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基于倒向偏置补偿的InP异质结双极晶体管电路[发明专利]

专利名称：基于倒向偏置补偿的InP异质结双极晶体管电路专利类型：发明专利

发明人：吕红亮，武岳，朱莉，张义门，张玉明

申请号：CN201610132990.3

申请日：20160309

公开号：CN105808851A

公开日：

20160727

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提出了一种基于倒向偏置补偿的InP异质结双极晶体管电路，其包括功率单元模块(1)和电流补偿模块(2)。电流补偿模块连接在功率单元模块的输入端，用于控制功率单元模块的输入电流；功率单元模块由磷化铟异质结双极晶体管Q1组成，电流补偿模块由倒向偏置的磷化铟异质结双极晶体管Q2、直流电压源DC和电阻R组成。Q2的基极与Q1的基极相连接，电阻R作为控制开关，连接在Q2的集电极和地之间，直流电压源DC的正极与Q2的发射极相连，负极接地。本发明根据负反馈补偿原理，补偿了InP异质结双极晶体管自热效应，稳定了直流工作点，改善了晶体管输出的线性度，可用于指导射频和微波电路的直流偏置设计。

申请人：西安电子科技大学

地址：710071 陕西省西安市太白南路2号

国籍：CN

代理机构：陕西电子工业专利中心

本文发布于:2024-09-22 17:40:17，感谢您对本站的认可！

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