作者：聂仁勇 海太半导体(无锡)有限公司
引言
半导体芯片封装是指利用精密焊接技术，将芯片粘贴并固定在框架或PBC板等基座上，并通过金丝、铜丝、铝丝或其他介质将芯片的键合区与基座连接起来，再用绝缘材料将它们保护起来，构成独立的电子元器件的工艺。
半导体芯片封装的目的，在于保护芯片不受或少受外界环境的影响，并为它提供一个发挥半导体芯片功能的良好工作环境，以使之稳定、可靠、正常地完成相应的功能。但是芯片的封装只会限制而不会提高芯片的功能。在这样的情况下，全世界都在努力研究并并不断推出新的封装形式，以最大限度地发挥半导体芯片尤其是半导体集成电路本应有的功能，减小因封装对芯片功能产生的影响。半导体芯片封装流程可以分为“前道”流程和“后道”流程两部分。其中，“前道”流程包括贴片（Die Bonding）和键合（Wire Bonding）两道工序，是整个半导体芯片封装流程中至关重要的两道工序，它们决定了整个封装流程的成败；“后
道”流程则包括塑封、后固化、高温贮存、去飞边、浸锡（电镀）、切筋（打弯）、测试分类、mark、包装等工序，“后道”流程中测试分类也是比较重要的一道工序，它决定了产品的“去留”。本文将着重介绍贴片和键合这两道工序。
贴片（Die Bonding）
贴片（Die Bonding），是将半导体芯片固定于基板或引线框架的Pad上的工艺工程。装片需要选择与芯片相匹配的基座或Pad的引线框架，因为若基座或Pad太大，则会使内引线宽度太大，在“后道”塑封过程中会由于塑封体流动产生的应力而造成内引线断裂、塌丝等现象，从而导致TEST不良品增多。 另外，为了形成良好的装片成品率，还需要完善的工艺要素与之相配合，主要包括：温度、时间、气氛、压力等几种因素。
因此装片工序有两大质量要求：产品质量要求和工艺质量要求。
装片的产品质量要求：芯片与引线框架的连接机械强度高，导热性能好（△VBE小）和导电性能好（VCEsat 小），装配平整，焊料厚度适中，定位准确，能满足键合的需要，能承受键合或塑封时可能有的高温，保证器件在各种条件下使用都具有良好的可靠性。
装片的工艺质量要求：芯片位置正确；芯片无沾污、无碎裂、无划伤、无倒装、无误装、无扭转；引线框架无污染、无气泡、无氧化、无变形；焊料熔融良好，无氧化、无漏装、无结球、无翘片、无空洞。
良好的成品率不但要有合适的工艺条件，而且要有理想的合金材料，理想的材料应有以下特点： 1、在半导体晶片中的溶解度高，这样制成的欧姆接触电阻就小 ；
2、具有较低的蒸气压，即在合金温度下不应大量蒸发；
3、熔点应低于芯片表面的铝与半导体的合金温度，否则会影响器件的电参数；
4、机械性能良好，要有延展性而且热膨胀性能与半导体材料、衬底材料的热膨胀性能相接近或相匹配；
但装片的方式又多种多样，目前比较主流的方式主要有以下4种，分别是：树脂粘接（分导电或非导电树脂）、共晶焊接、银浆或银泥烧结和铅锡合金焊接。
1）树脂粘接（分导电或非导电树脂）
常用的树脂由环氧、聚酰亚胺、酚醛、聚胺树脂及有机硅树脂组成作为粘接剂，加入银粉的称导电树脂（或导电胶）；有的加入氧化铝粉填充料，导热性好，绝缘性也好，称非导电树脂（或非导电胶），适用于集成电路与小功率的晶体管。
树脂粘接会产生一系列的问题：生产过程中因芯片放置不当（如翘片等）形成空洞率（如图1所示）过高（后面章节即将介绍到的合金焊料装片更容出现这样的情况）；空洞率过高直接导致热阻偏大、高应力；树脂滴在引脚上造成搭桥现象，引起内连接问题，在内引线键合时造成框架翘曲，使得一边内引线应力大，一边内引线应力小。
图1-a 装片空洞率不合格样品 图1-b 装片空洞率较小合格样品
（空洞大、集中） （空洞小、分散且少）
树脂粘接装片后需要进行固化处理，环氧树脂粘贴剂的固化条件一般是150℃，固化时间为半小时（此数据为KEC-W TO-220IS-4的参数）；聚酰亚胺粘贴剂的固化温度要高一些，时间也更长；不同粘贴剂的固化工艺条件都不尽相同，需要相关的实验来确定。
2）共晶焊接
共晶焊接是利用芯片背面的金硅合金和基座或引线框架上镀的金属（银层）在高温氮保护和400~440℃高温下形成合金的办法固定芯片，这种方法需要有相应的背面蒸金的芯片才能进行焊接，导电导热性能都很好，适用于较小尺寸的芯片。特别适用于功率三极管芯片，
这样的装片方式比合金焊料装片方式更有助于工作中芯片的散热。
芯片背面不同的合金材料在装片过程中芯片周围将出现不同的溢料现象，五层背金、六层背金芯片的周围没有合金溢出痕迹，而AuGe背金芯片的周围则有明显的合金溢出痕迹。（图2）
图a 五层背金、六层背金 图b AuGe背金
图2 不同合金背金现象
共晶焊接装片工艺也存在一定的缺陷，因为共晶装片是要靠机械手向下的压力才能有好的共晶出现的，如果装片的机械手上吸嘴的截面与芯片不平行，则会导致芯片的受力不均，从而出现芯片一边已与银形成合金粘牢，另一边未粘牢的现象。
3）银浆或银泥烧结
银浆或银泥烧结是利用银浆或银泥中的氧化银，高温下分解还原成银来固定芯片，导电和导热性能均较好。适用于小功率晶体管和结深较浅的超高频或微波小功率晶体管。
银浆或银泥烧结方式装片也需采用氮气保护，烧结温度为380～400℃，这种方法最大的特点是成本低、效率高,但高低温热性能、电耐久性、工艺重复性差。
4）铅锡合金焊接
铅锡合金焊接是利用铅锡合金作焊料，把背面已蒸金（银）或镀镍的芯片，焊接在镀银或镀镍的基座或引线框架上，这种装片方式的导电导热性比共晶都要稍差些，但成本更低，适用于中大功率晶体三极管及集成电路。
现在，随着欧盟等一些地区或国家相继加大了对环保的投入，大力发展无铅绿环保产品。为了顺应历史发展趋势，科学家们研制出了新型的合金焊料，即在原有的铅锡合金的基础上，用一定比例的“锑+银”或“锑+镍+磷”来替代铅。而且后两者比前者有着巨大的优势：
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