一种用于铝硅封装壳体的电镀溶液存储装置及电镀方法与流程

1.本发明涉及技术领域，具体涉及一种用于铝硅封装壳体的电镀溶液存储装置；本发明还涉及一种用于铝硅封装壳体的电镀方法。

背景技术：

2.电子封装领域，外壳类产品的主要材质为：可伐合金、优质结构碳素钢、铝碳化硅等。随着科技的不断发展，对产品的要求越来越严格，单一元素的镀层难以满足电镀产品的需求，科研工作者逐渐将目光投向合金电镀。
3.人们铝硅封装壳体的电镀溶液研究中，引进了铝硅封装壳体，尤其是铝硅含量各占50％的这种新材料，该材料具有密度小、重量轻、散热好、与陶瓷电路板热匹配性能好等优点。然而电镀液的稳定性容易受外部环境的影响，因此存储要求高。
4.传统的电镀液存放罐无法保持电镀液恒温，且电镀液长期不流动，则使得电镀液可能无法适用，因此，亟需一种用于铝硅封装壳体的电镀溶液存储装置。

技术实现要素：

5.本发明的目的在于提供一种用于铝硅封装壳体的电镀溶液存储装置及其电镀方法，以解决上述背景技术中提出的问题，定期保证电镀溶液的流动，存储时对进入的电镀溶液进行压滤，保证电镀溶液的纯净度，保证电镀溶液的稳定性。
6.为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
7.一种用于铝硅封装壳体的电镀溶液存储装置，包括存储罐和搅拌组件，所述存储罐内分别设置有过滤槽和电镀溶液存储槽，所述搅拌组件设置于电镀溶液存储槽内；
8.所述过滤槽顶部设置有高压挤出组件，所述高压挤出组件包括液压缸，所述液压缸的输出轴端设置有两组支撑杆，所述支撑杆底端固定安装有压板，所述压板滑动安装于过滤槽顶部，所述过滤槽内设置有筛板；
9.所述过滤槽一侧外壁分别固定安装有第一液位计和第二液位计，所述第一液位计和第二液位计均与液压缸电性连接，所述电镀溶液存储槽一侧外壁分别固定安装有第三液位计和第四液位计，所述第三液位计和第四液位计与搅拌组件电性连接。
10.作为优选的技术方案，所述电镀溶液存储槽顶部固定安装有盖板，所述搅拌组件包括电机，所述电机固定安装于盖板上表面，所述电机的输出轴端通过联轴器固定连接有搅拌杆，所述搅拌杆底端延伸至电镀溶液存储槽内底部。
11.作为优选的技术方案，所述搅拌杆底端设置有可拆卸式的拨料组件，所述拨料组件包括叶片，所述叶片环形等距阵列于搅拌杆底端，所述叶片内等距阵列有过滤孔，所述过滤孔内设置有滤网。
12.作为优选的技术方案，所述过滤槽上方位于存储罐顶部一侧设置有支撑板，所述液压缸固定安装于支撑板上表面。
13.作为优选的技术方案，所述支撑板下表面对称设置有两组空心管，所述支撑杆滑
动安装于空心管内，所述液压缸的输出轴端通过接头固定连接于压板上表面。
14.作为优选的技术方案，所述支撑杆一端设置有限位板，所述空心管内开设有导向槽，所述限位板和导向槽间隙配合。
15.作为优选的技术方案，所述存储罐外壁一侧设置有换热器，所述换热器一侧热循环连通有蒸发器，所述换热器固定连接有外部压缩机。
16.本发明还提供一种用于铝硅封装壳体的电镀方法，包括以下步骤：
17.首先，对铝硅封装壳体进行前处理，
18.s1：将铝硅封装壳体放入温度为50～65℃的分散性有机溶剂中，浸泡15min以上，然后将浸泡处理后的铝硅封装壳体放入化学去油溶液中，超声浸泡15min以上，化学去油液的配比为：碳酸钠15～25g/l和乳化剂op-10 2～5g/l，最后将铝硅封装壳体在热水中浸泡45s以上；
19.s2：对铝硅封装壳体基体进行浸蚀，将铝硅封装壳体基体放入温度为40～60℃含量为6～14％的碳酸钠溶液中10～20s，取出在流动的热水中进行清洗10s以上，再在流动的去离子水中进行清洗25s以上；然后在配比为硝酸700～800ml/l，固体溶解的200～300ml/l的酸洗液中处理8～10s，再在流动的去离子水中进行清洗10s以上；
20.作为优选的技术方案，对铝硅封装壳体材进行镀铜和镀镍处理，具体步骤为：
21.s1：将铝硅封装壳体基体放入镀铜液电镀槽中进行电镀，镀液温度45～55℃，电流2密度0.5～2a/dm，电镀时间根据镀层厚度和铜层沉积速度0.11～0.45μm/min来确定，所述镀铜镀液的配比为：硫酸铜25～35g/l，焦磷酸钾150～180g/l，磷酸氢二钾50～70g/l；在电镀前20～30s内，采用大于1倍正常电流密度电镀，之后采用正常电流密度电镀；电镀结束后，在流动的去离子水中清洗零件10s以上；
