctat和参考电压vref可以具有与存储器装置100的温度相对应的模拟值，并且代码code可以具有与温度信息相对应的数字值。也就是说，温度代码生成器143可以被实施为模数转换器(adc)，该adc将作为模拟信号的温度电压vctat和参考电压vref转换成作为数字信号的代码code。
75.随着位数变得更大，可以以更高的分辨率实施代码code。分辨率可以指实际内部温度与所生成的代码表示的温度之间的差。例如，在分辨率较低的情况下，当实际内部温度为5℃时，代码可以表示为0，而当实际内部温度为10℃时，代码可以表示为1。另一方面，在分辨率较高的情况下，当实际内部温度为5℃时，代码可以表示为0，而当实际内部温度为10℃时，代码可以表示为5。也就是说，由于随着分辨率变得更高，在相同温度差下所输出的代码之间的差变得更大，因此实际内部温度与所生成的代码所表示的温度之间的差变小，并且可以准确地表示与该代码相对应的实际内部温度。
76.图4是示出根据本公开的实施例的多个温度管理操作的示图。
77.参照图4，示出了第(n-1)温度管理操作s410，第n温度管理操作s420和第(n+1)温度管理操作s430。温度管理操作可以是管理存储装置1000的内部温度的操作。具体地，当存储装置1000执行内部操作时，存储装置1000的内部操作可能会增加。而且，当存储装置1000的内部操作变得过多时，存储装置1000的组件可能被损坏，并且存储装置1000的操作很可能将发生劣化。因此，温度管理操作可以是管理存储装置1000的内部温度，以防止当存储装置1000的内部温度变得较高时发生的损坏和劣化的操作。
78.存储装置1000可以执行温度管理操作，该温度管理操作包括获取由温度传感器140感测的温度信息的温度获取操作和根据所获取的温度信息来限制存储装置1000的性能的性能限制操作。也就是说，性能限制操作可以是当存储装置1000的内部温度变得过高时，限制存储装置1000的内部操作，以使得降低存储装置1000的内部温度的操作。例如，存储装
置1000可以通过暂停在存储装置1000中执行的操作的全部或一部分，来控制流入到存储装置1000中的总电流量。存储装置1000控制总电流量，以防止存储装置1000的内部温度过度过热的情况。可选地，存储装置1000可以降低内部操作的处理速度(例如，每单位时间的时钟数量)，以防止存储装置1000的内部温度过度过热的情况。
79.然而，温度管理操作的频繁执行可能导致不必要的电力浪费，并且存储装置1000的性能开销会由于温度管理操作的执行而降低。根据本公开的实施例，存储装置1000可以根据改善的温度管理操作来执行有效的温度管理操作。
80.在本说明书中，为了便于描述，由存储器控制器200对存储器装置100执行温度管理操作来进行温度管理操作。然而，温度管理操作可以等同地应用于存储器控制器200或存储装置1000的温度过热到预定节流温度或更高温度的情况。
81.参照图4，存储装置1000可以根据温度管理周期来执行温度管理操作。例如，存储装置1000可以执行第(n-1)温度管理操作s410，并且在与温度管理周期相对应的时间量δt之后执行第n温度管理操作s420。而且，存储装置1000可以通过使用时间量δt和温度信息δ℃来更新温度管理周期，其中温度信息δ℃表示在该时间量期间，由存储器装置的温度传感器140感测的温度变化。也就是说，根据本公开的实施例，存储装置1000可以基于通过执行第n温度管理操作s420而获得的结果来确定开始第(n+1)温度管理操作s430的时间点。例如，存储装置1000可以通过使用在第n温度管理操作s420中从温度传感器140获取的时间量δt和温度信息δ℃，来确定开始第(n+1)温度管理操作s430的时间点。
82.根据本公开的另一实施例，温度管理操作可以包括温度获取操作和性能限制操作，其中在温度获取操作中从存储器装置100获取由温度传感器140感测的温度信息，并且性能限制操作根据所获取的温度信息和时间量δt来限制存储器装置100的性能。存储器控制器200可以基于在第n温度管理操作之前执行的第(n-1)温度管理操作中测量的温度信息，来计算每单位时间的温度变化。具体地，存储器控制器200可以通过将在第(n-1)温度管理操作中感测到的温度信息与在第n温度管理操作中感测的温度信息进行比较，来计算温度变化(例如，温度信息δ℃)。而且，存储器控制器200可以通过比较开始第(n-1)温度管理操作的时间点和开始第n温度管理操作的时间点，来计算时间变化(例如，与温度管理周期相对应的时间量δt)。存储器控制器200可以通过将第(n-1)温度管理操作与第n温度管理操作进行比较，来计算温度变化δ℃和时间变化δt，并且基于温度变化δ℃和时间变化δt来计算每单位时间的温度变化。而且，存储器装置200可以基于每单位时间的温度变化，来计算开始第(n+1)温度管理操作的第一时间点和第二时间点，其中第(n+1)温度管理操作将在第n温度管理操作之后执行。存储器控制器200可以通过使用在第n温度管理操作中感测的温度信息、在向存储装置1000施加电力之后且直到第(n-1)温度管理操作之前执行的性能限制操作的累计次数、以及第一时间点和第二时间点，来确定开始第(n+1)温度管理操作的最终时间点。
