等离子体处理装置腔室主体内部清洁的等离子体处理方法[发明专利]

专利名称:等离子体处理装置腔室主体内部清洁的等离子体处理方法
压电陶瓷超声换能器专利类型:发明专利
发明人:工藤仁,后平拓
申请号:CN201810062455.4
申请日:20180123
挤压成型公开号:CN108346553A
公开日:
20180731
专利内容由知识产权出版社提供
移动视频监控系统摘要:本发明能够缩短用于除去在腔室主体的内部生成的沉积物的清洁时间。本发明提供一种包括等离子体处理装置的腔室主体的内部的清洁的等离子体处理方法。该方法包括:蚀刻步骤,其包括通过生成包含碳氟化合物气体和/或氢氟烃气体的处理气体的等离子体来对载置在载置台上的被加工物的蚀刻对象膜在低温下进行蚀刻的主蚀刻;将被加工物从腔室搬出的步骤;和通过在将静电卡盘的温度设定为高温度的状态下生成清洁气体的等离子体,来对腔室主体的内部进行清洁的步骤。
申请人:东京毅力科创株式会社
地址:日本东京
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国籍:JP
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代理机构:北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人:龙淳隐私保护通话

本文发布于:2024-09-20 13:45:38,感谢您对本站的认可!

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标签:等离子体   处理   腔室   气体   蚀刻   专利   东京
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