22.s2：将镀过铜层的铝硅封装壳体基体放入镀镍电镀槽中进行电镀镍，镀液配比为硫酸镍140～200g/l，硫酸钠35～40g/l，硫酸镁25～35g/l，硼酸12～20g/l，氯化钠4～26g/l；镀液温度18～40℃，电流密度0.8～1a/dm，电镀时间根据镀层厚度和镍层沉积速度8～10μm/h来确定，在电镀前20～30s内，采用大于1倍正常电流密度电镀，之后采用正常电流密度电镀，电镀结束后，在流动的去离子水中清洗零件10s以上；
23.s3：将铝硅封装壳体放入配制好的镀金液中进行电镀，电流密度：0.3～0.5a/dm2，镀液温度55～65℃；
24.s4：电镀完毕，用纯水将铝硅封装壳体清洗干净，然后用酒精对铝硅封装壳体进行脱水，将镀件吹干后放入烘箱，在80～100℃条件下干燥10～20min，最好用惰性气体如氮气、氩气、二氧化碳气体等对镀件吹干。
25.综上所述，由于采用了上述技术，本发明的有益效果是：
26.1.在存储罐依次设置有过滤槽和电镀溶液存储槽，在过滤槽内设置高压挤出组件，设置第一液位计和第二液位计和过滤槽内的液压缸电性连接自动控制高压挤滤动作，存储前对进入的电镀溶液进行压滤，保证电镀溶液的纯净度，保证电镀溶液的稳定性；
27.2.在电镀溶液存储槽内设置搅拌组件，当高压挤滤动作结束后，闭合过滤槽底部的排液口电磁阀门，定期保证电镀溶液的流动，利用第三液位计和第四液位计，当电镀溶液到达设定高度时，启动搅拌电机，对电镀溶液进行搅拌，保证存储时的流动。
附图说明
28.图1为本发明一种用于铝硅封装壳体的电镀溶液存储装置的立体结构示意图；
29.图2为本发明铝硅封装壳体的电镀溶液存储装置的局部爆炸结构示意图；
30.图3为本发明的搅拌组件主视结构示意图；
31.图4为本发明的高压挤出组件主视剖视结构示意图；
32.图5为本发明电镀溶液存储装置的侧视剖视结构示意图。
33.图中：1、存储罐；2、搅拌组件；201、电机；202、搅拌杆；3、过滤槽；4、电镀溶液存储槽；5、高压挤出组件；501、液压缸；502、支撑杆；503、压板；504、限位板；505、导向槽；506、筛板；6、第一液位计；7、第二液位计；8、第三液位计；9、第四液位计；10、盖板；11、拨料组件；1101、叶片；1102、过滤孔；1103、滤网；12、支撑板；1201、空心管；13、换热器；14、蒸发器。
具体实施方式
34.为使本发明实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。
35.在本发明的描述中，需要理解的是，指示方位或位置关系的术语为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
36.在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据说明书具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
37.本发明提供了如图1-5所示的一种用于铝硅封装壳体的电镀溶液存储装置，包括存储罐1和搅拌组件2，所述存储罐1内分别设置有过滤槽3和电镀溶液存储槽4，所述搅拌组件2设置于电镀溶液存储槽4内，所述电镀溶液存储槽4顶部固定安装有盖板10，所述搅拌组件2包括电机201，所述电机201固定安装于盖板101上表面，所述电机201的输出轴端通过联轴器固定连接有搅拌杆202，所述搅拌杆202底端延伸至电镀溶液存储槽4内底部，所述搅拌杆202底端设置有可拆卸式的拨料组件11，所述拨料组件11包括叶片1101，所述叶片1101环形等距阵列于搅拌杆202底端，所述叶片1101内等距阵列有过滤孔1102，所述过滤孔1102内设置有滤网1103，利用带有滤网1103的叶片1101，搅拌时，避免存放的电镀溶液在促进流动时柔和推进。所述电镀溶液存储槽4一侧外壁分别固定安装有第三液位计8和第四液位计9，所述第三液位计8和第四液位计9与搅拌组件2电性连接，当电镀溶液到达设定高度时，启动搅拌电机，对电镀溶液进行搅拌，保证存储时的流动。
38.所述过滤槽3顶部设置有高压挤出组件5，所述高压挤出组件5包括液压缸501，所述液压缸501的输出轴端设置有两组支撑杆502，所述支撑杆502底端固定安装有压板503，所述压板503滑动安装于过滤槽3顶部，所述过滤槽3内设置有筛板506，所述过滤槽3一侧外壁分别固定安装有第一液位计6和第二液位计7，所述第一液位计6和第二液位计7均与液压缸501电性连接，在存储罐1依次设置有过滤槽3和电镀溶液存储槽4，在过滤槽1内设置高压挤出组件5，设置第一液位计6和第二液位计7和过滤槽3内的液压缸501电性连接，实现自动控制高压挤滤动作，在存储前对进入的电镀溶液进行压滤，保证电镀溶液的纯净度，保证电镀溶液的稳定性。
