VCSEL芯片可靠性控制解决方案

VCSEL芯片可靠性控制解决方案
Po,Vo,Io,
VCSEL LIV图
家用沼气池V
PCE=Po/(Vo*Io
VCSEL远场发散角
1
1/e2
A1A2FFV=A2-A1
mc尼龙滑轮1 VCSEL芯片的光电参数
2 VCSEL可靠性相关因素
酸雨采样器VCSEL原理
材料体系:
高压喷雾器导线弧垂计算公式GaAs、InP、GaN
激发原理:
上下两个DBR反射镜形成谐振腔
典型的VCSEL结构包括N型电极、N型分布布拉格反射镜(DBR)、空间层、量子阱(MQW)、氧化层、P型DBR和P型电极。DBR是由折射率不同的两种半导体材料以其光学波长1/4的厚度反复堆积而
成,反射率达到99%以上;在有源区与P型DBR之间有一个氧化限制层,一般是由高铝材料构成,该层在经过湿法选择性氧化工艺之后形成氧化限制窗口,实现对电流和光场的限制。

本文发布于:2024-09-23 07:24:34,感谢您对本站的认可!

本文链接:https://www.17tex.com/tex/4/100189.html

版权声明:本站内容均来自互联网,仅供演示用,请勿用于商业和其他非法用途。如果侵犯了您的权益请与我们联系,我们将在24小时内删除。

标签:材料   氧化   芯片   可靠性   形成   限制
留言与评论(共有 0 条评论)
   
验证码:
Copyright ©2019-2024 Comsenz Inc.Powered by © 易纺专利技术学习网 豫ICP备2022007602号 豫公网安备41160202000603 站长QQ:729038198 关于我们 投诉建议