套管和绝缘子的绝缘试验

套管绝缘子的绝缘试验
一、套管绝缘试验
套管的定期预防性试验项目主要有主绝缘及电容型套管末屏对地绝缘电阻的测试和对地tan的测试。在大修后或必要时进行油中溶解气体谱分析交流耐压试验和局部放电试验。
1、绝缘电阻的测试
套管的绝缘电阻测量是为了初步检查套管的绝缘情况,在交流耐压试验前后均须进行。测量前要先用干燥清洁的布擦去其表面污垢,并检查套管有无裂纹及烧伤情况。应用2500V采集重构兆欧表进行测量,兆欧表的两个端钮分别接在套管的导杆和法兰上。
2、介质损耗角正切和电容量的测量
测量20kV及以上非纯瓷套管的介质损耗角正切和电容值是判断高压套管绝缘的一项重要指标。因为套管劣化、受潮等都会导致其介质损耗角正切的增加,所以根据介质损耗角正切的变化可以较灵敏地反映出绝缘的劣化和其他局部缺陷。
测量套管的介质损耗角正切可采用QS1型西林电桥,用西林电桥测量单独套管的tan值,可采用正接线方式。已安装于电力设备上的高压套管,其法兰盘与设备金属外壳直接连接并接地。测量这些套管的tan值时,首先应将与套管连接的引线或绕组断开。除接地屏经小套管引出时可用上述正接线法测量外,一般用反接线法测量。
碳化硅纳米线在采用西林电桥测量套管的介质损耗角正切时,有时往往只测电容芯子的介质损耗角正切,或只测量油纸套管导电芯对抽压或测量端子间的tan,而不测量端子或抽压端子的介质损耗角正切。由于套管内部初期进水受潮时,潮气和水分只进入末屏附近的绝缘层,故占总体积的比例甚小,往往反映不出来,这给电气设备安全运行留下隐患。
3、交流耐压实验
套管在交接时或大修后需要进行交流耐压试验,试验时应先将被试套管表面擦干净。对于变压器或油断路器等充油设备上的套管,应将下部浸于绝缘油内,法兰与油箱外壳连接并接地,接地屏同时接地,在导杆上施加试验电压。
4、局部放电测量
66kV及以上的电容型套管在大修后可测量局部放电作为辅助试验,关于局部放电试验请参阅本书相关章节,这里不再介绍。
二、绝缘子绝缘试验
支柱绝缘子和悬式绝缘子的预防性试验项目主要包括:零值绝缘子检测、绝缘电阻测量、交流耐压试验、绝缘子表面污秽物的等值盐密测定等。
1绝缘电阻的测试
清洁干燥的良好绝缘子,其绝缘电阻是很高的。电瓷有裂纹时,绝缘电阻一般也没有明显的降低。当电瓷龟裂处有湿气及灰尘、脏污入侵后,绝缘电阻将显著下降,仅为数百甚至数十兆欧,用兆欧表可以明显地检出。测量多元件支柱绝缘子每一元件的绝缘电阻时,应在分层胶合处绕铜线,然后接到兆欧表上,以免在不同位置测得的绝缘电阻数值相差太大,造成误判断。《规程》规定,用2500V兆欧表测量绝缘电阻时,多元件支柱绝缘子和每片悬式绝缘子的绝缘电阻不应低于300MΩ500kV悬式绝缘子的绝缘电阻不低于500MΩ
2、交流耐压试验
对于单元件的支柱绝缘子,交流耐压目前是最有效、最简易的试验方法。预防性试验时,可用交流耐压试验代替测量电压分布和绝缘电阻,或用它来最后判断用上述方法检出的绝缘子。对于绝缘子的交流耐压实验,各级电压的支柱绝缘子和悬式绝缘子的交流耐压试验电压标准见表11-1和表11-2。按试验电压标准耐压1min,在升压和耐压过程中不发生跳弧为合格。对运行中的35kV变电所内的支柱绝缘子,可以连同母线进行整体耐压,试验电压为100kV,时间为1min,耐压完毕后,必须测量各胶合元件的绝缘电阻,以检出不合格的元件。对于穿墙套管绝缘子,应根据实际状态进行加压。对变压器出线套管,如系35kV电压等级,试验时套管内应充满油,下半部应浸入绝缘油中再加压。
11-1  支柱绝缘子的交流耐压试验标准(kV
额定电压
3
6
10
15
20
35
最高工作电压
35
69
智能营销客户管理系统115
175
23
405
纯瓷和充油绝缘
出厂
25
32
42
57
拉长虾
68
100
交接和大修
25
32
42
57
68
100
固体有机绝缘
出厂
25
32
42
57
68
100
交接和大修
22
28
38
50
59
90
11-2  悬式绝缘子的交流耐压试验标准
型号
X—3
X—3C
X—1—45
X—45
C—5
X—7
X—11
X—16
XF—45
试验电压(kV
45
56
60
64
70
80
3、表面污秽物等值盐密测定
此试验为新增项目,是定量评价绝缘子“脏”的程度而使用的最为广泛的一种方法。所谓等值盐密法是把绝缘子表面污秽密度按照其导电性转化为单位面积上NaCl含量的一种表示方法。具体来说是用300ml蒸馏水,清洗并溶下一片绝缘子表面的污秽,在另一杯300ml拼接墙蒸馏水中逐渐放入NaCl,直到2杯水的电导率相同,则用放入的NaCl的量除以绝缘子的面积,所得结果称为该绝缘子的等值附盐密度。当盐密值超过规定时,应根据具体情况采取相应
的清扫措施。等值盐密法的最大优点是直观易懂,对人员和设备要求较高,便于推广。其缺点是不反映污秽成分,不反映非电物质的含量,不反映污秽在绝缘子上的分布。而污秽又分为4个阶段:污秽的沉积潮、干区的形成和局部电弧的发展,所以等值盐密法的测量结果只反映积累污秽的结果,不反映过程。因此不能反映局部电弧的发展状况。

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