39.所述过滤槽3上方位于存储罐1顶部一侧设置有支撑板12，所述液压缸501固定安装于支撑板12上表面，所述支撑板12下表面对称设置有两组空心管1201，所述支撑杆502滑动安装于空心管1201内，所述液压缸501的输出轴端通过接头固定连接于压板503上表面，所述支撑杆502一端设置有限位板504，所述空心管1201内开设有导向槽505，所述限位板504和导向槽505间隙配合，依次设置支撑杆502、限位板504和导向槽505，保证高压挤滤时的稳定性，压板503外边缘均设置有密封圈，保证高压挤滤时。
40.所述存储罐1外壁一侧设置有换热器13，所述换热器13一侧热循环连通有蒸发器14，所述换热器13固定连接有外部压缩机，所述存储罐1外壁一侧设置有换热器13，所述换热器13一侧热循环连通有蒸发器14，所述换热器13固定连接有外部压缩机，换热器14的顶部设置有出液口，出液口与电镀槽相连接，过滤槽3和换热器14之间电镀液循环流动；换热器14内部设置有第二温度传感器，第二温度传感器位于出液口处；换热器14的内部设置有换热管，换热管为蛇形管；蒸发器13的内部设置有多条毛细管，换热管13的一端与毛细管的顶部相连接，且换热管13上串联设置有压缩机15与气液分离器；换热管13的另一端与毛细管的底部相连接，且换热管13上串联设置有节流装置；换热器14、压缩机、气液分离器、蒸发器和节流装置构成热量循环。
41.一种用于铝硅封装壳体的电镀方法，包括以下步骤：
42.首先，对铝硅封装壳体进行前处理，
43.s1：将铝硅封装壳体放入温度为50～65℃的分散性有机溶剂中，浸泡15min以上，然后将浸泡处理后的铝硅封装壳体放入化学去油溶液中，超声浸泡15min以上，化学去油液的配比为：碳酸钠15～25g/l和乳化剂op-10 2～5g/l，最后将铝硅封装壳体在热水中浸泡45s以上；
44.s2：对铝硅封装壳体基体进行浸蚀，将铝硅封装壳体基体放入温度为40～60℃含量为6～14％的碳酸钠溶液中10～20s，取出在流动的热水中进行清洗10s以上，再在流动的去离子水中进行清洗25s以上；然后在配比为硝酸700～800ml/l，固体溶解的200～300ml/l的酸洗液中处理8～10s，再在流动的去离子水中进行清洗10s以上；
45.另外，用于铝硅封装壳体的电镀方法，包括对铝硅封装壳体材进行镀铜和镀镍处理，具体步骤为：
46.s1：将铝硅封装壳体基体放入镀铜液电镀槽中进行电镀，镀液温度45～55℃，电流2密度0.5～2a/dm，电镀时间根据镀层厚度和铜层沉积速度0.11～0.45μm/min来确定，所述镀铜镀液的配比为：硫酸铜25～35g/l，焦磷酸钾150～180g/l，磷酸氢二钾50～70g/l；在电镀前20～30s内，采用大于1倍正常电流密度电镀，之后采用正常电流密度电镀；电镀结束
后，在流动的去离子水中清洗零件10s以上；
47.s2：将镀过铜层的铝硅封装壳体基体放入镀镍电镀槽中进行电镀镍，镀液配比为硫酸镍140～200g/l，硫酸钠35～40g/l，硫酸镁25～35g/l，硼酸12～20g/l，氯化钠4～26g/l；镀液温度18～40℃，电流密度0.8～1a/dm，电镀时间根据镀层厚度和镍层沉积速度8～10μm/h来确定，在电镀前20～30s内，采用大于1倍正常电流密度电镀，之后采用正常电流密度电镀，电镀结束后，在流动的去离子水中清洗零件10s以上；
48.s3：将铝硅封装壳体放入配制好的镀金液中进行电镀，电流密度：0.3～0.5a/dm2，镀液温度55～65℃；
49.s4：电镀完毕，用纯水将铝硅封装壳体清洗干净，然后用酒精对铝硅封装壳体进行脱水，将镀件吹干后放入烘箱，在80～100℃条件下干燥10～20min，最好用惰性气体如氮气、氩气、二氧化碳气体等对镀件吹干。
50.具体的控制系统包括如下内容：
51.主控制器设置在存储罐1上，主控制器内部集成有主控芯片、数据采集模块、数据处理模块、数据存储模块和数据发送模块；数据采集模块与温度传感器均为通讯连接，采集温度信息；数据采集模块与数据处理模块通讯连接；数据处理模块与主控芯片通讯连接；主控芯片与数据存储模块以及数据发送模块均为通讯连接；数据发送模块与加热盘管的电源开关通讯连接；数据发送模块与通讯服务器通讯连接；通讯服务器与远程监控终端通讯连接。
52.以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
53.需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。