83.在各个实施例中，存储器控制器200可以通过使用温度信息来生成校正温度信息，并且可以通过使用校正温度信息来执行上述操作。校正温度信息可以是通过根据各种方法处理温度信息而获得的温度信息。可选地，存储器控制器200可以进一步包括与包括在存储器装置100中的温度传感器140分开的另一温度传感器。存储器控制器200可以通过使用与存储器装置100中包括的温度传感器140分开的另一温度传感器来计算校正温度信息。例
如，存储器控制器200可以通过计算从存储器装置100中包括的温度传感器140接收的温度信息和与温度传感器140分开地的另一温度传感器的温度信息的算术平均值，来计算校正温度信息。
84.图5是示出根据本公开的实施例的温度管理操作的示图。
85.参照图5，示出了存储器装置100和存储器控制器200执行第n温度管理操作s420的示图。第n温度管理操作s420可以包括存储器控制器200请求存储器装置100的温度信息的操作(s510)。具体地，存储器控制器200可以在每个温度管理周期，从包括温度传感器140的存储器装置100请求温度信息。
86.另外，存储器装置100可以响应于从存储器控制器200接收的温度信息请求来执行感测温度信息的操作(s520)。具体地，存储器装置100可以控制存储器装置100中包括的温度传感器140，并且通过使用温度传感器140来执行感测温度信息的操作。
87.而且，存储器装置100可以传输从温度传感器140获取的温度信息(s530)，并且存储器控制器200可以根据温度信息来执行限制存储器装置100的性能的性能限制操作(s540)。性能限制操作可以是当存储装置1000的内部温度变得过高时，限制存储装置1000的内部操作，以使得降低存储装置1000的内部温度的操作。
88.另外，存储器控制器200可以通过使用温度信息来更新温度管理周期(s550)。具体地，存储器控制器200可以通过使用温度信息和参考温度管理周期来计算温度管理周期的最小周期和最大周期，并且通过使用关于在向存储装置1000施加电力之后执行性能限制操作的历史信息、最小周期和最大周期来更新温度管理周期。将参照图6和图7详细描述温度管理周期的更新。
89.图6是示出根据本公开的实施例的存储器控制器的框图。图7是示出根据本公开的实施例的多个温度范围的示图。
90.参照图6，存储器控制器200可以包括周期计算器210、周期确定器220、周期更新器230、温度信息存储装置240和历史信息存储装置250。
91.周期计算器210可以是计算温度管理周期的最小周期和最大周期的组件。具体地，周期计算器210可以通过使用温度信息和参考温度管理周期来计算每单位时间的温度变化，并且通过使用每单位时间的温度变化和初始温度管理周期或预定温度管理周期来计算最小周期和最大周期。初始温度管理周期可以是参考温度管理周期。而且，周期计算器210可以根据以下等式1来计算最小周期和最大周期。
92.等式1
93.min_sec＝x*(t*(1
÷
dt))
94.max_sec＝y*(t*(1
÷
dt))
95.t可以是参考温度管理周期，dt可以是每个温度管理周期内的每单位时间的温度变化，min_sec可以是最小周期，max_sec可以是最大周期，x可以是任意常数，并且y可以是大于x的任意常数。t的单位可以是[s]，dt的单位可以是[℃/s]，min_sec和max_sec各自的单位均可以是[s]，并且x和y各自的单位均可以是[℃/s]。
[0096]
当每单位时间的温度变化增大时，周期计算器210可以增大最小周期和最大周期，并且当每单位时间的温度变化减小时，周期计算器210可以减小最小周期和最大周期。
[0097]
周期确定器220可以是用于确定当前温度反映周期和历史反映周期的组件。当前
温度反映周期可以是基于从温度传感器140接收的温度信息而确定的周期。也就是说，当前温度反映周期可以是通过反映存储器装置100的当前温度状态而获得的周期。
[0098]
