MOSFET原意是（Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor）金属氧化物半导体场效应晶体管，即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，但目前随着半导体技术的进步，现代MOSFET栅极早已用多晶硅栅取代金属栅。
功率MOSFET是70年代在经典MOSFET的基础上发展起来，主要作为功率电子开关使用。与经典MOSFET不同，功率MOSFET着重发展和提高其功率特性，增大器件的工作电压和工作电流（功率MOSFET也称为电力MOSFET）。功率MOSFET围绕如何解决耐压和功耗之间的矛盾产生了许多新工艺结构，由LD MOSFET结构起步经历了VV MOSFET、VU MOSFET、VD MOSFET、SJ MOSFET、Trench MOSFET、SGT MOSFET结构的演化。 功率MOSFET的特点是其用栅极电压控制漏极电流，输入阻抗高、驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快、热稳定好等特性。
二．MOSFET分类、结构
功率MOSFET按照导电类型、栅极驱动电压、元胞结构与工艺结构都有不同划分，具体分类如下： 谢宇风1．按导电类型分：
（2）P沟道
2. 按栅极驱动电压分：
（1）耗尽型
（2）增强型
耗尽型：当栅极电压为零时漏源极之间就已存在导电沟道。增强型：对于N 沟道器件，栅极电压大于零时才存在导电沟道（小于零时才存在导电沟道为P型）。以上四种类型MOSFET符号、输出特性和转移特性如图1所示；因功率MOSFET 主流是N沟道增强型，本文下面都是以N沟道增强型为例进行讨论。
图1-四种类型MOSFET 符号、输出特性和转移特性
3. 按元胞结构分：
（1）六边形
（2）方形或矩形
mp3机（3）条形
电机接线柱
目前如国际整流器公司IR的HEXFET采用了六边形元胞单元；西门子公司的SIP MOSFET采用了正方形元胞单元；摩托罗拉公司的T MOS采用了矩形元胞单元；仙童Fairchild公司采用了长方形元胞单元按条形排列。长方形元胞单元按条形排列，这也是国内主流的元胞结构，其特点是工艺简单，结电容较小、开关速度快。
4. 按工艺结构分：
（1）LD MOSFET
（2）VV MOSFET
（3）VU MOSFET
（4）VD MOSFET
（5）SJ MOSFET
（6）Trench MOSFET
（7）SGT MOSFET
目前VD MOSFET为功率MOSFET主流工艺结构。
三．不同工艺结构分析
1.LD MOSFET
LD MOSFET栅极、源极、漏极都在硅片的上表面，下部为衬底，当Gate处于适当正电位时，其二氧化硅层下面的晶体表面区由P型变为N型（反型层），形成N型横向导电沟道，电流从漏极流向源极。为提高功率能力，要求有很高的沟道宽长比W/L，而平面水平沟道L不能太小，所以只能增大芯片面积，因而该工艺MOSFET一直停留在几十伏电压，几十毫安电流的水平。LD MOSFET工艺结构如下图2所示；
图2-LD MOSFET工艺结构
LD MOSFET特点：制造工艺简单、具有低结电容，因此开关速度快；但该工艺MOSFET因不能充分应用硅片尺寸，电流和电压的额定值受到限制，功率等级小；一般主要适合低压场合应用，如微处理器、运放、数字电路及射频电路。
因LD MOSFET的功率处理能力低下促使垂直导电型V MOSFET的出现，V MOSFET分为VV MOSFET和VU MOSFET两种结构。
2.VV MOSFET
曲轴加工
VV MOSFET是第一个商业化功率MOSFET，VV MOSFET是利用V型槽来实现垂直导电，当Vgs大于0时，在V型槽外壁与硅表面接触的地方形成一个电场，P区时N+区域的电子受到吸引，当Vgs足够大时，就会形成N型导电沟道，使漏、源极之间有电流流过；VV MOSFET工艺结构如下图3所示。
图3-VV MOSFET工艺结构
点火模块VV MOSFET特点：VV MOSFET不仅继承了LD MOSFET输入阻抗高、驱动电流小、还具有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A~100A）、跨导线性好、开关速度快等优良特性；但因VV MOSFET是利用各向异性原理湿法腐蚀形成沟槽结构，其工艺稳定性不佳且存在尖端放电的问题，所以目前使用较少。
VV MOSFET主要应用在电压放大器、功率放大器、开关电源和逆变器中。
3.VU MOSFET（Vertical U-groove MOSFET）
为了改善V型槽顶端的电场尖峰和电流集中效应，研究人员又发明了VU MOSFET，VU MOSFET与VV MOSFET一致同样采用各向异性刻蚀工艺挖U槽。VU MOSFET结构如下图4所示；
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