模拟电子复习资料(10)

模拟电子知识点
(一)、基本放大电路部分
1、PN结的单向导电性,二极管的伏安特性曲线
2、晶体三极管的电流放大作用的理解,三极管具有电流放大能力的偏置条件
3、三极管的输出伏安特性曲线,三个区间:饱和区、截止区和放大区,这三个区对应的偏置条件如何?
4、基本共射极放大电路的静态分析,目的是计算三极管的静态工作点(IB、IC和UCE)。理解静态工作点的重要性。理解静态工作点不合适,会造成信号的失真,饱和失真和截止失真是怎样产生的。
srte5、基本共射极放大电路的动态分析,目的是计算放大电路的三个动态参数:输入电阻ri、输出电阻ro以及电压放大倍数Au。什么是输入电阻ri、什么是输出电阻ro,电压放大倍数Au又是如何定义的。
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6、具体分析过程中:直流通路、交流通路和微变等效电路一定要会画。
7、三极管放大电路在基本共射极放大电路的基础上会有一些变化,比如,为了稳定静态工作点,需要使用分压偏置式交流放大电路,这里分压如何实现,其目的是什么,发射极所接的电阻起何作用?
8、在分析三极管放大电路是,电容起何作用(耦合、旁路)?在什么情况下起作用?
9、一般来说,放大电路在空载和负载时,电压放大倍数是不同的,能否说明为什么放大倍数不同?
10、理解信号源的负载能力的问题,从而理解对放大电路输入电阻和输出电阻的要求。
11、掌握射极输出器的工作原理及特点,会计算分析射极输出器的静态工作点和动态参数。
12、了解多级放大电路之间的耦合方式。
(二)、集成运算放大器部分
窑链13、集成运算放大器的特点及图形符号。
14、理想集成运算放大器的分析依据(P95),这些依据可以归纳成四个字:虚短和虚断。
15、如果用集成运算放大器对直流信号进行放大的话,一定要引入深度负反馈才行,为什么?
16、掌握集成运算放大器电路的分析方法(基本着眼点:虚短和虚断)。
17、会利用所掌握的集成运算放大器电路的分析方法分析具体电路(比例电路、加法减法电路等)。
18、一般掌握由集成运放构成的微分器、积分器等电路的分析过程。
19、掌握由集成运放构成的电压比较器的工作原理,会绘制相应的波形。(P111的例题)
(三)、电路中的反馈部分
20、掌握并理解反馈的概念(P125)。
21、什么是静输入?什么是反馈量?什么叫开环电压放大倍数?什么叫闭环电压放大倍数?闭环放大倍数与开环放大倍数之间的关系如何?
22、什么是负反馈和正反馈?
23、负反馈的类型有那些?并举例。一定掌握“瞬时极性法”判断正负反馈。
24、反馈类型的判断方法:
1.有无反馈的判断:(1)输入输出回路是否有共同的之路,或者(2)是否有原件跨接在输入和输出回路之间。
2.正负反馈判断:瞬时极性法
3. 电压电流反馈判断:若反馈信号直接从输出端引出,则可断定是电压反馈。具体说,对于由运放构成的电路,若反馈信号直接从运放的输出端引出,则为电压反馈,若反馈信号取自负载电阻靠近地端,则为电流反馈;对于三极管构成的放大电路,若反馈信号取自三极管的集电极,则为电压反馈,若反馈信号取自发射极,则为电流反馈。
4. 串并联反馈判断:反馈信号的作用点与输入信号的作用点相同,为并联反馈,反馈信号的作用点与输入信号的作用点不同,则为串联反馈。
25、了解振荡电路的起振条件:1. 幅值条件,2. 相位条件(正反馈)。会用瞬时极性法判断振荡电路的反馈是否是正反馈。正弦波振荡电路的组成部分:基本放大电路、反馈环节、选频网络和稳幅环节。
26、负反馈的作用:改善放大电路的性能。具体表现在以下几方面:1. 展宽通频带,2. 稳定电压放大倍数,3. 改善波形失真,4. 影响放大电路的输入和输出电阻,5. 降低电路的放大倍数。
27、二阶有源滤波电路的形式。
(四)、直流稳压电源部分
27、直流稳压电源一般包括以下四个环节:变压、整流、滤波和稳压。
28、单相半波整流、单相全波整流电路输出直流平均电压与变压器付边电压有效值之间的
关系,二极管平均电流与负载电阻平均电流之间关系,二极管在电路中可能承受的最大反向电压。
29、记住滤波电容对电压的提升作用,相关公式(P160)18.2.1。
《 模拟电子技术 》综合复习资料
第一部分  常用半导体器件
一、选择
1、在晶体管放大电路中,测得晶体管的各个电极的电位如下图所示,该晶体管的类型是                                                [ A ]
A. NPN型硅管                       
B. PNP型硅管     
C. NPN型锗管                  2V    6V
D. PNP型锗管                    1.3V                 
2、三极管各个电极的对地电位如下图所示,可判断其工作状态是[ D  ]
A. 饱和                             
B. 放大
C. 截止         
D. 已损坏                   
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3、 在如下图所示电路中,当电源V=5V时,测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V,则电流的大小将是                                [  C  ]
  A.I=2mA            B.I<2mA   
  C.I>2mA              D.不能确定
                           