周期确定器220可以根据温度信息，将最小周期、最大周期以及最小周期和最大周期的算术平均值中的任意一个确定为当前温度反映周期。具体地，周期确定器220可以根据与温度信息相对应的存储器装置100的温度是否属于多个温度范围中的一个来确定当前温度反映周期。
[0099]
参照图7，示出了多个温度范围。第一范围可以是高于第一温度(例如，10℃)并且低于或等于第二温度(例如，40℃)的温度范围。第二范围可以是高于0℃并且低于或等于第一温度(例如，10℃)的温度范围，以及高于第二温度(例如，40℃)并且低于或等于第三温度(例如，78℃)的温度范围中的一个或多个。第三范围可以是低于或等于0℃的温度范围和高于第三温度(例如，78℃)的温度范围中的一个或多个。
[0100]
当与温度信息相对应的存储器装置100的温度属于第一范围时，周期确定器220可以将最大周期确定为当前温度反映周期。当与温度信息相对应的存储器装置100的温度属于第二范围时，周期确定器220可以将最小周期和最大周期的算术平均值确定为当前温度反映周期。当与温度信息相对应的存储器装置100的温度属于第三范围时，周期确定器220可以将最小周期确定为当前温度反映周期。
[0101]
周期确定器220可以根据从向存储装置1000施加电力之后执行性能限制操作的次数来确定历史反映周期。当与温度信息相对应的存储器装置100的温度属于图7所示的第三范围时，存储器控制器200可以执行限制存储器装置100的性能的性能限制操作。例如，当与温度信息相对应的存储器装置100的温度是高于第三温度的温度时，存储器控制器200可以执行性能限制操作。而且，存储器控制器200可以将从向存储装置1000施加电力之后执行性能限制操作的次数存储在历史信息存储装置250中。
[0102]
周期确定器220可以根据以下表1来确定历史反映周期。
[0103]
表1
[0104][0105]
当累积次数属于第一范围时，周期确定器220可以将最大周期确定为历史反映周期。当累积次数属于第二范围时，周期确定器220可以将最小周期和最大周期的算术平均值确定为历史反映周期。当累积次数属于第三范围时，周期确定器220可以将最小周期确定为历史反映周期。周期更新器230可以是用于通过使用当前温度反映周期和历史反映周期来更新温度管理周期的组件。具体地，周期更新器230可以通过使用由周期确定器220确定的当前温度反映周期和历史反映周期的算术平均值来更新温度管理周期。例如，当当前温度反映周期是最小周期并且历史反映周期是最大周期时，周期更新器230可以将温度管理周
期更新为(最小周期+最大周期)/2的值。
[0106]
此外，根据本公开的实施例的存储器控制器200可以包括温度信息存储装置240和历史信息存储装置250。温度信息存储装置240可以是用于从存储器装置100接收由温度传感器140感测的温度信息并且存储所接收的温度信息的组件，并且历史信息存储装置250可以是用于存储从向存储装置1000施加电力之后执行性能限制操作的累积次数的组件。
[0107]
图8是示出根据本公开的实施例的存储装置的操作方法的流程图。
[0108]
参照图8，示出了包括温度传感器的存储装置的操作方法。存储装置1000可以在每个温度管理周期获取由温度传感器感测的温度信息(s810)。温度信息可以是与由温度传感器140感测的温度相对应的代码code。存储装置1000可以根据分辨率来映射代码code和温度，并且随着位数变得更大，可以以更高的分辨率实施代码code。
[0109]
而且，存储装置1000可以根据温度信息来执行限制存储装置1000的性能的性能限制操作(s820)。性能限制操作可以是限制存储装置的内部操作以使得存储装置1000的内部温度降低的操作。存储装置1000可以通过暂停在存储装置1000中执行的操作的全部或者一部分来控制流入存储装置1000的总电流量。存储装置1000控制总电流量，以防止存储装置1000的内部温度过度过热的情况。可选地，存储装置1000可以降低内部操作的处理速度(例如，每单位时间的时钟数量)，以防止存储装置1000的内部温度过度过热的情况。
[0110]
而且，存储装置1000可以通过使用温度信息和参考温度管理周期来计算温度管理周期的最小周期和最大周期(s830)。具体地，存储装置1000可以通过使用每单位时间的温度变化和参考温度管理周期来计算最小周期和最大周期。存储装置1000可以确定最小周期和最大周期，以当每单位时间的温度变化增大时，增大最小周期和最大周期，并且当每单位时间的温度变化减小时，减小最小周期和最大周期。
[0111]
