(完整word版)SPWM全桥逆变器主功率电路和控制电路设计

超导失超SPWM全桥逆变器主功率电路控制电路设计
一.设计目的
通过电力电子技术的学习,熟悉无源逆变概念;采用全桥拓扑并用全控器件MOSFET形成主电路拓扑,设计逆变器硬件电路,并能开环工作。熟悉全桥逆变器拓扑,掌握逆变原理,实现正弦波输出要素,设计SPWM逆变器控制信号发生电路。
输入:48VDC  输出:40VAC/400HZ
二.设计任务
(1) 掌握全桥逆变的概念,分析全桥逆变器中每个元件的作用;(2)分析正弦脉宽调制SPWM原理,及硬件电路实现形式;
高沸点溶剂植物伟哥(3)应用Protel 制作SPWM 逆变器线路图;
(4)根据线路图制作硬件,并调试;
三.设计原理
电路组成及工作原理分析:
电路主要由正弦波和三角波发生电路,控制电路和逆变电路组成。电路中所用到的元器件主要有ICL8038,运算放大器LF353,比较器LM311,IR2110,MOSFET,CD4069,电阻电容及齐纳二极管组成。
控制电路分析:
当电路开始工作,首先由ICL8038产生的正弦波和三角波,正弦波和三角波的幅值由可调电阻来控制,得到的波可以通过LF353运算放大器构成的反相电路进行反向,得到方向相反的正弦波,正弦波与三角波信号通过LM311比较芯片产生SPWM脉冲。
气压测试主电路分析:
本次设计我们采用倍频式SPWM技术,在开关频率不变的情况下,达到输出频率倍增的效果。IR2110用于驱动全桥逆变器用以控制MOSFET的通断,在IR2110的外围电路使用二极管和齐纳二极管防止MOSFET的同时导通而击穿。如下图所示,MOSFET采用2SK1825,4个2SK1825两两串联后并联成桥式逆变主电路,U输入为出入电压,VDC 输出电压,电容C1、C3为VCC的滤波电容,电容C2、C4为自举电容,二极管为自举二极管。MOSFET的驱动采用芯片IR2110驱动,2个IR2110芯片分别驱动桥式逆变主电路的2个桥臂。工作时,两个IR2110(1)和IR2110(2)的输入SPWM脉冲是相反的,两个IR2110分别驱动不同桥臂的MOSFET管,IR2110(1)的HO驱动Q1、IR2110(1)的LO驱动Q2,IR2110(2)的HO驱动Q3、IR2110(2)的LO 驱动Q4,由于输入的两个SPWM脉冲是相反的,2个桥臂上的MOSFET 管会交叉导通,即Q1、Q3同时导通或者Q2、Q4同时导通,两种情况
依次循环导通,从而完成逆变。
1.正弦波和三角波的生成电路设计
实现PWM控制的方法有很多,虽然具体的控制方案不尽相同,但不论是哪一种PWM控制策略,一般都必须包含两个基本环节:一是计算并确定逆变器开关状态的切换时刻,二是在设定的时刻输出逆变器的控制脉冲。能够实现以上PWM控制基本任务的方法大致可以分为硬件电路和软件控制产生两大类。
在这次设计中,我们采用专用集成电路来实现。正弦波和三角波的产生由.专门的ICL8038生成,芯片ICL8038能够稳定输出方波、三角波、正弦波等,输出波形精度高,输出频率范围很宽(0.001HZ~
300KHZ),还有温漂小,外围电路简单等优点。ICL8038的8脚为调频电压输入,即振荡输出频率受此端电压的控制,是一种电压一种频率(V/f)转换电路,称为压控振荡。其振荡频率与调频电压成正比,线性度约为O.5%,调频电压的值是指+Vcc端与管脚8之间的电压,此值应不超过l/3(Vcc+Vee)。7脚为调频电压输出端,其值由器件内部的分压电阻值决定,这里指的是Vcc端和7脚之间的电压,此值为l/5(Vcc+Vee),它可作为8脚的输入电压。3脚为三角波输出端,2脚为正弦波输出端,4脚为占空比调整端,5脚为频率调整端,6脚为电源正极Vcc,11脚为电源负极Vee,1 0脚接定时电容C。1 3、14脚为空脚。
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2.逆变电路设计
所谓“逆变是将直流电转化为极性周期改变的交流电,从电路拓扑上看,有多种结构可以实现电能的极性反转。以电压源功率变换为例:
桥式逆变结构.
基本的电压源桥式逆变结构如图所示,两组功率开关串联跨接于
电源,成为一个桥臂,以其串联中点为输出点。这样的结构不允许串联开关同时导通,按照不同开关的通断组合,桥臂可以将它所跨接的两个不同电位作为输出,合理安排这些不同的桥臂输出电位可能生成有正有负的输出电压,这是桥式逆变电路实现电源极性变换的基本原理。桥式电路是逆变器中得到最广泛应用的拓扑形式,其器件电压耐受值较低,控制、组合灵活,在自换流或者负载换流模式都可以工作,不依赖变压器参与逆变,适应性非常广泛。桥式电路的形式多种多样,如半桥、全桥、三相桥、多相桥等。
3.驱动电路设计
在功率变换装置中,根据主电路的结构,起功率开关器件一般采用直接驱动和隔离驱动两种方式.美国IR公司生产的IR2110驱动器,兼有光耦隔离和电磁隔离的优点,是中小功率变换装置中驱动器件的首选。该芯片具有驱动电流大,速度快,外围电路简单,可驱动母线电压高达500V的全桥,对输入信号要求低等优良性能。
IR2110的内部功能框图如图1所示。由三个部分组成:逻辑输入,电平平移及输出保护。如上所述IR2110的特点,可以为装置的设计

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