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功率半导体模块的制造方法及其中间装配单元[发明专利]

专利名称：功率半导体模块的制造方法及其中间装配单元专利类型：发明专利

发明人：佐藤宪一郎

抑制的生活申请号：CN201510649189.1

申请日：20151009

公开号：CN105609440A

公开日：

20160525

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明的目的在于提供一种在混合搭载基板材料不同的两个以上的半导体元件的功率半导体模块中，能够可靠去除电气特性的不合格品的功率半导体模块的制造方法及其中间装配单元。在带金属箔绝缘基板(3)的金属箔(3b)焊接有基板材料不同且泄漏电流的大小相差一个数量级以上的半导体元件(1a)和半导体元件(2b)。在半导体元件(1a)和半导体元件(2b)的表面电极分别连接有不对半导体元件之间进行连结的布线部件(20a)和布线部件(20b)。由于能够通过前述布线部件对各半导体元件个别地进行通电，并个别地进行泄漏电流的检测，所以能够发现泄漏电流大的不良现象。

申请人：富士电机株式会社

www.123ctCT地址：日本神奈川县川崎市

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下水井国籍：JP

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代理机构：北京铭硕知识产权代理有限公司

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本文发布于:2024-09-21 03:35:36，感谢您对本站的认可！

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