4、  在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于              [ C ]
      A.温度    B.掺杂工艺    C.杂质浓度  D.晶体缺陷
5、二极管的主要特性是                                        [ C  ]
    A.放大特性                    B.恒温特性
      C.单向导电特性                D.恒流特性           
   
7、 下列选项中,不属三极管的参数是                      [  B  ]
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  A.电流放大系数β                    B.最大整流电流IF
  C.集电极最大允许电流ICM            D.集电极最大允许耗散功率PCM 
9、 在N型半导体中,多数载流子是                        [  A  ]
      A. 电子    B. 空穴    C.离子    D. 杂质                   
10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好                  [ A  ]
  A.正向电阻小反向电阻大        B. 正向电阻大反向电阻小
  C.正向电阻反向电阻都小        D. 正向电阻反向电阻都大     
11、  在P型半导体中,多数载流子是                        [ B   ]全国身份证验证系统
      A. 电子      B. 空穴      C.离子      D. 杂质
二、填空
1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 ,而少数载流子的浓度则与 本征激发    有很大关系。
2、温度升高时,晶体管的电流放大系数β 增大    ,反向饱和电流ICBO 增大    ,正向结电压UBE 变小    。(a.变大,d.变小,c.不变)
3、在本征半导体中,电子浓度  等于    空穴浓度;
4、在P型半导体中,电子浓度  小于    空穴浓度;
5、在N型半导体中,电子浓度  大于    空穴浓度。
4、二极管的最主要特性是 单向导电性   
5、双极型晶体管从结构上看可以分成  NPN    PNP    两种类型,它们工作时有 自由电子  空穴    两种载流子参与导电。
6、晶体三极管用来放大时,应使发射结处于 正向  偏置,集电结处于 反向  偏置。
三、
测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如下图所示
1判断它们各是NPN管还是PNP管,在图中标出e,b,c极;
(aNPN    4mA-C    4.1mA-E 0.1mA-B
(b)  PNP  6mA-C    6.1mA-E 0.1mA-B
2估算(b)图晶体管的 值。   
(a) =40  =40/41
(b) =60  =60/61
五、
判断各下图中二极管导通状态,并标出的值。各二极管导通电压0.7V。
左图:D1 D3 D2导通D4截止  =2.1V
右图: D2导通D1截止  =-6V
六、
稳压管稳压电路如下图所示。已知稳压管稳压值为5伏,稳定电流范围为10mA~50mA,限流电阻R=500。试求:
(1)
(2)
解:(1)稳压管稳压,
(2)稳压管不稳压,工作在反向截止状态,
第二部分  基本放大电路
一、选择题
1、 在基本放大电路的三种组态中,输入电阻最大的放大电路是    [ C ]
      A.共射放大电路        B.共基放大电路 
      C.共集放大电路        D.不能确定       
     
3、 在三种基本放大电路中,输入电阻最小的放大电路是        [  B  ]
      A.共射放大电路        B.共基放大电路 
      C.共集放大电路        D.不能确定       
4、在电路中我们可以利用 [  C ] 实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。
  A  共射电路    B 共基电路    C 共集电路      D  共射-共基电路
5、 在基本放大电路的三种组态中,输出电阻最小的是          [ C ]

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