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硅基电容麦克风及硅基电容麦克风的制作方法[发明专利]

专利名称：硅基电容麦克风及硅基电容麦克风的制作方法专利类型：发明专利

发明人：孟珍奎，葛舟，李海锋

申请号：CN201010193771.9

申请日：20100607

公开号：CN101848411A

公开日：

20100929

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明涉及一种硅基电容麦克风的制作方法，该方法包括如下步骤：步骤A：提供一个硅基底，硅基底上沉积刻蚀阻挡层；步骤B：在刻蚀阻挡层上沉积应力平衡层；步骤C：在应力平衡层上沉积振膜；步骤D：在硅基底上沉积牺牲层，并刻出潜影；步骤E：沉积背板；步骤F：对背板掺杂，使之变成导体；步骤G：刻蚀背板；步骤H：沉积电极，做欧姆接触。

申请人：瑞声声学科技(深圳)有限公司，瑞声微电子科技(常州)有限公司

地址：518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园北区新西路18号

国籍：CN

本文发布于:2024-09-20 14:39:36，感谢您对本站的认可！

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标签：步骤沉积专利

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