技术特征：

1.一种用于铝硅封装壳体的电镀溶液存储装置，包括存储罐(1)和搅拌组件(2)，其特征在于：所述存储罐(1)内分别设置有过滤槽(3)和电镀溶液存储槽(4)，所述搅拌组件(2)设置于电镀溶液存储槽(4)内；所述过滤槽(3)顶部设置有高压挤出组件(5)，所述高压挤出组件(5)包括液压缸(501)，所述液压缸(501)的输出轴端设置有两组支撑杆(502)，所述支撑杆(502)底端固定安装有压板(503)，所述压板(503)滑动安装于过滤槽(3)顶部，所述过滤槽(3)内设置有筛板(506)；所述过滤槽(3)一侧外壁分别固定安装有第一液位计(6)和第二液位计(7)，所述第一液位计(6)和第二液位计(7)均与液压缸(501)电性连接，所述电镀溶液存储槽(4)一侧外壁分别固定安装有第三液位计(8)和第四液位计(9)，所述第三液位计(8)和第四液位计(9)与搅拌组件(2)电性连接。2.根据权利要求1所述的一种用于铝硅封装壳体的电镀溶液存储装置，其特征在于：所述电镀溶液存储槽(4)顶部固定安装有盖板(10)，所述搅拌组件(2)包括电机(201)，所述电机(201)固定安装于盖板(101)上表面，所述电机(201)的输出轴端通过联轴器固定连接有搅拌杆(202)，所述搅拌杆(202)底端延伸至电镀溶液存储槽(4)内底部。3.根据权利要求2所述的一种用于铝硅封装壳体的电镀溶液存储装置，其特征在于：所述搅拌杆(202)底端设置有可拆卸式的拨料组件(11)，所述拨料组件(11)包括叶片(1101)，所述叶片(1101)环形等距阵列于搅拌杆(202)底端，所述叶片(1101)内等距阵列有过滤孔(1102)，所述过滤孔(1102)内设置有滤网(1103)。4.根据权利要求1所述的一种用于铝硅封装壳体的电镀溶液存储装置，其特征在于：所述过滤槽(3)上方位于存储罐(1)顶部一侧设置有支撑板(12)，所述液压缸(501)固定安装于支撑板(12)上表面。5.根据权利要求4所述的一种用于铝硅封装壳体的电镀溶液存储装置，其特征在于：所述支撑板(12)下表面对称设置有两组空心管(1201)，所述支撑杆(502)滑动安装于空心管(1201)内，所述液压缸(501)的输出轴端通过接头固定连接于压板(503)上表面。6.根据权利要求4所述的一种用于铝硅封装壳体的电镀溶液存储装置，其特征在于：所述支撑杆(502)一端设置有限位板(504)，所述空心管(1201)内开设有导向槽(505)，所述限位板(504)和导向槽(505)间隙配合。7.根据权利要求1所述的一种用于铝硅封装壳体的电镀溶液存储装置，其特征在于：所述存储罐(1)外壁一侧设置有换热器(13)，所述换热器(13)一侧热循环连通有蒸发器(14)，所述换热器(13)热循环连通有外部压缩机。8.一种根据权利要求1-7任意一项所述的用于铝硅封装壳体的电镀方法，其特征在于：包括以下步骤：首先，对铝硅封装壳体进行前处理，s1：将铝硅封装壳体放入温度为50～65℃的分散性有机溶剂中，浸泡15min以上，然后将浸泡处理后的铝硅封装壳体放入化学去油溶液中，超声浸泡15min以上，化学去油液的配比为：碳酸钠15～25g/l和乳化剂op-10 2～5g/l，最后将铝硅封装壳体在热水中浸泡45s以上；s2：对铝硅封装壳体基体进行浸蚀，将铝硅封装壳体基体放入温度为40～60℃含量为6
