在信息技术日益发展的今天，微电子技术水平的不断提高为信息产业的飞速发展奠定了坚实的基础。研究所从70年代致力于微电子行业中高频微波大功率晶体管和大规模、超大规模集成电路的基础材料的制备、加工、检测以及外延材料性能与结构优化等技术和产品的研究、开发与生产。公司经营的高新技术产品中有五项获国家发明奖、二项获国家专利、九项获国内外发明展奖、十八项获省部级科技进步奖，并且超过了国内外同类技术产品，效益近亿元，其中FA/O抛光液和FA/O多功能活性剂属于国家级新产品，被列入“十五”国家级科技成果重点推广计划，代替了美国、日本进口产品，并已开始进入国际市场。为了获得更高质量的产品，2001年通过了ISO9001：2000的质量体系认证，已形成系列产品均已达到规模生产，国内外市场需求巨大达数十亿美元。
项目简介
1、FA/O抛光液使用
本品属于电子化工领域，用于硅分立器件与集成电路，尤其是MOS，CCD，I2L等浅结器件及ULSI高集成度，高性能器件衬底高质量抛光的抛光液。
FA/O抛光液是用于半导体材料晶片抛光的新一代水溶性高纯胶体抛光液，该产品获国家发明奖、国家级新产品、国家重点推广计划高科技新产品。它具有表面光洁度高、金属杂质沾污少、易清洗、抛光速率高、损伤层小、平整度高等特点，适用于硅、锗、石英、二氧化硅、蓝宝石等材料的抛光，也可用于不锈钢与电子玻璃等的高质抛光，在抛光中根据需要可以优化不同配比，均能达到最佳效果。该产品质量稳定、使用方便，不需用酸、碱调PH值，直接加去离子水即可使用。该产品与美国NALCO，日本GLANZOX系列相比，是浓缩度高，粒度小，对有机物、金属离子及颗粒极易清洗，速率快（1.5-2μm/min）的新型抛光液。90年获国家发明奖，95年获国家级新产品，99年获国家重点推广计划，2000年获国家中小企业创业基金。 2、FA/O半导体材料切削液
FA/O切削液是新研制的换代产品。该化学试剂是主要用于半导体硅、锗、砷化镓等单晶棒切割的专用试剂，也可用于金属和非金属材料切削以水剂代油剂的专用试剂；它具有高效、高浓度，能有效地降低表面张力、减少摩擦力，有效降低晶片损伤、减少微裂与应力，增加切削速度，无刀根破坏，及优秀的润滑、渗透、防锈、冷却功能、延长刀具寿命
和改善环境条件等特点。有关单位应用表明，该切削液可使刀具寿命提高20%，速率提高20-40%，尤其适于作为倒角液，使倒角处光滑细腻，更有利于应力释放，使倒角获得极好效果。
3、FA/O高纯多功能非离子界面活性剂
本产品荣获1999年度国家发明奖。其主要用于半导体材料切、磨、抛等加工过程中，在半导体器件制作过程中起润湿、分散、解吸、助溶、清洗、均蚀等作用。有效地将新生的半导体表面由高能降为低能，由难以处理的化学吸附转化为以易去除的物理吸附为主，实现了把有害吸附转化为无害吸附。除代替日本NCW601和美国X100等活性剂用途外，还可用于有效去除镜面吸附微粒与各种金属离子。本产品中的高渗透剂可用于石油二次开采可提高开采率10%-15%。 实验表明新生的半导体晶片表面在水溶液中带负电荷，通常吸附对微电子器件极有害的一原子、分子层金属离子和各种尘粒，且呈现键合的牢固状态。而采用FA/O无离子界面活性剂，其新生的半导体镜面将活性剂的无离子亲水基以物理吸附方式吸附，有效地降低了表面能量，实现低能状态，且物理吸附极易清洗掉，FA/O无离子界面活性剂中含有高效无金
属离子螯合剂对各种金属离子有很强的螯合作用，且酸碱溶液均有效，防止了碱、重金属离子对衬底沾污而影响电器件的特性，便于制备高纯的半导体器件衬底镜面。
