【摘要】近年来，led行业发展迅速，尤其是深紫外led研发及应用已经吸引越来越多的关注。本文利用355nm固态紫外激光加工设备，系统研究了激光功率密度、重复频率、切割速度、单脉冲能量等工艺参数切割倒装器件的0.22mm 厚单晶硅片的外观和效率的影响规律。结果表明，工艺采用双面切割，并只能采用正面裂片方式，背切速度92mm/s，正切速度98mm/s，激光功率1.30w，prf=130khz陶瓷调节阀
，可达到最优裂片效果。 【关键词】深紫外led;激光切割;单晶硅
1.深紫外led结构特点
首先，深紫外led后道工艺中的划裂工艺，难点是：由于深紫外led（波长为280nm）其发出的紫外光会被正面运钞箱p-gan层吸收，所以深紫外led只能由背面出光，在制程工艺中，必须采用倒装方式。这就使后续划裂工艺中，必须采用正裂片方式进行，以避免损伤器件。
目前，工业上选用的理想的倒装材料为单晶硅。它是典型的共价键结合的材料，硬度高、脆性很大，很难加工。为了提高加工精度和质量，采用紫外激光来进行划片。紫外激光因波长
短、材料吸收率高、加工速度快、热影响区小、可聚焦光斑尺寸小等特点，特别是近年来迅速发展起来的全固态紫外激光器，重复频率高、性能可靠、光束质量好、功率稳定，在电子制造工业和半导体行业的精密加工和微细加工领域中得到广泛应用。
紫外激光加工硅片的研究，国外科研机构起步较早，短波长激光加工硅片的研究和报道的文献较少。本文利用紫外激光划片设备对深紫外led划硅片工艺进行了深入的研究。
2.实验设备与材料
2.1实验设备
实验设备激光器采用3d陶瓷打印355nm全固态紫外激光器，最大平均功率2w，重复频率彩井盖90-150khz，光学系统由扩束镜、全反射镜和聚焦镜组成。工作台最高速度100mm/s，xy磁卡制作平台定位精度为±3um，xy平台重复精度为±1um，平台旋转精度为±0.001°，定位检测分辨率为±0.5um。
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