根据本公开的实施例，存储装置1000可以根据与温度信息相对应的存储器装置100的温度是否属于第一范围、第二范围和第三范围中的一个来确定当前温度反映周期。第一范围可以是高于第一温度且低于或等于第二温度的温度范围。第二范围可以是高于0℃且低于或等于第一温度的温度范围和高于第二温度且低于或等于第三温度的温度范围中的一个或多个。第三范围可以是低于或等于0℃的温度范围和高于第三温度的温度范围中的一个或多个。
[0112]
当与温度信息相对应的存储器装置100的温度属于第一范围时，存储装置1000可以将最大周期确定为当前温度反映周期。当与温度信息相对应的存储器装置100的温度属于第二范围时，存储装置1000可以将最小周期和最大周期的算术平均值确定为当前温度反映周期。当与温度信息相对应的存储器装置100的温度属于第三范围时，存储装置1000可以将最小周期确定为当前温度反映周期。
[0113]
根据本公开的实施例，存储装置1000可以存储温度信息以及从向存储装置1000施加电力之后执行性能限制操作的次数。而且，存储装置1000可以通过使用关于执行性能限制操作的历史信息、最小周期和最大周期来更新温度管理周期(s840)。根据本公开的实施例，存储装置1000可以确定由最小周期、最大周期以及最小周期和最大周期的算术平均值中的一个确定的当前温度反映周期，并且根据从向存储装置1000施加电力之后执行性能限制操作的次数来确定历史反映周期。而且，存储装置1000可以通过使用当前温度反映周期和历史反映周期来更新温度管理周期。
[0114]
图9是示出根据本公开的另一实施例的存储器控制器的框图。
[0115]
参照图9，存储器控制器1300可以包括处理器1310、ram 1320和ecc电路1330、rom 1360、主机接口1370、闪存接口1389和温度传感器140。图9所示的存储器控制器1300可以是图1或图6所示的存储器控制器200的另一实施例。
[0116]
处理器1310可以通过使用主机接口1370与主机2000通信，并且执行逻辑操作以控制存储器控制器1300的操作。例如，处理器1310可以基于从主机2000或外部装置接收的请求来加载编程命令、数据文件、数据结构等，并且执行各种操作或生成命令和地址。例如，处理器1310可以生成编程操作、读取操作、擦除操作、暂停操作和参数设置操作所需的各种命令。
[0117]
而且，处理器1310可以执行闪存转换层(ftl)的功能。处理器250可以通过ftl将由主机2000提供的逻辑块地址(lba)转换为物理块地址(pba)。ftl可以接收输入的lba，以通过使用映射表来将lba转换成pba。根据映射单位，存在ftl的若干种地址映射方法。代表性地址映射方法包括页面映射方法、块映射方法和混合映射方法。
[0118]
而且，处理器1310可以在没有来自主机2000的任何请求的情况下生成命令。例如，处理器1310可以生成用于后台操作的命令，后台操作诸如用于存储器装置100的损耗均衡的操作和用于存储器装置100的垃圾收集的操作。
[0119]
ram 1320可以用作处理器1310的缓冲存储器、工作存储器或高速缓存存储器。而且，ram 1320可以存储处理器1310运行的代码和命令。ram 1320可以存储由处理器1310处理的数据。而且，ram 1320可以被实施为静态ram(sram)或动态ram(dram)。
[0120]
ecc电路1330可以检测编程操作或读取操作中的错误，并且校正检测到的错误。具体地，ecc电路1330可以根据错误校正码(ecc)来执行错误校正操作。而且，ecc电路1330可以基于待被写入存储器装置100的数据来执行ecc编码。可以通过闪存接口1380将被执行ecc编码的数据传送到存储器装置100。而且，ecc电路1330可以对通过闪存接口1380从存储器装置100接收的数据执行ecc解码。
[0121]
rom 1360可以用作用于存储存储器控制器1300的操作所必需的各种信息的存储单元。具体地，rom 1360可以包括映射表，并且物理到逻辑地址信息和逻辑到物理地址信息可以被存储在映射表中。而且，rom 1360可以由处理器1310控制。
[0122]
主机接口1370可以包括用于在主机2000和存储器控制器1300之间交换数据的协议。具体地，主机接口1370可以通过诸如以下的各种接口协议中的至少一种与主机2000通信：通用串行总线(usb)协议、多媒体卡(mmc)协议、外围组件互连(pci)协议、高速pci(pci-e)协议、高级技术附件(ata)协议、串行ata协议、并行ata协议、小型计算机系统接口(scsi)协议、增强型小型磁盘接口(esdi)协议、电子集成驱动器(ide)协议以及私有协议。
[0123]
闪存接口1380可以在处理器1310的控制下通过使用通信协议来与存储器装置100通信。具体地，闪存接口1380可以通过通道与存储器装置100通信命令、地址和数据。例如，闪存接口1380可以包括nand接口。