与日本NCW601、美国X100界面活性剂相比，对各种离子均有很强的螯合作用，粘度低、高效、低廉、无毒、PH低无腐蚀。
4、FA/O硅单晶磨片清洗液
本品用于单晶硅切片、磨片清洗，代替氟里昂、三氯乙烷等ODS物质，可有效地清洗硅单晶片上的硅粉及其它吸附在硅单晶片上的有机和无机杂质。该清洗剂不含钠、钾离子，对硅单晶无损坏、无沾污。该清洗液具有高效（提高效率一倍以上，并含有99年获国家发明奖的对几十种金属离子有螯合作用、无金属离子的螯合剂）、安全（闪点在300°C以上）、寿命长、浓缩度高等特点，经有关单位使用表明，本品与技术有效地去除了长期难以解决的硅单晶片上的硅粉及其它吸附在硅单晶片上的有机和无机的杂质，其中的高效无金属离子螯合剂可对几十种金属离子起到很强的螯合作用，防止了碱、重金属离子对衬底的沾污，获得了极佳的效果，使硅片研磨后清洗工艺变得简单高效，易操作，减少了副作用，适合生产线上规模应用。这些使用单位认为：该清洗液的推广应用，将为硅材料和微
电子行业带来极好的社会效益和经济效益。
5、FA/O液晶显示器（LCD）屏清洗剂
FA/O液晶显示器（LCD）屏清洗剂是新研制的换代产品。该清洗剂用于液晶屏清洗，代替氟里昂、三氯乙烷等ODS清洗剂，可有效地清洗液晶屏上的液晶及其它附着在液晶屏上的有机和无机杂质。该清洗剂无金属离子污染，对透明电极和密封胶无损坏，且该清洗剂含有1999年获国家发明奖的能对几十种金属离子有效清除的螯合剂。该产品高效、安全、寿命长、浓缩度高。
6、FA/O电子玻璃清洗液
本清洗液适用于微电子光刻制版玻璃、液晶导电玻璃、计算机硬盘玻璃、微机与电视机显示器屏玻璃、蓝宝石、白宝石、光学玻璃等的清洗。特点如下：
该清洗液浸润性好、表面张力低、去除效率高、效果好。
它可有效去除表面各种吸附物：粒子、无机盐和有机物及各种碱玻璃渗出物等。
该清洗液为酸性，缓冲性强，可长期循环使用。
7、FA/O型ULSI多层铜布线抛光液
本抛光液具有无金属离子沾污、高速率、高选择性、小粒径（15-20nm）、低损伤、高洁净度等特点，在理论与工程技术上取得了创造性突破。现在，铜CMP已成为ULSI制备中倍受世界各国关注的核心技术之一，世界各国都在加紧对其进行封闭研究，以期优先占领国际市场。目前，在铜CMP抛光液方面处于先进地位的美国、日本公司采用的磨料均为AlO，该类磨料硬度高、分散度大、黏度大、难清洗、易引起表面划伤且损伤层深，且Al还会对芯片造成污染。而本产品采用粒径15-20nm、高纯水溶性、无金属离子纳米材料代替了AlO作为磨料使用，不但可以解决Al污染问题，还可以解决由于磨料硬度、分散度和黏度造成的抛光镜面表面缺陷和难清洗问题。本品已在中科院微电子中心获得了很好的应用，经专家鉴定确认，本品达到国际领先水平，是对国际微电子第三代布线化学机械全局平面化（CMP）创造性的贡献。
8、FA/O半导体材料磨削液
FA/O磨削液是新研制的换代产品，主要用于半导体硅、锗、砷化镓等单晶硅的研究，它保留国内外较先进的磨液防锈悬、浮性能又增加了化学作用。渗透功能及对磨盘保护功能增加磨盘寿命，可以有效减少机械作用降低损伤层与微裂及应力产生、减少碎片，尤其对超薄片更是显示其优良特性，使用单位证明可以提高效率减少时间10%左右，微裂损伤畸变层降低15-20%左右。
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