～14％的碳酸钠溶液中10～20s，取出在流动的热水中进行清洗10s以上，再在流动的去离子水中进行清洗25s以上；然后在配比为硝酸700～800ml/l，固体溶解的200～300ml/l的酸洗液中处理8～10s，再在流动的去离子水中进行清洗10s以上。9.一种根据权利要求8所述的用于铝硅封装壳体的电镀方法，其特征在于：对铝硅封装壳体材进行镀铜和镀镍处理，具体步骤为：s1：将铝硅封装壳体基体放入镀铜液电镀槽中进行电镀，镀液温度45～55℃，电流2密度0.5～2a/dm，电镀时间根据镀层厚度和铜层沉积速度0.11～0.45μm/min来确定，所述镀铜镀液的配比为：硫酸铜25～35g/l，焦磷酸钾150～180g/l，磷酸氢二钾50～70g/l；在电镀前20～30s内，采用大于1倍正常电流密度电镀，之后采用正常电流密度电镀；电镀结束后，在流动的去离子水中清洗零件10s以上；s2：将镀过铜层的铝硅封装壳体基体放入镀镍电镀槽中进行电镀镍，镀液配比为硫酸镍140～200g/l，硫酸钠35～40g/l，硫酸镁25～35g/l，硼酸12～20g/l，氯化钠4～26g/l；镀液温度18～40℃，电流密度0.8～1a/dm，电镀时间根据镀层厚度和镍层沉积速度8～10μm/h来确定，在电镀前20～30s内，采用大于1倍正常电流密度电镀，之后采用正常电流密度电镀，电镀结束后，在流动的去离子水中清洗零件10s以上；s3：将铝硅封装壳体放入配制好的镀金液中进行电镀，电流密度：0.3～0.5a/dm2，镀液温度55～65℃；s4：电镀完毕，用纯水将铝硅封装壳体清洗干净，然后用酒精对铝硅封装壳体进行脱水，将镀件吹干后放入烘箱，在80～100℃条件下干燥10～20min，最好用惰性气体如氮气、氩气、二氧化碳气体等对镀件吹干。

技术总结

本发明公开了一种用于铝硅封装壳体的电镀溶液存储装置，包括存储罐和搅拌组件，所述存储罐内分别设置有过滤槽和电镀溶液存储槽，所述搅拌组件设置于电镀溶液存储槽内；所述过滤槽顶部设置有高压挤出组件，所述高压挤出组件包括液压缸，所述支撑杆底端固定安装有压板，所述压板滑动安装于过滤槽顶部，所述过滤槽内设置有筛板，设置第一液位计和第二液位计和过滤槽内的液压缸电性连接自动控制高压挤滤动作，存储前对进入的电镀溶液进行压滤，保证电镀溶液的纯净度，保证电镀溶液的稳定性；本发明公开了一种用于铝硅封装壳体的电镀方法，当电镀溶液到达设定高度时，启动搅拌电机，对电镀溶液进行搅拌，保证存储时的流动。保证存储时的流动。保证存储时的流动。