[0124]
根据本公开的另一实施例，存储器控制器1300可以包括温度传感器140。图9中所示的温度传感器140可以包括与图2或图3中描述的温度传感器140相同的配置，并且执行与图2或图3中描述的温度传感器140相同的功能。具体地，温度传感器140可以设置在存储器控制器1300的内部，以在处理器1310的控制下感测存储器控制器1300的温度信息。而且，除
了存储器控制器1300之外，温度传感器140还可以设置在存储器装置100的内部，以获取存储装置1000的准确温度信息。例如，存储器控制器1300可以通过比较从设置在存储器控制器1300内部的温度传感器140接收的温度信息与从设置在存储器装置100中的温度传感器140接收的温度信息，来获取准确温度信息，等等。
[0125]
图10是示出根据本公开的实施例的存储块的示图。
[0126]
参照图10，示出了图2所示的存储块之中的一个存储块blki。在存储块blki中，可以将彼此平行布置的多个字线连接在第一选择线和第二选择线之间。第一选择线可以是源极选择线ssl，第二选择线可以是漏极选择线dsl。更具体地，存储块blki可以包括在位线bl1至bln与源极线sl之间连接的多个串st。位线bl1至bln可以分别地连接到串st，并且源极线sl可以共同地连接到串st。串st可以彼此相同地配置，因此将作为示例详细描述连接到第一位线bl1的串st。
[0127]
串st可以包括在源极线sl和第一位线bl1之间彼此串联连接的源极选择晶体管sst、多个存储器单元mc1至mc16以及漏极选择晶体管dst。一个串st中可以包括至少一个源极选择晶体管sst和至少一个漏极选择晶体管dst，并且一个串st中可以包括比附图中所示的存储器单元mc1至mc16的数量更多数量的存储器单元。
[0128]
源极选择晶体管sst的源极可以连接到源极线sl，并且漏极选择晶体管dst的漏极可以连接到第一位线bl1。存储器单元mc1至mc16可以在源极选择晶体管sst和漏极选择晶体管dst之间串联连接。不同串st中包括的源极选择晶体管sst的栅极可以连接到源极选择线ssl，并且不同串st中包括的漏极选择晶体管dst的栅极可以连接到漏极选择线dsl。存储器单元mc1至mc16的栅极可以连接到多个字线wl1至wl16。可以将不同的串st中包括的存储器单元之中的连接到相同字线的一组存储器单元称为物理页面ppg。因此，与字线wl1至wl16的数量相对应的物理页面ppg可以被包括在存储块blki中。
[0129]
存储器单元中的每一个可以被配置为存储一个数据位的单层单元(slc)、存储两个数据位的多层单元(mlc)、存储三个数据位的三层单元(tlc)或存储四个数据位的四层单元(qlc)。
[0130]
slc可以存储一位数据。slc的一个物理页面ppg可以存储一个逻辑页面(lpg)数据。一个lpg数据可以包括数量与一个物理页面ppg中包括的单元的数量相对应的数据位。
[0131]
mlc、tlc和qlc可以存储两位或更多位的数据。一个物理页面ppg可以存储两个或更多个lpg数据。
[0132]
图11是示出根据本公开的实施例的存储卡系统的示图。
[0133]
参照图11，存储卡系统3000包括存储器控制器3100、存储器装置3200和连接器3300。
[0134]
存储器控制器3100可以连接到存储器装置3200。存储器控制器3100可以访问存储器装置3200。例如，存储器控制器3100可以控制对存储器装置3200的读取操作、写入操作、擦除操作以及后台操作。存储器控制器3100可以提供存储器装置3200和主机之间的接口。而且，存储器控制器3100可以驱动用于控制存储器装置3200的固件。
[0135]
例如，存储器控制器3100可以包括诸如随机存取存储器(ram)、处理单元、主机接口、存储器接口和错误校正器233的组件。
[0136]
存储器控制器3100可以通过连接器3300与外部装置通信。存储器控制器3100可以
根据特定通信协议与外部装置(例如，主机)通信。存储器控制器3100可通过诸如以下的各种通信协议中的至少一种与外部装置通信：通用串行总线(usb)、多媒体卡(mmc)、嵌入式mmc(emmc)、外围组件互连(pci)、高速pci(pcie)、高级技术附件(ata)、串行ata(sata)、并行ata(pata)、小型计算机系统接口(scsi)、增强型小型磁盘接口(esdi)、电子集成驱动器(ide)、火线、通用闪存(ufs)、wi-fi、蓝牙和nvme。
[0137]
