1.纳米光刻方法 电子束光刻(EBL ) 聚离子束技术(FIB ) 纳米压印光刻(NIL ) 干涉光刻(IL ) 球体光刻(SL )
3.基于纳米材料的纳米制备方法
离子选择性聚合物 纳米多孔材料 纳米晶体
纳米线和纳米管
•纳米光刻方法-电子束光刻(EBL)
硅
负抗蚀剂图案化
抗蚀剂薄层
模具蚀刻软光刻
粘合
正抗蚀剂图案化
纳米通道蚀刻
粘合
在覆盖有电子敏感抗蚀剂薄层的表面上沿预定路径发射电子束，并随后选择性地去除曝光或未曝光的抗蚀剂
可实现10nm 或更小的特征；但成本较高，写入速度较
•纳米光刻方法-聚离子束技术(FIB)
薄膜沉积、背腔蚀刻
FIB 研磨
纳米孔收缩
利用聚离子束实现特定位点制造的技术，如溶胀，研磨，注入，离子诱导沉积或蚀刻。
半导体行业中强大的缺陷修复工具
薄膜
纳米孔制备
纳米通道制备
直接FIB 扫描
引入介质层，然后是FIB 扫描和牺牲层蚀刻
与其他技术兼容；但设备昂贵，由于进行直接研磨/沉积，产量低
•纳米光刻方法-纳米压印光刻(NIL)
不同于传统光刻技术，NIL 通过将预定模具压入压印抗蚀剂来复制纳米级特征，克服了衍射极限
压印抗蚀涂层
压模残余抗蚀剂蚀刻直接热粘合
去模溶剂蒸汽密封熔化回流密封
直接模板密封
可在大面积上产生纳米级特征，与上述EBL和FIB相比
成本相对较低，模具可重复使用。与其他微制造方法兼容。
•纳米光刻方法-干涉光刻(IL)
与NIL类似，IL是一种能够制造大面积、纳米尺寸、周期性图案结构的技术。在该技术中，相干激光源被分成两个不同的光束，然后投射到光刻胶上。基于两个相干光束的干涉曝光，在光刻胶上形成具有一定间距的典型正弦干涉图案。
根据其工作原理，IL只能产生纳米链/纳米孔阵列，无法制造单个纳米链/纳米孔，这限制了其应用。
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