存储器装置3200可以利用诸如以下的各种非易失性存储器装置来实施：电可擦除可编程rom(eeprom)、nand闪速存储器、nor闪速存储器、相变ram(pram)、电阻式ram(reram)、铁电ram(fram)以及自旋转移扭矩磁性ram(stt-mram)。
[0138]
存储器控制器3100和存储器装置3200可以集成到单个半导体装置中，以构成存储卡。例如，存储器控制器3100和存储器装置3200可以构成诸如以下的存储卡：pc卡(个人计算机存储卡国际协会(pcmcia))、紧凑型闪存(cf)卡、智能媒体卡(sm和smc)、记忆棒、多媒体卡(mmc、rs-mmc、微型mmc和emmc)、sd卡(sd、迷你sd、微型sd和sdhc)以及通用闪存(ufs)。
[0139]
图12是示出根据本公开的实施例的固态驱动器(ssd)的示图。
[0140]
参照图12，ssd系统4000包括主机4100和ssd 4200。ssd 4200通过信号连接器4001与主机4100交换信号sig，并且通过电源连接器4002接收电力pwr。ssd 4200包括ssd控制器4210、多个闪速存储器4221至422n、辅助电源4230和缓冲存储器4240。
[0141]
在实施例中，ssd控制器4210可以用作参照图1或图6描述的存储器控制器200。ssd控制器4210可以响应于从主机4100接收到的信号sig来控制多个闪速存储器4221至422n。信号sig可以是基于主机4100和ssd 4200之间的接口的信号。例如，信号sig可以是由诸如以下的接口中的至少一种定义的信号：通用串行总线(usb)、多媒体卡(mmc)、嵌入式mmc(emmc)、外围组件互连(pci)、高速pci(pcie)、高级技术附件(ata)、串行ata(sata)、并行ata(pata)、小型计算机系统接口(scsi)、增强型小型磁盘接口(esdi)、电子集成驱动器(ide)、火线、通用闪存(ufs)、wi-fi、蓝牙和nvme。
[0142]
辅助电源4230可以通过电源连接器4002连接到主机4100。辅助电源4230可以接收从主机4100输入的电力pwr并且充电电力pwr。当来自主机4100的电力供应不平稳时，辅助电源4230可以向ssd4200提供电力。辅助电源4230可以位于ssd 4200中，或者位于ssd 4200的外部。例如，辅助电源4230可以位于主板上，并且向ssd 4200提供辅助电力。
[0143]
缓冲存储器4240可以用作ssd 4200的缓冲存储器。例如，缓冲存储器4240可以临时存储从主机4100接收的数据或从多个闪速存储器4221至422n接收的数据，或者临时存储闪速存储器4221至422n的元数据(例如，映射表)。缓冲存储器4240可以包括诸如dram、sdram、ddr sdram、lpddr sdram和gram的易失性存储器或诸如fram、reram、stt-mram和pram的非易失性存储器。
[0144]
图13是示出根据本公开的实施例的用户系统的示图。
[0145]
参照图13，用户系统5000包括应用处理器5100、存储器模块5200、网络模块5300、存储模块5400和用户接口5500。
[0146]
应用处理器5100可以驱动用户系统5000中包括的组件、操作系统(os)、用户程序等。应用处理器5100可以包括用于控制用户系统5000中包括的组件、接口、图形引擎等的控制器。应用处理器5100可以被设置为片上系统(soc)。
[0147]
存储器模块5200可以用作用户系统5000的主存储器、工作存储器、缓冲存储器或
高速缓存存储器。存储器模块5200可以包括诸如dram、sdram、ddr sdram、ddr2 sdrm、ddr3 sdram、lpddr sdram、lpddr2 sdram和lpddr3 sdram的易失性随机存取存储器或诸如pram、reram、mram和fram的非易失性随机存取存储器。应用处理器5100和存储器模块5200可以通过基于堆叠封装(pop)来进行封装而被设置为一个半导体封装。
[0148]
网络模块5300可以与外部装置通信。网络模块5300可以支持无线通信，诸如码分多址(cdma)、全球移动通信系统(gsm)、宽带cdma(wcdma)、cdma-2000、时分多址(tdma)、长期演进(lte)、wimax、wlan、uwb、蓝牙和wi-fi。网络模块5300可以被包括在应用处理器5100中。
[0149]
存储模块5400可以存储数据。例如，存储模块5400可以存储从应用处理器5100接收的数据。可选地，存储模块5400可以将其中所存储的数据传输到应用处理器5100。存储模块5400可以利用诸如相变ram(pram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、nand闪存、nor闪存或具有三维结构的nand闪存的非易失性半导体存储器装置来实施。存储模块5400可以被设置为诸如用户系统5000的存储卡或外部驱动器的可移动驱动器。
[0150]
存储模块5400可以包括多个非易失性存储器装置，并且多个非易失性存储器装置可以与参照图1或图2描述的存储器装置相同地操作。存储模块4400可以与参照图1描述的存储装置1000相同地操作。
[0151]
用户接口5500可以包括用于将数据或命令输入到应用处理器5100或将数据输出到外部装置的接口。用户接口5500可以包括用户输入接口，诸如键盘、小键盘、按钮、触摸面板、触摸屏、触摸板、触摸球、相机、麦克风、陀螺仪传感器、振动传感器和压电元件。用户接口5500可以包括用户输出接口，诸如液晶显示器(lcd)、有机发光二极管(oled)显示装置、有源矩阵oled(amoled)显示装置、led、扬声器和监视器。
[0152]
根据本公开，可以提供一种执行改善的温度管理操作的存储装置以及该存储装置的操作方法。
[0153]
虽然已经参考本公开的某些实施例示出并描述了本公开，但是本领域技术人员将理解的是，在不脱离由所附权利要求及其等同方案所限定的本公开的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。因此，本公开的范围不应限于上述的实施例，而是应当不仅由所附权利要求、而且由其等同方案确定。
[0154]
在上述实施例中，可以选择性地执行所有步骤或者可以省略部分步骤。在每个实施例中，不一定按照所描述的顺序执行这些步骤，并且可以重新排列这些步骤。在本说明书和附图中公开的实施例仅是为了便于理解本公开的示例，而本公开不限于此。也就是说，对于本领域技术人员应显而易见的是，可以基于本公开的技术范围进行各种修改。
[0155]
已经在附图和说明书中描述了本公开的各个实施例。尽管本文使用了特定术语，但这些术语仅用于描述本公开的实施例。因此，本公开不限于上述实施例，而在本公开的精神和范围内可以存在许多变型。对于本领域技术人员应显而易见的是，除了本文所公开的实施例之外，还可以基于本公开的技术范围进行各种修改。
[0156]
本发明的上述实施例旨在说明而不是限制本发明。各种替代方案和等同方案是可能的。本发明不受本文描述的实施例的限制。本发明也不限于任何特定类型的存储装置。鉴于本公开而显而易见的增加、减少或修改旨在落入所附权利要求的范围内。

技术特征：

1.一种存储装置，包括：存储器装置，包括温度传感器；以及存储器控制器：从所述存储器装置获取由所述温度传感器在温度管理周期感测的温度信息，根据所述温度信息来执行限制所述存储器装置的性能的性能限制操作，通过使用所述温度信息来计算所述温度管理周期，并且通过使用关于所述性能限制操作的性能历史的历史信息来更新所述温度管理周期。2.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述存储器控制器包括：周期计算器，通过使用每个温度管理周期内的每单位时间的温度变化和参考温度管理周期来计算最小周期和最大周期；周期确定器：根据所述温度信息，将所述最小周期、所述最大周期以及所述最小周期和所述最大周期的算术平均值中的一个确定为当前温度反映周期，并且根据从向所述存储装置施加电力之后执行所述性能限制操作的次数来确定历史反映周期；以及周期更新器，通过使用所述当前温度反映周期、所述历史反映周期、所述最小周期和所述最大周期来更新所述温度管理周期。3.根据权利要求2所述的存储装置，其中当所述每单位时间的温度变化增大时，所述周期计算器增大所述最小周期和所述最大周期。4.根据权利要求2所述的存储装置，其中当所述每单位时间的温度变化减小时，所述周期计算器减小所述最小周期和所述最大周期。5.根据权利要求2所述的存储装置，其中所述周期确定器根据与所述温度信息相对应的存储器装置的温度是否属于第一范围、第二范围和第三范围中的一个来确定所述当前温度反映周期，其中所述第一范围是高于第一温度且低于或等于第二温度的温度范围，其中所述第二范围是高于0℃且低于或等于所述第一温度的温度范围和高于所述第二温度且低于或等于第三温度的温度范围中的一个或多个，并且其中所述第三范围是低于或等于0℃的温度范围和高于所述第三温度的温度范围中的一个或多个。6.根据权利要求5所述的存储装置，其中当与所述温度信息相对应的所述存储器装置的温度属于所述第一范围时，所述周期确定器将所述最大周期确定为所述当前温度反映周期。7.根据权利要求5所述的存储装置，其中当与所述温度信息相对应的所述存储器装置的温度属于所述第二范围时，所述周期确定器将所述最小周期和所述最大周期的算术平均值确定为所述当前温度反映周期。8.根据权利要求5所述的存储装置，其中当与所述温度信息相对应的所述存储器装置的温度属于所述第三范围时，所述周期确定器将所述最小周期确定为所述当前温度反映周期。9.根据权利要求2所述的存储装置，其中所述存储器控制器进一步包括：
温度信息存储装置，存储所述温度信息；以及历史信息存储装置，存储从向所述存储装置施加电力之后执行所述性能限制操作的次数。10.根据权利要求2所述的存储装置，其中所述周期更新器通过使用所述当前温度反映周期和所述历史反映周期的算术平均值来更新所述温度管理周期。11.根据权利要求1所述的存储装置，其中当与所述温度信息相对应的存储器装置的温度高于第三温度时，所述存储器控制器执行限制所述存储器装置的性能的所述性能限制操作。12.一种操作存储装置的方法，所述存储装置包括温度传感器，所述方法包括：获取由所述温度传感器在温度管理周期感测的温度信息；根据所述温度信息来执行限制所述存储装置的性能的性能限制操作；通过使用所述温度信息来计算所述温度管理周期的最小周期和最大周期；并且通过使用关于所述性能限制操作的性能历史的历史信息、所述最小周期和所述最大周期来更新所述温度管理周期。13.根据权利要求12所述的方法，其中通过使用在每个温度管理周期内的每单位时间的温度变化和参考温度管理周期来计算所述最小周期和所述最大周期。14.根据权利要求13所述的方法，进一步包括：根据所述温度信息，将所述最小周期、所述最大周期以及所述最小周期和所述最大周期的算术平均值中的一个确定为当前温度反映周期；并且根据从向所述存储装置施加电力之后执行所述性能限制操作的次数来确定历史反映周期。15.根据权利要求14所述的方法，其中通过使用所述当前温度反映周期和所述历史反映周期来更新所述温度管理周期。16.根据权利要求13所述的方法，其中所述计算包括：当所述每单位时间的温度变化增大时，增大所述最小周期和所述最大周期，以及当所述每单位时间的温度变化减小时，减小所述最小周期和所述最大周期。17.根据权利要求14所述的方法，其中根据与所述温度信息相对应的存储器装置的温度是否属于第一范围、第二范围和第三范围中的一个来确定所述当前温度反映周期，其中所述第一范围是高于第一温度且低于或等于第二温度的温度范围，其中所述第二范围是高于0℃且低于或等于所述第一温度的温度范围和高于所述第二温度且低于或等于第三温度的温度范围中的一个或多个，并且其中所述第三范围是低于或等于0℃的温度范围和高于所述第三温度的温度范围中的一个或多个。18.根据权利要求17所述的方法，其中当与所述温度信息相对应的所述存储器装置的温度属于所述第一范围时，将所述最大周期确定为所述当前温度反映周期，其中当与所述温度信息相对应的所述存储器装置的温度属于所述第二范围时，将所述最小周期和所述最大周期的算术平均值确定为所述当前温度反映周期，以及
其中当与所述温度信息相对应的所述存储器装置的温度属于所述第三范围时，将所述最小周期确定为所述当前温度反映周期。19.根据权利要求12所述的方法，进一步包括存储所述温度信息和从向所述存储装置施加电力之后执行所述性能限制操作的次数。20.一种存储装置，包括：存储器装置，包括温度传感器；以及存储器控制器：执行温度管理操作，所述温度管理操作包括从所述存储器装置获取由所述温度传感器感测的温度信息的温度获取操作，以及根据所述温度信息来限制所述存储器装置的性能的性能限制操作；基于关于所述温度管理操作的所述温度信息、关于在所述温度管理操作之前执行的第一温度管理操作的先前温度信息、以及在开始所述温度管理操作的时间点与开始所述第一温度管理操作的时间点之间的时间量，来计算每单位时间的温度变化；基于所述每单位时间的温度变化，来计算开始待在所述温度管理操作之后执行的第二温度管理操作的第一时间点和第二时间点；并且通过使用所述温度信息、执行所述性能限制操作的累计次数、所述第一时间点和所述第二时间点，来确定开始所述第二温度管理操作的最终时间点。

技术总结

本发明涉及一种存储装置及其操作方法，该存储装置可以包括：存储器装置，包括温度传感器；以及存储器控制器，从存储器装置获取由温度传感器在温度管理周期感测的温度信息，根据温度信息来执行限制存储器装置的性能的性能限制操作，通过使用温度信息来计算温度管理周期，并且通过使用关于性能限制操作的性能历史的历史信息来更新温度管理周期。的历史信息来更新温度管理周期。的历史信息来更新温度管理周期。